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門電路，什么是門電路

來源：整理 時(shí)間：2024-10-20 15:53:34 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，什么是門電路

門電路分為與門，或門，非門。與門有兩個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端，需要兩個(gè)輸入條件同時(shí)成立才成立。或門也有兩個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端，兩個(gè)輸入條件只要一個(gè)成立就成立。非門有一個(gè)輸入端一個(gè)輸出端，輸出端輸出的是與輸入端相反的。舉個(gè)例子，真為1，假為0。則1&1=1，1&0=0，0&0=0；1或0=1；1非=0，0非=1

什么是門電路

2，什么是門電路

凡電子器件輸入端為高電平或低電平時(shí)，輸出端相應(yīng)變化為高電平或低電平的就稱門電路或器件，高、低電平的劃分：低于電源30%或以下為低電平，高于此值以上為高電平。
所謂門，就是開關(guān)的意思，在電路中就得滿足條件時(shí)，門才會(huì)開。非門就是輸入跟輸出狀態(tài)相反的，就是一反相器與非門就是兩輸入端有一個(gè)為低電平時(shí)，輸出也會(huì)是高電平，兩輸入端都是高電平時(shí)，輸出才為低電平。

什么是門電路

3，什么是是門電路

門電路是數(shù)字電路的基本組成單元。它有一個(gè)或多個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，輸入和輸出為低電平和高電平（分別代表2進(jìn)制0和1）。 門電路一般有：與門、或門、非門、與非門、或非門等。各種門電路有著不同的功能，即針對(duì)不同的輸入數(shù)值給出輸出數(shù)值（比如或門要求兩個(gè)輸入值中有一個(gè)或以上為1時(shí)輸出1；與門在兩個(gè)輸入值都為1是輸出1，否則輸出0；非門只有一個(gè)輸入，而輸出與輸入反相），就像數(shù)學(xué)上簡單的方程式；不同種類的門就像不同的方程式；大量的各種門可以描述更為復(fù)雜的方程式。 各種不同的門電路共同組成數(shù)字電路，實(shí)際上，我們使用的電腦中的所有集成電路（包括CPU、內(nèi)存、芯片組芯片等）都是大規(guī)模的數(shù)字電路。離開了門電路，機(jī)器的計(jì)算、判斷統(tǒng)統(tǒng)無從談起。

什么是是門電路

4，門電路是怎么回事啊

凡是對(duì)脈沖通路上的脈沖起著開關(guān)作用的電子線路就叫做門電路，是基本的邏輯電路。門電路可以有一個(gè)或多個(gè)輸入端，但只有一個(gè)輸出端。門電路的各輸入端所加的脈沖信號(hào)只有滿足一定的條件時(shí)，“門”才打開，即才有脈沖信號(hào)輸出。從邏輯學(xué)上講，輸入端滿足一定的條件是“原因”，有信號(hào)輸出是“結(jié)果”，門電路的作用是實(shí)現(xiàn)某種因果關(guān)系——邏輯關(guān)系。所以門電路是一種邏輯電路。基本的邏輯關(guān)系有三種：與邏輯、或邏輯、非邏輯。與此相對(duì)應(yīng)，基本的門電路有與門、或門、非門。門電路可用分立元件組成，也可做成集成電路，但目前實(shí)際應(yīng)用的都是集成電路。由于單一品種的與非門可以構(gòu)成各種復(fù)雜的數(shù)字邏輯電路，而器件品種單一，給備件、調(diào)試都會(huì)帶來很大方便，所以集成電路工業(yè)產(chǎn)品中并沒有與門、或門，而供應(yīng)與非門。
門電路是可以實(shí)現(xiàn)一些邏輯運(yùn)算的電路。

5，什么叫門電路

用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路稱為門電路。常用的門電路在邏輯功能上有與門、或門、非門、與非門、或非門、與或非門、異或門等幾種。 “門”是這樣的一種電路：它規(guī)定各個(gè)輸入信號(hào)之間滿足某種邏輯關(guān)系時(shí)，才有信號(hào)輸出，通常有下列三種門電路：與門、或門、非門（反相器）。從邏輯關(guān)系看，門電路的輸入端或輸出端只有兩種狀態(tài)，無信號(hào)以“0”表示，有信號(hào)以“1”表示。也可以這樣規(guī)定：低電平為“0”，高電平為“1”，稱為正邏輯。反之，如果規(guī)定高電平為“0”，低電平為“1”稱為負(fù)邏輯，然而，高與低是相對(duì)的，所以在實(shí)際電路中要先說明采用什么邏輯，才有實(shí)際意義，例如，負(fù)與門對(duì)“1”來說，具有“與”的關(guān)系，但對(duì)“0”來說，卻有“或”的關(guān)系，即負(fù)與門也就是正或門；同理，負(fù)或門對(duì)“1”來說，具有“或”的關(guān)系，但對(duì)“0”來說具有“與”的關(guān)系，即負(fù)或門也就是正與門。

