有效質(zhì)量和電導(dǎo)有效質(zhì)量和態(tài)密度有效質(zhì)量有什么關(guān)系？電導(dǎo)有效質(zhì)量與態(tài)密度有效質(zhì)量的關(guān)系:同源，卻綻放兩張表。相似性:數(shù)學(xué)上，兩者都是由晶體EK關(guān)系(或色散關(guān)系和能帶)的二階泰勒展開項系數(shù)矩陣導(dǎo)出，由此有效質(zhì)量(注:張量形式的有效質(zhì)量不區(qū)分電導(dǎo)有效質(zhì)量。
1、半導(dǎo)體物理中證明空穴電導(dǎo) 有效質(zhì)量
σe^2*τ(ph pl)/mcp*e^2*τ(ph)/mph* e^2*τ(pl)/mpl*(1)pha(kt)3/2(mph*)3/2，PlA(kt)3/2(mpl*)3/2(2)把(2)帶入公式(1):1/MCP *(mph * 1/2 mpl * 1/2)/(mph * 3/2 mpl * 3/2)(3)由(1)組成。
2、求解硅的空穴電導(dǎo)的 有效質(zhì)量
硅的空穴電導(dǎo)為有效質(zhì)量:由于四價硅或鍺晶體中摻雜了三價銦或鎵原子，這些原子與硅或鍺的原子之間的化學(xué)鍵中缺少了一個電子，外電場中P型半導(dǎo)體中的電子會逆著電場方向依次填充空穴，同時空穴會沿著電場方向移動。空穴可以看作是帶正電的粒子，它們的運動代替了電子的運行來解釋P型半導(dǎo)體中電流的形成。共價鍵中的一些價電子由于熱運動獲得了一些能量，因此擺脫了共價鍵的束縛，成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位。晶體中原子外層有一個蘿卜坑，一個自由電子跑掉自然會留下一個坑。
3、 有效質(zhì)量和電導(dǎo) 有效質(zhì)量以及狀態(tài)密度 有效質(zhì)量之間有什么關(guān)系
conductance有效質(zhì)量與態(tài)密度有效質(zhì)量:同源，但兩朵花盛開。相似性:數(shù)學(xué)上，兩者都是由晶體EK關(guān)系(或色散關(guān)系和能帶)的二階泰勒展開項系數(shù)矩陣導(dǎo)出，由此有效質(zhì)量(注:張量形式的有效質(zhì)量不區(qū)分電導(dǎo)有效質(zhì)量，在各向同性的情況下，兩種有效質(zhì)量是等價的。區(qū)別:在各向異性的情況下，為了簡化問題，需要對所有方向進行平均有效質(zhì)量，兩者的平均方法是不同的。
