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極紫外，還有比極紫外光更好的光源嗎

來源：整理 時(shí)間：2023-09-02 20:08:31 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，還有比極紫外光更好的光源嗎

那就是激光了！高速，不損失，
沒有

還有比極紫外光更好的光源嗎

2，euv vuv 是什么光譜

EUV指的是極紫外，波長在10-14nm。VUV指的是真空紫外
不明白啊 = =！

euv vuv 是什么光譜

3，EUV 是什么含意哪位能給詳解下

極紫外輻射 Extreme Ultraviolet
表示了自己對(duì)對(duì)方的深切情感。。不管對(duì)方心里怎樣想，都會(huì)愛著對(duì)方。。

EUV 是什么含意哪位能給詳解下

4，極紫外光刻為什么能提高分辨率

波長短EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。
光學(xué)顯微鏡有多種分類方法：智泰按使用目鏡的數(shù)目可分為三目，雙目和單目顯微鏡；按圖像是否有立體感可分為立體視覺和非立體視覺顯微鏡；按觀察對(duì)像可分為生物和金相顯微鏡等；按光學(xué)原理可分為偏光，相襯和微分干涉對(duì)比顯微鏡等；按光源類型可分為普通光、熒光、紅外光和激光顯微鏡等；按接收器類型可分為目視、攝影和電視顯微鏡等。常用的顯微鏡有雙目連續(xù)變倍體視顯微鏡、金相顯微鏡、偏光顯微鏡、紫外熒光顯微鏡等。

5，高次諧波就是極紫外線么

不是。說白了，諧波指的是產(chǎn)生所需波的同時(shí)，不可避免地產(chǎn)生不同頻率的干擾波，也就是噪聲。諧波是高次還是低次，是相對(duì)所需的波來說的。具體做法是，將波函數(shù)按傅里葉級(jí)數(shù)展開，比基波次數(shù)高的冪級(jí)數(shù)就稱為高次諧波。數(shù)學(xué)上，一個(gè)簡單的例子，f(x)=∑cosx+∑(cosx)^2中，∑(cosx)^2就是基波∑cosx的高次諧波。物理上，比如現(xiàn)在要從白光中提取綠光，那么其中的紅光就是低次諧波，紫光就是高次諧波。 不知道你的諧波是相對(duì)什么來說的，如果是無線電波（它的頻率比紅外線還低），那么頻率高于可見光的紫外線就是高次諧波了。
高次諧波的危害與一般無線電電磁干擾一樣，變頻器產(chǎn)生的高次諧波通過傳導(dǎo)、電磁輻射和感應(yīng)耦合三種方式對(duì)電源及鄰近用電設(shè)備產(chǎn)生諧波污染。
樓主，個(gè)人認(rèn)為。無線電和光線雖然都符合麥克斯韋電磁場理論，但是光波實(shí)際上給無線電還是有區(qū)別的。根據(jù)目前人類所能掌握的無線電收發(fā)技術(shù)，是沒有辦法產(chǎn)生頻率很高的無線電的。高次諧波當(dāng)然也是由人類設(shè)備產(chǎn)生的。其頻率跟光波不在一個(gè)數(shù)量級(jí)上。綜上，兩者關(guān)系：頻率不同。。。

