下面小編就來介紹一下leddriver 芯片的原理以及l(fā)ed lamps對driver芯片的要求。我們一起看,通過集群可以滿足不同的需求,浪費很少,以LED為光源,同等亮度下耗電量僅為普通白熾燈的1/8~1/10.4,使用壽命長,leddriver芯片principleled燈對驅(qū)動器的要求芯片有各種各樣的LED驅(qū)動器芯片,但同一種ic的基本原理還是一樣的。
含義:發(fā)光二極管簡稱led。由含有鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時,可以發(fā)出可見光,因此可以用來制作發(fā)光二極管。在電路和儀器中用作指示燈,或用作文本或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)出紅光,磷化鎵二極管發(fā)出綠光,碳化硅二極管發(fā)出黃光,氮化鎵二極管發(fā)出藍(lán)光。因其化學(xué)性質(zhì),分為有機(jī)發(fā)光二極管有機(jī)發(fā)光二極管和無機(jī)發(fā)光二極管LED。
不利于后續(xù)工序的操作。我們用薄膜拉伸機(jī)將貼在芯片上的薄膜展開,LED 芯片的間距拉伸到0.6 mm左右..手動擴(kuò)展也可以,但是容易造成芯片落廢等不良問題。3.LED點膠:在LED支架的相應(yīng)位置涂上銀膠或絕緣膠。(對于GaAs和SiC導(dǎo)電襯底,帶背電極的紅光、黃光、黃綠色芯片為銀漿。對于藍(lán)寶石絕緣襯底上的藍(lán)色和綠色LED,
2011中國LED行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及市場預(yù)測led作為照明行業(yè)的第四代產(chǎn)品,是21世紀(jì)最具發(fā)展前景的高科技領(lǐng)域之一,未來LED燈將逐步取代白熾燈和熒光燈。每一代照明產(chǎn)品的性能對比如表1所示。具體來說,在目前的技術(shù)條件下,LED已經(jīng)顯示出很多優(yōu)勢:1。光效高。光譜幾乎完全集中在可見光頻率,效率可達(dá)50%以上,而光效相近的白熾燈可見光效率只有10% ~ 20%。
3.低能耗。單個功率一般在0.05~1W,通過集群可以滿足不同的需求,浪費很少。以LED為光源,同等亮度下耗電量僅為普通白熾燈的1/8~1/10.4,使用壽命長。光通量衰減到70%的標(biāo)準(zhǔn)壽命是100000h,正常情況下一個LED燈可以用50年。我這輩子最多只用兩盞燈。5.可靠耐用。沒有鎢絲、玻殼等易損壞部件,異常報廢率很小,維護(hù)成本極低。
3、制造大功率LED 芯片的幾種方法國際上制造大功率LED 芯片有幾種常用的方法:①放大尺寸。通過增加單個LED的有效發(fā)光面積和尺寸,使流過TCL層的電流均勻分布,達(dá)到預(yù)期的光通量。但單純增加發(fā)光面積并不能解決散熱和發(fā)光問題,也達(dá)不到預(yù)期的光通量和實際應(yīng)用效果。(2)硅底板倒置法。首先制備適合共晶焊接的大尺寸LED 芯片同時制備相應(yīng)的硅背板,在硅背板上制作用于共晶焊接的金導(dǎo)電層和引出導(dǎo)電層(超聲波金絲球焊點),然后通過共晶焊接將大尺寸LED 設(shè)備與硅背板焊接在一起。
4、LED 芯片的制作工藝1。LED 芯片檢驗顯微鏡:材料表面是否有機(jī)械損傷以及尺寸和電極尺寸是否符合工藝要求,電極圖形是否完整。2.LED擴(kuò)展:由于LED芯片在劃片后仍然緊密排列,間距很小(0.1mm左右),不利于后續(xù)工藝的操作。粘合到芯片上的膜通過膜拉伸機(jī)被拉伸,使得LED 芯片的間距被拉伸至約0.6 mm..手動擴(kuò)展也可以,但是容易造成芯片落廢等不良問題。