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1，常見的晶體缺陷有以下幾種
2，晶體缺陷有哪些類型它們的基本特征如何
3，晶體缺陷
4，下列屬于晶體缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位錯 E
5，為什么晶體會有缺陷
6，晶體在結構上有哪些缺陷

1，常見的晶體缺陷有以下幾種

點缺陷：空位、間隙原子等線缺陷：位錯，即刃型位錯和螺型位錯面缺陷：層錯、孿晶體缺陷：包裹體等···

常見的晶體缺陷有以下幾種

2，晶體缺陷有哪些類型它們的基本特征如何

在實際金屬中存在的缺陷有點缺陷（空位和間隙原子）、線缺陷（位錯）和面缺陷（晶界）3種類型。一般情況下，晶體缺陷的存在可以提高金屬的強度，但是晶體缺陷的存在常常降低金屬的抗腐蝕性能

晶體缺陷有哪些類型它們的基本特征如何

3，晶體缺陷

晶體缺陷[1]：在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結構的區(qū)域。這些與完整周期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。　　晶體中存在的缺陷種類很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍?？煞譃辄c缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型。　　點缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過幾個原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格結點。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點缺陷的出現(xiàn)，使周圍的原子發(fā)生靠攏或撐開，造成晶格畸變。使材料的強度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點缺陷越多,它的強度、硬度越高。　　線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類缺陷主要是位錯。什么是位錯呢？　　位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯排現(xiàn)象。　　面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。　　晶界：晶粒之間的邊界稱為晶界。　　亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。　　按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質缺陷。　　本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結構形成的缺陷，是由于晶格結點上的粒子的熱運動產(chǎn)生的，也稱熱缺陷。如：　　空位缺陷：晶格結點缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。　　間充缺陷：在晶格結點的空隙中，間充有原子（或離子）。　　錯位缺陷：在晶格結點上A類原子占據(jù)了B類原子所應占據(jù)的位置。　　非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。　　雜質缺陷——雜質粒子進入晶體形成的缺陷，如雜質粒子和間隙粒子缺陷。　　晶體缺陷一般對晶體的化學性質影響較小，而對晶體的一些物理性質如導電性、磁性、光學性能及機械性能影響很大。　　工業(yè)上使用的金屬材料絕大多數(shù)都是多晶體。　　由于晶格空位和間隙原子的出現(xiàn)，原子間的作用力平衡被破壞，使其周圍的其它原子發(fā)生移動，偏離晶體的結點位置，這種現(xiàn)象稱為晶格畸變。

