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1，Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢
2，QLogic ISP2432到底是什么
3，服務(wù)器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM
4，QLogic和EMULEX HBA卡有什么區(qū)別
5，解讀分析博科被收購 QLogic該怎么辦
6，晶體管是什么意思

1，Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢

Emulex是融合網(wǎng)絡(luò)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，致力于為數(shù)據(jù)中心內(nèi)的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和存儲設(shè)備提供企業(yè)級連接。

可靠的、可擴展的高性能的存儲和服務(wù)器方案。

Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢

2，QLogic ISP2432到底是什么

ISPXXXX是芯片型號Qlogic一般是網(wǎng)卡適配器沒有自帶驅(qū)動的話去Qlogic的官網(wǎng)去找前提是你在設(shè)備管理器是找到這個設(shè)備的型號

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QLogic ISP2432到底是什么

3，服務(wù)器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM

上面的回答不完全正確，是2塊IBM X系列服務(wù)器使用的QLogic 8Gb 單端口PCIe 光纖通道卡，也有雙端口的，其他速率的，像4Gb等

這個問題我也不清楚，希望你能找到答案.

服務(wù)器配置要求2QLogic 8Gb FC SinglePort PCIe HBA for IBM

4，QLogic和EMULEX HBA卡有什么區(qū)別

品牌不同。具體不同看型號。差別不會超出單?；蚨嗄?；單口或雙口；2G、4G、8G速率；pci、pci-X、pci-E 4x、pci-E 8X、pci-E 16X這些。

emulex是融合網(wǎng)絡(luò)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，致力于為數(shù)據(jù)中心內(nèi)的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和存儲設(shè)備提供企業(yè)級連接。

5，解讀分析博科被收購 QLogic該怎么辦

博科的客戶惠普和甲骨文也被提到說是潛在的買家。博科之所以被其客戶覬覦，是因為其是唯一的一家擁有以太網(wǎng)和光纖通道技術(shù)，其產(chǎn)品同時涵蓋適配器和交換機的網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商。而惠普和甲骨文最終所瞄向的則是云計算。他們知道，他們需要網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，在云上提供計算、存儲以及網(wǎng)絡(luò)帶寬，以備日后與思科競爭?；萜蘸图坠俏囊仓溃麄冃枰@種技術(shù)以在短期內(nèi)保護自己的業(yè)務(wù)，防備思科服務(wù)器架構(gòu)的競爭。我認為，惠普最有可能購買博科，這是因為二者之間是如此密切地掛鉤?；萜帐遣┛谱畲蟮目蛻?，博科的產(chǎn)品已經(jīng)緊密地集成到HP存儲系統(tǒng)和服務(wù)器等產(chǎn)品中。博科公司的產(chǎn)品組合將幫助惠普在網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器市場上獲得更好的競爭態(tài)勢，而且在未來的云計算市場也會收獲更多優(yōu)勢。如果惠普收購博科，預(yù)計行業(yè)內(nèi)將會出現(xiàn)波動。其他主要服務(wù)器廠商將會提出收購一系列類似的以太網(wǎng)和光纖通道技術(shù)以對抗思科和惠普。在這種情況下，QLogic公司將會處于或幾乎處于收購目標列表的前列，QLogic股東價值將會激增。如果其擁有以太網(wǎng)交換機的技術(shù)和產(chǎn)品，還會進而完善其投資組合。這就是為什么QLogic公司要收購Extreme，其是一家約2.5億美元市值的以太網(wǎng)交換機公司。這次收購將為QLogic帶來一家存在于新興市場的10Gb以太網(wǎng)交換機廠商，以補充他們的以太網(wǎng)適配器和光纖通道適配器以及交換機的廣泛組合。另外，QLogic是少數(shù)幾家具有端到端統(tǒng)一網(wǎng)絡(luò)專業(yè)知識的公司之一，IBM，戴爾，甲骨文可以利用此種優(yōu)勢同思科和惠普競爭。QLogic首席執(zhí)行官H.K. Desai和Extreme總裁Mark Canepa從Canepa在Sun存儲部門擔任總經(jīng)理時開始一直都是老朋友。如果他們尚未談到合并的事情，總會有一天有人提到這一話題。思科和博科已經(jīng)將網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)擴展到適配器和交換機的高度集成。隨著以太網(wǎng)交換機技術(shù)和以太網(wǎng)人才的擴充，QLogic公司可能成為一個較大規(guī)模且現(xiàn)金充裕的供應(yīng)商。

期待看到有用的回答！

6，晶體管是什么意思

晶體管”，英文是transistor；“邏輯”，英文是logic；輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。一、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。（一）按半導體材料和極性分類按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。（二）按結(jié)構(gòu)及制造工藝分類晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。（三）按電流容量分類晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。（四）按工作頻率分類晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。（五）按封裝結(jié)構(gòu)分類晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。（六）按功能和用途分類晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。二、晶體管的主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。 1．直流電流放大系數(shù) 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù)也稱動態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù)，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個參數(shù)值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。（二）耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。（三）頻率特性晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。 1．特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。 2．最高振蕩頻率fM 最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應(yīng)的頻率。通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。（四）集電極最大電流ICM 集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。（五）最大反向電壓最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當晶體管發(fā)射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發(fā)射極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。（六）反向電流晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1．集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。 2．集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

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Qlogic，Emulex HBA卡相比較 Qlogic有哪些優(yōu)勢

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2，QLogic ISP2432到底是什么

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