擊穿場(chǎng)強(qiáng)，固體液體氣體介質(zhì)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的高低順序

來源：整理時(shí)間：2024-09-26 12:29:33 編輯：智能門戶手機(jī)版

1，固體液體氣體介質(zhì)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的高低順序

氣體最低，液體次之，固體最高。

氣體高，液體次之，固體最低。

固體液體氣體介質(zhì)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的高低順序

2，大學(xué)物理電磁學(xué)擊穿場(chǎng)強(qiáng)大小R1從何而來是什么

因?yàn)闅怏w分子在高壓下有可能發(fā)生電離，產(chǎn)生正負(fù)離子，成為等離子體而導(dǎo)電。所謂擊穿場(chǎng)強(qiáng)，就是兩點(diǎn)之間的氣體恰好不電離時(shí)，可以承擔(dān)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度，是一個(gè)電場(chǎng)強(qiáng)度的臨界點(diǎn)。

同問。。。

大學(xué)物理電磁學(xué)擊穿場(chǎng)強(qiáng)大小R1從何而來是什么

3，聚四氟乙烯的擊穿場(chǎng)強(qiáng)為多少

聚四氟乙烯的擊穿場(chǎng)強(qiáng)很高，很薄的聚四氟乙烯薄膜，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)200kv/mm；但隨厚度的增加，擊穿場(chǎng)強(qiáng)逐漸降低. 聚四氟乙烯的介電強(qiáng)度和厚度的關(guān)系 100 0.05 50 0.1 20 0.2 10 0.5 0.02 1.0 (mm)

聚四氟乙烯的擊穿場(chǎng)強(qiáng)為多少

4，擊穿電壓概念

固體電介質(zhì)擊穿導(dǎo)致?lián)舸┑淖畹团R界電壓稱為擊穿電壓。均勻電場(chǎng)中，擊穿電壓與介質(zhì)厚度之比稱為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（簡(jiǎn)稱擊穿場(chǎng)強(qiáng)，又稱介電強(qiáng)度）。它反映固體電介質(zhì)自身的耐電強(qiáng)度。不均勻電場(chǎng)中，擊穿電壓與擊穿處介質(zhì)厚度之比稱為平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)，它低于均勻電場(chǎng)中固體介質(zhì)的介電強(qiáng)度。固體介質(zhì)擊穿后，由于有巨大電流通過，介質(zhì)中會(huì)出現(xiàn)熔化或燒焦的通道，或出現(xiàn)裂紋。

5，同軸圓柱形電容器的擊穿場(chǎng)強(qiáng)怎么算

同軸圓柱形電容器單位長(zhǎng)帶電荷±λ時(shí)，電場(chǎng)是不均勻的，內(nèi)圓筒表面場(chǎng)強(qiáng)E最大由高斯定理可以得到: E=λ/2πεR1因?yàn)?，?nèi)外圓筒間電壓U=(λ/2πε)ln(R2/R1)所以，E=U/R1lnR2/R1當(dāng)U為電容器的耐壓值，E即擊穿場(chǎng)強(qiáng)。R1，R2是內(nèi)外圓筒半徑。

設(shè)單位長(zhǎng)圓柱帶電±λ，內(nèi)外圓柱半徑分別為r1,r2。由高斯定理可得場(chǎng)強(qiáng) e=λ/2πε0r (r1＜r＜r2) r是場(chǎng)點(diǎn)到圓柱軸線的垂直距離。以帶負(fù)電荷的外圓柱面為電勢(shì)零點(diǎn)，電勢(shì)u=∫edr=(λ/2πε0)lnr2/r 當(dāng)u為電容器的耐壓值，e即擊穿場(chǎng)強(qiáng)

6，空氣的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是多大

在溫度20度，壓力為101325pa和絕對(duì)濕度為11g/m^3的標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，通常認(rèn)為均勻電場(chǎng)空氣間隙擊穿場(chǎng)強(qiáng)為30KV/cm，也就是1厘米的距離需要電壓30KV才能擊穿，1毫米的距離需要電壓3KV才能擊穿。正?？諝庀? 1000V直流能拉出電弧，不能擊穿空氣?？諝忾g隙的電氣強(qiáng)度的影響因素有：電場(chǎng)性質(zhì)（均勻性、對(duì)稱性）、氣體狀態(tài)、電壓種類（工頻、操作或雷電沖擊）、電壓極性和鄰近效應(yīng)等。擴(kuò)展資料：空氣電擊穿的分類：1、熱擊穿是指處于電場(chǎng)中的介質(zhì)，由于介質(zhì)損耗而發(fā)熱，當(dāng)外電場(chǎng)足夠高時(shí)，散熱與發(fā)熱可能從平衡態(tài)轉(zhuǎn)入非平衡態(tài)，若發(fā)熱多干散熱，介質(zhì)溫度愈來愈高直到出現(xiàn)局部的不可逆破壞。2、電擊穿是指在強(qiáng)電場(chǎng)下，固體導(dǎo)帶中可能因冷發(fā)射或熱發(fā)射存在的電子，在外電場(chǎng)作用下，電子被加速獲得動(dòng)能，另一方面，由于與晶格振動(dòng)相互作用，把電場(chǎng)能量傳遞給晶格。當(dāng)上述兩個(gè)過程在一定溫度和場(chǎng)強(qiáng)下平衡時(shí)，介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo)。當(dāng)電子從電場(chǎng)中得到的能量大于傳遞給晶格振動(dòng)的能量時(shí)，電子的動(dòng)能越來越大，自由電子數(shù)急劇增加，電導(dǎo)進(jìn)入不穩(wěn)定狀態(tài)，即發(fā)生電擊穿。3、化學(xué)擊穿是指在電場(chǎng)及其導(dǎo)致的化學(xué)變化聯(lián)合作用下的介質(zhì)擊穿。例如在高溫和高濕下，或在直流和低頻交流電場(chǎng)作用下，材料內(nèi)部發(fā)生電解作用，使介質(zhì)發(fā)生不可逆的化學(xué)變化，導(dǎo)致?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)降低，最后被擊穿。

一般情況下,空氣介質(zhì)擊穿電壓也可近似地用30kv/cm的擊穿場(chǎng)強(qiáng)來估計(jì).