晶體缺陷

4，下列屬于晶體缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位錯 E

晶體結構中質點排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現(xiàn)為晶體結構中局部范圍內(nèi)，質點的排布偏離周期性重復的空間格子規(guī)律而出現(xiàn)錯亂的現(xiàn)象。根據(jù)錯亂排列的展布范圍,分為下列3種主要類型。①點缺陷，只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷。它包括:晶格位置上缺失正常應有的質點而造成的空位;由于額外的質點充填晶格空隙而產(chǎn)生的填隙；由雜質成分的質點替代了晶格中固有成分質點的位置而引起的替位等。在類質同象混晶中替位是一種普遍存在的晶格缺陷。②線缺陷—位錯位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是局部晶格沿一定的原子面發(fā)生晶格的滑移的產(chǎn)物。滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內(nèi)部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，即位錯。這個分界外，即已滑移區(qū)和未滑移去的交線，稱為位錯線。位錯有兩種基本類型：位錯線與滑移方向垂直，稱刃位錯，也稱棱位錯；位錯線與滑移方向平行，則稱螺旋位錯。刃位錯恰似在滑移面一側的晶格中額外多了半個插入的原子面，后者在位錯線處終止。螺旋位錯在相對滑移的兩部分晶格間產(chǎn)生一個臺階，但此臺階到位錯線處即告終止，整個面網(wǎng)并未完全錯斷，致使原來相互平行的一組面網(wǎng)連成了恰似由單個面網(wǎng)所構成的螺旋面。③面缺陷，是沿著晶格內(nèi)或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距范圍內(nèi)出現(xiàn)的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內(nèi)和晶體間的各種界面，如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。其中的堆垛層錯是指沿晶格內(nèi)某一平面，質點發(fā)生錯誤堆垛的現(xiàn)象。如一系列平行的原子面,原來按ABCABCABC……的順序成周期性重復地逐層堆垛，如果在某一層上違反了原來的順序，如表現(xiàn)為ABCABCAB│ABCABC……,則在劃線處就出現(xiàn)一個堆垛層錯，該處的平面稱為層錯面。堆垛層錯也可看成晶格沿層錯面發(fā)生了相對滑移的結果。小角晶界是晶粒內(nèi)兩部分晶格間不嚴格平行，以微小角度的偏差相互拼接而形成的界面。它可以看成是由一系列位錯平行排列而導致的結果。在具有所謂鑲嵌構造（圖4）的晶格中，各鑲嵌塊之間的界面就是一些小角晶界。晶體缺陷晶體缺陷晶體缺陷晶體缺陷也有人把晶體中的包裹體等歸為晶體缺陷而再分出一類體缺陷。④體缺陷：體缺陷主要是沉淀相、晶粒內(nèi)的氣孔和第二相夾雜物等。

晶界，空位，位錯。

晶界,空位,位錯。根據(jù)百度百科。

5，為什么晶體會有缺陷

結晶的時候地質邊界條件發(fā)生改變（如地殼運動，如時間、溫度、壓力、巖漿中的揮發(fā)分等）或者地質邊界條件的差異，是導致晶體結晶缺陷的主要原因。

晶體缺陷[1]：在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結構的區(qū)域。這些與完整周期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。　　晶體中存在的缺陷種類很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍?？煞譃辄c缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型。　　點缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過幾個原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格結點。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點缺陷的出現(xiàn)，使周圍的原子發(fā)生靠攏或撐開，造成晶格畸變。使材料的強度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點缺陷越多,它的強度、硬度越高。　　線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類缺陷主要是位錯。什么是位錯呢？　　位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯排現(xiàn)象。　　面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。　　晶界：晶粒之間的邊界稱為晶界。　　亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。　　按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質缺陷。　　本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結構形成的缺陷，是由于晶格結點上的粒子的熱運動產(chǎn)生的，也稱熱缺陷。如：　　空位缺陷：晶格結點缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。　　間充缺陷：在晶格結點的空隙中，間充有原子（或離子）。　　錯位缺陷：在晶格結點上a類原子占據(jù)了b類原子所應占據(jù)的位置。　　非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。　　雜質缺陷——雜質粒子進入晶體形成的缺陷，如雜質粒子和間隙粒子缺陷。　　晶體缺陷一般對晶體的化學性質影響較小，而對晶體的一些物理性質如導電性、磁性、光學性能及機械性能影響很大。　　工業(yè)上使用的金屬材料絕大多數(shù)都是多晶體。　　由于晶格空位和間隙原子的出現(xiàn)，原子間的作用力平衡被破壞，使其周圍的其它原子發(fā)生移動，偏離晶體的結點位置，這種現(xiàn)象稱為晶格畸變。

結晶的時候氣泡的干擾，雜質的干擾，原子出現(xiàn)滑動，晶體生長的速度太快或者太慢都有關系。

6，晶體在結構上有哪些缺陷

①點缺陷，只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷。②線缺陷—位錯。位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是局部晶格沿一定的原子面發(fā)生晶格的滑移的產(chǎn)物。③面缺陷，是沿著晶格內(nèi)或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距范圍內(nèi)出現(xiàn)的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內(nèi)和晶體間的各種界面，如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。④體缺陷：體缺陷主要是沉淀相、晶粒內(nèi)的氣孔和第二相夾雜物等。滿意請采納，謝謝。