6，傳統(tǒng)光學(xué)的曝光技術(shù)有哪些

傳統(tǒng)光學(xué)曝光是指以紫外光(波長為012～014μm)或者遠(yuǎn)紫外光來實(shí)現(xiàn)的曝光工藝。傳統(tǒng)光學(xué)曝光有兩種基本方式:陰影式曝光(shadowprinting)和投影式曝光(projectionprinting)。陰影式曝光技術(shù)中,掩膜直 接與晶片接觸實(shí)現(xiàn)曝光的,叫接觸式曝光;掩膜與晶片保持一間隙實(shí)現(xiàn)曝光的,叫接近式曝光。接觸式曝光技術(shù)比較簡單,能獲得較高分辨率(約1μm),但掩膜 與晶片間容易夾入灰塵顆粒,造成掩膜永久性損傷,降低成品率。接近式曝光不會(huì)帶來灰塵顆粒損傷,但掩膜和晶片間的間隙(一般為10～50μm)能導(dǎo)致光衍 射誤差,降低分辨率。 投影式曝光是利用光學(xué)投影成像的原理,通過投影物鏡將掩膜版大規(guī)模集成電路等的圖形的像(1∶1像或縮小像),投影到涂有感光膠的晶片上,完成圖形轉(zhuǎn)移。 掩膜圖形晶片離掩膜有幾厘米遠(yuǎn),掩膜圖形被逐塊聚焦成像投影到晶片上,并通過掃描或分步重復(fù)完成整個(gè)晶片表面的曝光。投影式曝光技術(shù)能夠得到接觸式曝光的 分辨力,而且又能避免接觸曝光易損傷和玷污掩膜版的弊端。目前光學(xué)光刻技術(shù)雖然是主流技術(shù),但光學(xué)曝光技術(shù)還有一定的局限性,首先是光學(xué)衍射效應(yīng)的限制; 光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑和光學(xué)畸變也導(dǎo)致光學(xué)曝光的局限;另外光源和抗蝕劑也是光學(xué)光刻無法逾越的障礙。 光學(xué)曝光在微/納加工技術(shù)中的主要應(yīng)用有: 1、用于大 規(guī)模 集成電路芯片的制作。目前曝光已經(jīng)達(dá)到線寬為0107μm,一個(gè)晶體管面積僅僅為百萬分之一平方毫米,是當(dāng)今超大規(guī)模集成電路制造生產(chǎn)線上應(yīng)用最廣、 技術(shù)進(jìn)步最快、生命力最強(qiáng)的光刻技術(shù)。 2、用于大批量生產(chǎn)微機(jī)械或微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElec2troMechanicalSystem,MEMS)器件,尤其是信息MEMS 和生物MEMS。美國采用光學(xué)投影光刻工藝已在硅片上加工出納米級(jí)微型靜電馬達(dá)、微流量控制泵、可注 入人的血管的醫(yī)用微型機(jī)器人和實(shí)驗(yàn)、演示用的微型機(jī)器人。 3、用于微光機(jī)電系統(tǒng) (MicroOpticElectroMechanicalSystem,MOEMS)制作,即在芯片上同時(shí)集成微光學(xué)、微機(jī)械和微電子.
你說的應(yīng)該是光刻機(jī)里曝光吧，光刻機(jī)里的投影透鏡系統(tǒng)由數(shù)十片光學(xué)透鏡組成，光學(xué)像差已經(jīng)基本消除，達(dá)到衍射受限系統(tǒng)的要求，拿最高端asml光刻機(jī)來說，它的鏡頭一直都是卡爾蔡司提供的，高端的機(jī)器一般用到20多片的鏡頭來達(dá)到要求。但是受限于衍射理論，在不存在像差的情況下，光刻的分辨率（也就是芯片電路布線的寬度，比如現(xiàn)在的16nm，10nm制程）與曝光波長成線性正比，也就是波長越小成像的斑點(diǎn)越小，分辨率越高，學(xué)過艾里斑的應(yīng)該都知道。傳統(tǒng)的曝光已經(jīng)是比較先進(jìn)的193納米的arf準(zhǔn)分子激光，為了應(yīng)對(duì)未來的升級(jí)，艾斯邁爾（asml，荷蘭）研發(fā)了商用級(jí)別的極紫外euv系列光刻機(jī)，是利用二氧化碳激光激發(fā)錫滴產(chǎn)生的13.5nm的軟x射線，單價(jià)達(dá)數(shù)千萬美元，那么理論上比193nm的光源，分辨率將提升了10倍以上，但是由于適用于x射線波段的透鏡材料比較難找，所以這也是個(gè)關(guān)鍵問題，實(shí)際得提升并沒有這么多。不過三家芯片巨頭的投資并沒有白費(fèi)，預(yù)計(jì)2017年左右可以正式投入產(chǎn)線，極紫外euv掃描投影式光刻機(jī)代表了當(dāng)今世界最高精尖的生產(chǎn)工藝，幾乎所有高端芯片將來都會(huì)由它萊生產(chǎn)！
文章TAG：紫外還有紫外光更好極紫外

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