6，門電路工作原理

CMOS看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠(yuǎn)優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。 早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
第五節(jié) CMOS邏輯門電路http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后 ，所開發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢來看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠(yuǎn)優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。 早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面： （1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 （2）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。5. 低頻跨導(dǎo)gm ·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電阻RON ·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù) ·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間 ·由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似 ·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容 ·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF ·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸 出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB） ·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù) ·場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小一、CMOS反相器由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補(bǔ)MOS或CMOS電路。 下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成，其中一個(gè)為N溝道結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為P溝道結(jié)構(gòu)。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大于兩個(gè)管子的開啟電壓的絕對(duì)值之和，即VDD＞(VTN＋|VTP|) 。1.工作原理首先考慮兩種極限情況：當(dāng)vI處于邏輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD。假設(shè)在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負(fù)載管。但是，由于電路是互補(bǔ)對(duì)稱的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果。 下圖分析了當(dāng)vI=VDD時(shí)的工作情況。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負(fù)載線，它是負(fù)載管TP在 vSGP=0V時(shí)的輸出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負(fù)載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。兩條曲線的交點(diǎn)即工作點(diǎn)。顯然，這時(shí)的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過兩管的電流接近于零。這就是說，電路的功耗很?。ㄎ⑼吡考?jí)）下圖分析了另一種極限情況，此時(shí)對(duì)應(yīng)于vI＝0V。此時(shí)工作管TN在vGSN＝0的情況下運(yùn)用，其輸出特性iD－vDS幾乎與橫軸重合 ，負(fù)載曲線是負(fù)載管TP在vsGP＝VDD時(shí)的輸出特性iD－vDS。由圖可知，工作點(diǎn)決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 ?？梢娚鲜鰞煞N極限情況下的功耗都很低。 由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或+VDD，而功耗幾乎為零。2.傳輸特性下圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，當(dāng)VDD-|VTP|>vI>VTN 時(shí),TN和TP兩管同時(shí)導(dǎo)通?？紤]到電路是互補(bǔ)對(duì)稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負(fù)載。還應(yīng)注意到，器件在放大區(qū)（飽和區(qū)）呈現(xiàn)恒流特性，兩器件之一可當(dāng)作高阻值的負(fù)載。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。兩管在VI=VDD/2處轉(zhuǎn)換狀態(tài)。3.工作速度CMOS反相器在電容負(fù)載情況下，它的開通時(shí)間與關(guān)閉時(shí)間是相等的，這是因?yàn)殡娐肪哂谢パa(bǔ)對(duì)稱的性質(zhì)。下圖表示當(dāng)vI=0V時(shí) ，TN截止，TP導(dǎo)通，由VDD通過TP向負(fù)載電容CL充電的情況。由于CMOS反相器中，兩管的gm值均設(shè)計(jì)得較大，其導(dǎo)通電阻較小，充電回路的時(shí)間常數(shù)較小。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns。二、CMOS門電路1.與非門電路下圖是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個(gè)串聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)并聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為低電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導(dǎo)通，輸出為高電平；僅當(dāng)A、B全為高電平時(shí)，才會(huì)使兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管都導(dǎo)通，使兩個(gè)并聯(lián)的PMOS管都截止，輸出為低電平。因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即 n個(gè)輸入端的與非門必須有n個(gè)NMOS管串聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。2.或非門電路下圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個(gè)并聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)串聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為高電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管導(dǎo)通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當(dāng)A、B全為低電平時(shí)，兩個(gè)并聯(lián)NMOS管都截止，兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管都導(dǎo)通，輸出為高電平。 