首先晶體在生長過程中，總是不可避免地受到外界環(huán)境中各種復雜因素不同程度影響，不可能按理想發(fā)育，即質點排列不嚴格服從空間格子規(guī)律，可能存在空位、間隙離子、位錯、鑲嵌結構等缺陷，外形可能不規(guī)則。另外，晶體形成后，還會受到外界各種因素作用如溫度、溶解、擠壓、扭曲等等。　　晶體缺陷：各種偏離晶體結構中質點周期重復排列的因素，嚴格說，造成晶體點陣結構周期勢場畸變的一切因素。　　如晶體中進入了一些雜質。這些雜質也會占據(jù)一定的位置，這樣破壞了原質點排列的周期性，在二十世紀中期，發(fā)現(xiàn)晶體中缺陷的存在，它嚴重影響晶體性質，有些是決定性的，如半導體導電性質，幾乎完全是由外來雜質原子和缺陷存在決定的，許多離子晶體的顏色、發(fā)光等。另外，固體的強度，陶瓷、耐火材料的燒結和固相反應等等均與缺陷有關，晶體缺陷是近三、四年國內(nèi)外科學研究十分注意的一個內(nèi)容。　　根據(jù)缺陷的作用范圍把真實晶體缺陷分四類：　　點缺陷:在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個原子。　　線缺陷;在二維尺寸小，在另一維尺寸大，可被電鏡觀察到。　　面缺陷：在一維尺寸小，在另二維尺寸大，可被光學顯微鏡觀察到。　　體缺陷：在三維尺寸較大，如鑲嵌塊，沉淀相，空洞，氣泡等。　　按形成的原因不同分三類：　　1 熱缺陷（晶格位置缺陷）　　在晶體點陣的正常格點位出現(xiàn)空位，不該有質點的位置出現(xiàn)了質點（間隙質點）。　　2 組成缺陷　　外來質點（雜質）取代正常質點位置或進入正常結點的間隙位置。　　3 電荷缺陷　　晶體中某些質點個別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開原來質點，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。

晶體是有明確衍射圖案的固體，其原子或分子在空間按一定規(guī)律周期重復地排列。晶體中原子或分子的排列具有三維空間的周期性，隔一定的距離重復出現(xiàn)，這種周期性規(guī)律是晶體結構中最基本的特征。晶體和非晶體的區(qū)別1、結構區(qū)別晶體都具有規(guī)則的幾何形狀，而非晶體沒有一定的幾何外形。2、各向異性晶體的各種物理性質，在各個方向上都是不同的，即各向異性；非晶體則顯各向同性。3、熔點晶體必須到達熔點時才能熔解，而非晶體在熔解的過程中，沒有明確的熔點，隨著溫度升高，物質首先變軟，然后逐漸由稠變稀。4、對x射線的衍射晶體可對x射線發(fā)生，非晶體不可對x射線發(fā)生衍射，當單一波長的x-射線通過晶體時，會在記錄儀上看到分立的斑點或明銳譜線。而在同一條件下攝取的非晶體圖譜中卻看不到分立的斑點或明銳譜線。

晶體的缺陷種類很多，常見的有：1、空位；2、填隙；3、晶格形變（各種位錯）

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晶格缺陷，常見的晶體缺陷有以下幾種

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1，常見的晶體缺陷有以下幾種

2，晶體缺陷有哪些類型它們的基本特征如何

3，晶體缺陷

4，下列屬于晶體缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位錯 E

5，為什么晶體會有缺陷

6，晶體在結構上有哪些缺陷

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晶格缺陷，常見的晶體缺陷有以下幾種

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1，常見的晶體缺陷有以下幾種

2，晶體缺陷有哪些類型它們的基本特征如何

3，晶體缺陷

4，下列屬于晶體缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位錯 E

5，為什么晶體會有缺陷

6，晶體在結構上有哪些缺陷

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