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1，基爾霍夫求電壓

設(shè)節(jié)點(diǎn)處的電壓為U則有：（15-U）/3=(U+4)/2+u/6Us=4/6 ×U解下來U=3V Us=2V這個(gè)電壓沒有形成回路，只能用基爾霍夫電流定律，通過節(jié)點(diǎn)的電流代數(shù)和為零。

基爾霍夫求電壓

2，霍爾電壓UkIBd各個(gè)字母代表的物理量

U:霍爾電壓（z方向）。 k為霍爾系數(shù)，近似可以用電磁學(xué)模型來計(jì)算（洛倫茲力與電場力相平衡）。I為通過hall原件的電流強(qiáng)度（y方向）。B為橫向磁場強(qiáng)度（x方向）。d為z方向上hall原件的寬度，即厚度

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霍爾電壓UkIBd各個(gè)字母代表的物理量

3，霍爾定律是什么怎么寫公式

霍爾效應(yīng)的公式：UH=KHISBKH為霍爾元件的霍爾系數(shù)，UH為霍爾電勢差，IS為流過霍爾元件的電流，B為垂直于霍爾片的磁感應(yīng)強(qiáng)度。

簡單的說就是在一回路中流入和流出任一節(jié)點(diǎn)的電流相等。你應(yīng)該是在高中吧，注意：參加高中物理競賽是必須要知道基爾霍夫定律的，它應(yīng)用于復(fù)雜電路的化簡和求復(fù)雜電路各支路的電流，電壓關(guān)系。

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4，高中霍爾傳感器的一個(gè)公式的求證過程

霍爾材料中電流在加磁場在情況下會產(chǎn)生霍爾電壓，對在場運(yùn)動的載流子分析知，當(dāng)場穩(wěn)當(dāng)后，載流子受的電場力等于洛倫茲力，則qE=qvBU/b=vBU=Bvb (b為材料寬度，不是厚度)其中v是電流中的載流子的速度，由電流的微觀表達(dá)式有：I=nqvSn電子數(shù)密度，q電子電量，S為材料截面積，大小為bd所以U=Bb*I/nqbd=BI/nqd記K=1/nqU=KBI/d證畢

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5，推導(dǎo)霍爾電壓與其他物理量的關(guān)系

設(shè)一個(gè)長為L，寬為d,高為h的霍爾元件在水平面放置。磁場B在豎直方向穿過霍爾元件。電流I水平延元件長L流過,令元件中自由正電荷的密度是n,正電荷電量是q，則I=Q/t=nqdhL/t=nqdhv(其中v是正電荷在L方向上的移動速度。）由此得v=I/nqdh。同時(shí)正電荷受到洛倫茲力而向兩側(cè)運(yùn)動，當(dāng)元件兩端的正電荷積累到一定程度形成一定電壓即霍爾電壓U時(shí)，正電荷同時(shí)受到洛倫茲力和電場力而平衡。由F=qvB和F=Eq(E為霍爾電壓對應(yīng)的電場）得qvB=Eq=Uq/d(U為霍爾電壓）進(jìn)而得U=qvBd,把v帶入得：U=BI/nh 令1/nh為K,則U=BIK,這就是霍爾電壓的公式。

6，霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中k值是怎么換算單位的急求

霍爾效應(yīng)用公式表示為：E=KBIcosθ。E為霍爾效應(yīng)電壓，單位為伏特（V）；I是霍爾器件的工作電流，單位為安培（A）；B是外部磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度，單位為特斯拉（T）θ為I與B的垂直角度的偏差，單位可以是角度（°）或弧度（rad）。K為霍爾器件的靈敏度，是常數(shù)；其單位為：V/(A.T)。一般開關(guān)型的霍爾靈敏度是指原件本身的磁開啟和關(guān)閉點(diǎn)，表示的單位大多為兩種，高斯（Gauss）與毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT線性霍爾的靈敏度是指單位磁場變化時(shí)其輸出電壓的變化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，換算參照開關(guān)型

、勵(lì)磁電流和霍爾電流時(shí)間過長，導(dǎo)致發(fā)熱，影響試驗(yàn)結(jié)果，使結(jié)果偏大霍爾效應(yīng)是指當(dāng)固體導(dǎo)體有電流通過，且放置在一個(gè)磁場內(nèi)，導(dǎo)體內(nèi)的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓，除導(dǎo)體外，半導(dǎo)體也能產(chǎn)生霍爾效應(yīng)，而且半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)要強(qiáng)于導(dǎo)體。電場力會平衡洛倫茲力。解釋在導(dǎo)體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得導(dǎo)線中的電子與電洞受到不同方向的勞倫茲力而往不同方向上聚集，在聚集起來的電子與電洞之間會產(chǎn)生電場，此一電場將會使后來的電子電洞受到電力作用而平衡掉磁場造成的勞倫茲力，使得后來的電子電洞能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應(yīng)。而產(chǎn)生的內(nèi)建電壓稱為霍爾電壓。磁電流和霍爾電流時(shí)間過長，導(dǎo)致發(fā)熱電阻變化了