因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達(dá)式為 顯然，n個(gè)輸入端的或非門必須有n個(gè)NMOS管并聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。 比較CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯(lián)的，其輸出電壓隨管子個(gè)數(shù)的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此并聯(lián)，對(duì)輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。3.異或門電路上圖為CMOS異或門電路。它由一級(jí)或非門和一級(jí)與或非門組成?；蚍情T的輸出。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或 如在異或門的后面增加一級(jí)反相器就構(gòu)成異或非門，由于具有的功能，因而稱為同或門。異成門和同或門的邏輯符號(hào)如下圖所示。三、BiCMOS門電路雙極型CMOS或BiCMOS的特點(diǎn)在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視。1.BiCMOS反相器上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號(hào)M表示BJT用T表示。T1和T2構(gòu)成推拉式輸出級(jí)。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級(jí)與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號(hào)vI同時(shí)作用于MP和MN的柵極。當(dāng)vI為高電壓時(shí)MN導(dǎo)通而MP截止；而當(dāng)vI為低電壓時(shí),情況則相反，Mp導(dǎo)通，MN截止。當(dāng)輸出端接有同類BiCMOS門電路時(shí)，輸出級(jí)能提供足夠大的電流為電容性負(fù)載充電。同理，已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過T2放電。 上述電路中T1和T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快電路的開關(guān)速度。當(dāng)vI為高電壓時(shí)M1導(dǎo)通，T1基區(qū)的存儲(chǔ)電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級(jí)中T1類似。同理 ，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過M2而消散?？梢?，門電路的開關(guān)速度可得到改善。2.BiCMOS門電路根據(jù)前述的CMOS門電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)或非門和與非門。如果要實(shí)現(xiàn)或非邏輯關(guān)系，輸入信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯(lián)。正如下圖所示的2輸入端或非門。當(dāng)A和B均為低電平時(shí)，則兩個(gè)MOSFET MPA和MPB均導(dǎo)通，T1導(dǎo)通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平。與此同時(shí)，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵(lì)，從而為T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷提供一條釋放通路。 另一方面，當(dāng)兩輸入端A和B中之一為高電平時(shí) ，則MpA和MpB的通路被斷開，并且MNA或MNB導(dǎo)通，將使輸出端為低電平。同時(shí)，M1A或M1B為T1的基極存儲(chǔ)電荷提供一條釋放道路。因此 ，只要有一個(gè)輸入端接高電平，輸出即為低電平。四、CMOS傳輸門MOSFET的輸出特性在原點(diǎn)附近呈線性對(duì)稱關(guān)系，因而它們常用作模擬開關(guān)。模擬開關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。TP和TN是結(jié)構(gòu)對(duì)稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏 ，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓 。兩管的柵極由互補(bǔ)的信號(hào)電壓（+5V和-5V）來控制，分別用C和表示。 傳輸門的工作情況如下：當(dāng)C端接低電壓-5V時(shí)TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN均不導(dǎo)通。同時(shí),TP的柵壓為+5V，TP亦不導(dǎo)通。可見，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開關(guān)是斷開的。 為使開關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。此時(shí)TN的柵壓為+5V ，vI在-5V到+3V的范圍內(nèi)，TN導(dǎo)通。同時(shí)TP的棚壓為-5V ，vI在-3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通。 由上分析可知，當(dāng)vI＜-3V時(shí)，僅有TN導(dǎo)通，而當(dāng)vI＞+3V時(shí)，僅有TP導(dǎo)通當(dāng)vI在-3V到+3V的范圍內(nèi)，TN和TP兩管均導(dǎo)通。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說，當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。這是CMOS傳輸出門的優(yōu)點(diǎn)。 在正常工作時(shí)，模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級(jí)的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)。 CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號(hào)的開關(guān)之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。
形象的解釋：門，干嘛的？開、關(guān)。那么門電路要完成的就是開關(guān)動(dòng)作，舉個(gè)例子:你發(fā)個(gè)信號(hào)給某個(gè)電路，這個(gè)電路就讓某個(gè)燈開了，再發(fā)個(gè)信號(hào)，就關(guān)了。電路：基本電路可以用三極管來解釋，三極管工作有三個(gè)狀態(tài)，放大狀態(tài)（信號(hào)放大）、飽和狀態(tài)（三極管被導(dǎo)通，相當(dāng)于開門）、截止?fàn)顟B(tài)（三極管被截止，相當(dāng)于關(guān)門）。如果給三極管基極一個(gè)足夠的電流(假設(shè)電平1)，那么npn三極管將會(huì)飽和導(dǎo)通，集電極和發(fā)射極近視短路，呢么就完成了開的動(dòng)作（開關(guān)作用）(假設(shè)電平0），如果將npn三極管的基極接地，那么三極管就截止，集電極和發(fā)射極就近視開路，呢么就完成了關(guān)的動(dòng)作-------這是門電路的最基本的電路---接著，讓1代表開，0代表關(guān)，好吧，你要知道非門，與門，或門。。。。的定義以及二進(jìn)制的換算才行：與門是相反的意思（上面三極管輸入1，輸出0）。。這是邏輯門電路，上面說的是單純的門電路。----邏輯門電路就是你輸入一個(gè)信號(hào)（原因），電路根據(jù)設(shè)定進(jìn)行輸出（結(jié)果）
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