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Qlogic,Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢(shì)

來(lái)源:整理 時(shí)間:2024-11-07 21:58:37 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢(shì)

Emulex是融合網(wǎng)絡(luò)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于為數(shù)據(jù)中心內(nèi)的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)設(shè)備提供企業(yè)級(jí)連接。
可靠的、可擴(kuò)展的高性能的存儲(chǔ)和服務(wù)器方案。

Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢(shì)

2,QLogic ISP2432到底是什么

ISPXXXX是 芯片型號(hào)Qlogic一般是網(wǎng)卡適配器 沒(méi)有自帶驅(qū)動(dòng)的話去Qlogic的官網(wǎng)去找前提是你在設(shè)備管理器是找到這個(gè)設(shè)備的型號(hào)
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QLogic ISP2432到底是什么

3,服務(wù)器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM

上面的回答不完全正確,是2塊IBM X系列服務(wù)器使用的QLogic 8Gb 單端口PCIe 光纖通道卡,也有雙端口的,其他速率的,像4Gb等
這個(gè)問(wèn)題我也不清楚,希望你能找到答案.

服務(wù)器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM

4,QLogic和EMULEX HBA卡有什么區(qū)別

品牌不同。具體不同看型號(hào)。差別不會(huì)超出單?;蚨嗄?;單口或雙口;2G、4G、8G速率;pci、pci-X、pci-E 4x、pci-E 8X、pci-E 16X這些。
emulex是融合網(wǎng)絡(luò)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于為數(shù)據(jù)中心內(nèi)的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)設(shè)備提供企業(yè)級(jí)連接。

5,解讀分析博科被收購(gòu) QLogic該怎么辦

博科的客戶惠普和甲骨文也被提到說(shuō)是潛在的買家。博科之所以被其客戶覬覦,是因?yàn)槠涫俏ㄒ坏囊患覔碛幸蕴W(wǎng)和光纖通道技術(shù),其產(chǎn)品同時(shí)涵蓋適配器和交換機(jī)的網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商。而惠普和甲骨文最終所瞄向的則是云計(jì)算。他們知道,他們需要網(wǎng)絡(luò)技術(shù),在云上提供計(jì)算、存儲(chǔ)以及網(wǎng)絡(luò)帶寬,以備日后與思科競(jìng)爭(zhēng)?;萜蘸图坠俏囊仓?,他們需要這種技術(shù)以在短期內(nèi)保護(hù)自己的業(yè)務(wù),防備思科服務(wù)器架構(gòu)的競(jìng)爭(zhēng)。我認(rèn)為,惠普最有可能購(gòu)買博科,這是因?yàn)槎咧g是如此密切地掛鉤。惠普是博科最大的客戶,博科的產(chǎn)品已經(jīng)緊密地集成到HP存儲(chǔ)系統(tǒng)和服務(wù)器等產(chǎn)品中。博科公司的產(chǎn)品組合將幫助惠普在網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器市場(chǎng)上獲得更好的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),而且在未來(lái)的云計(jì)算市場(chǎng)也會(huì)收獲更多優(yōu)勢(shì)。如果惠普收購(gòu)博科,預(yù)計(jì)行業(yè)內(nèi)將會(huì)出現(xiàn)波動(dòng)。其他主要服務(wù)器廠商將會(huì)提出收購(gòu)一系列類似的以太網(wǎng)和光纖通道技術(shù)以對(duì)抗思科和惠普。在這種情況下,QLogic公司將會(huì)處于或幾乎處于收購(gòu)目標(biāo)列表的前列,QLogic股東價(jià)值將會(huì)激增。如果其擁有以太網(wǎng)交換機(jī)的技術(shù)和產(chǎn)品,還會(huì)進(jìn)而完善其投資組合。這就是為什么QLogic公司要收購(gòu)Extreme,其是一家約2.5億美元市值的以太網(wǎng)交換機(jī)公司。這次收購(gòu)將為QLogic帶來(lái)一家存在于新興市場(chǎng)的10Gb以太網(wǎng)交換機(jī)廠商,以補(bǔ)充他們的以太網(wǎng)適配器和光纖通道適配器以及交換機(jī)的廣泛組合。另外,QLogic是少數(shù)幾家具有端到端統(tǒng)一網(wǎng)絡(luò)專業(yè)知識(shí)的公司之一,IBM,戴爾,甲骨文可以利用此種優(yōu)勢(shì)同思科和惠普競(jìng)爭(zhēng)。QLogic首席執(zhí)行官H.K. Desai和Extreme總裁Mark Canepa從Canepa在Sun存儲(chǔ)部門擔(dān)任總經(jīng)理時(shí)開始一直都是老朋友。如果他們尚未談到合并的事情,總會(huì)有一天有人提到這一話題。思科和博科已經(jīng)將網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)擴(kuò)展到適配器和交換機(jī)的高度集成。隨著以太網(wǎng)交換機(jī)技術(shù)和以太網(wǎng)人才的擴(kuò)充,QLogic公司可能成為一個(gè)較大規(guī)模且現(xiàn)金充裕的供應(yīng)商。
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6,晶體管是什么意思

晶體管”,英文是transistor;“邏輯”,英文是logic;輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路,它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等)表示。 晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié),外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用,應(yīng)用十分廣泛。 一、晶體管的種類 晶體管有多種分類方法。 (一)按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 (二)按結(jié)構(gòu)及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 (三)按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。 (四)按工作頻率分類 晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。 (五)按封裝結(jié)構(gòu)分類 晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝(簡(jiǎn)稱金封)晶體管、塑料封裝(簡(jiǎn)稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡(jiǎn)稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 (六)按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。 二、晶體管的主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 (一)電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù),用來(lái)表示晶體管放大能力。 根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同,電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。 1.直流電流放大系數(shù) 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)無(wú)變化信號(hào)輸入時(shí),晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值,一般用hFE或β表示。 2.交流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù)也稱動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù),是指在交流狀態(tài)下,晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切,兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近,在高頻時(shí)有一些差異。 (二)耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。 耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時(shí),其實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM值,否則會(huì)造成晶體管因過(guò)載而損壞。 通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。 (三)頻率特性 晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過(guò)了其工作頻率范圍,則會(huì)出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。 晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。 1.特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。 通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管,將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管,將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。 2.最高振蕩頻率fM 最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。 通常,高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα,而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。 (四)集電極最大電流ICM 集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過(guò)的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過(guò)ICM時(shí),晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。 (五)最大反向電壓 最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1.集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用VCEO或BVCEO表示。 2.集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí),其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用VCBO或BVCBO表示。 3.發(fā)射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí),其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓,用VEBO或BVEBO表示。 (六)反向電流 晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1.集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流,是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感,該值越小,說(shuō)明晶體管的溫度特性越好。 2.集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱穿透電流。此電流值越小,說(shuō)明晶體管的性能越好。
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