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igct，IGCT的開(kāi)關(guān)頻率可以超過(guò)8KHZ嗎

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-05 13:27:39 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1，IGCT的開(kāi)關(guān)頻率可以超過(guò)8KHZ嗎

ICGT有與IGBT相同的開(kāi)關(guān)性能，即它是GTO和IGBT相互取長(zhǎng)補(bǔ)短的結(jié)果，是一種較理想的兆瓦級(jí)、中壓開(kāi)關(guān)器件。IGCT的關(guān)斷能力是十萬(wàn)赫茲級(jí)別甚至百萬(wàn)赫茲級(jí)別，8KHZ沒(méi)有問(wèn)題哈。

IGCT的開(kāi)關(guān)頻率可以超過(guò)8KHZ嗎

2，牽引級(jí)IGBT 是iGCT嗎

IGBT和IGCT是兩個(gè)不同的產(chǎn)品；牽引級(jí)IGBT是指大電壓（3300V以上）大電流封裝的IGBT模塊,而且IGBT芯片出廠要求和可靠性試驗(yàn)要求都比普通IGBT芯片要求高。
igcb 更多用于超高功率（兆瓦級(jí)）的電氣設(shè)施中。igct具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)igbt綜合了gtr、mosfet兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低，載流密度大等特點(diǎn)

牽引級(jí)IGBT 是iGCT嗎

3，IGBTIGCT為什么很少用來(lái)整流

IGBT/IGCT 太貴了用來(lái)整流浪費(fèi)啊整流一般用二極管或晶閘管
你是說(shuō)用在整流器當(dāng)中？因?yàn)镮GBT適合在低頻場(chǎng)合應(yīng)用，而整流器一般工作頻率都比較高（上百k),所以在逆變器這種低頻大功率場(chǎng)合應(yīng)用比較多，當(dāng)然，現(xiàn)在有的廠家已經(jīng)有了可以工作到幾十k到一百k的IGBT,可以應(yīng)用到整流器中。
igcb 更多用于超高功率（兆瓦級(jí)）的電氣設(shè)施中。igct具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)igbt綜合了gtr、mosfet兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低，載流密度大等特點(diǎn)

IGBTIGCT為什么很少用來(lái)整流

4，集成門(mén)極換流晶閘管IGCT是什么意思

集成門(mén)極換流晶閘管IGCT，有的廠家也稱(chēng)為GCT（Gate-Commutated Thyristor）,即門(mén)極換流晶閘管，是20世紀(jì)90年代后期出現(xiàn)的新型電力電子器件。IGCT將IGBT與GTO的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來(lái)，其容量與GTO相當(dāng)，但開(kāi)關(guān)速度比GTO快10倍，而且可以省去GTO應(yīng)用是龐大而復(fù)雜的緩沖電路，只不過(guò)其所需的驅(qū)動(dòng)功率仍然很大。目前，IGCT正在與IGBT以及其他新型器件激烈競(jìng)爭(zhēng)，試圖最終取代GTO在大功率場(chǎng)合的位置。
創(chuàng)源立晶公司挺好的，原裝進(jìn)口品質(zhì)，可以放心。應(yīng)用領(lǐng)域：風(fēng)力發(fā)電、功率補(bǔ)償、主變流器、輔變流器、大型不間斷電源、感應(yīng)加熱、高壓變頻器等

5，高壓變頻器是用IGBT模塊好還是IGCT模塊好

1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。2、相對(duì)于IGBT而言，IGCT投放市場(chǎng)的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒(méi)有IGBT廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如IGBT。　　變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。高壓變頻器的種類(lèi)繁多，其分類(lèi)方法也多種多樣。
IGCT集成門(mén)極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開(kāi)發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(集成門(mén)極換流晶閘管=門(mén)極換流晶閘管+門(mén)極單元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開(kāi)關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來(lái)了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。 已用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)裝置（100MVA）和的中功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置（5MW）IGCT在中壓變頻器領(lǐng)域內(nèi)成功的應(yīng)用了11年的時(shí)間（到09年為止），由于IGCT的高速開(kāi)關(guān)能力無(wú)需緩沖電路，因而所需的功率元件數(shù)目更少，運(yùn)行的可靠性大大增高。 　　IGCT集IGBT（絕緣門(mén)極雙極性晶體管）的高速開(kāi)關(guān)特性和GTO（門(mén)極關(guān)斷晶閘管）的高阻斷電壓和低導(dǎo)通損耗特性于一體，一般觸發(fā)信號(hào)通過(guò)光纖傳輸?shù)絀GCT單元。在ACS6000的有緣整流單元的相模塊里，每相模塊由IGCT和續(xù)流二極管、鉗位電容、阻尼電阻組成，由獨(dú)立的門(mén)極供電單元GUSP為其提供能源。贊同3|評(píng)論
1、igct具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。2、相對(duì)于igbt而言，igct投放市場(chǎng)的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒(méi)有igbt廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如igbt。 目前的 igbt和igct開(kāi)、關(guān)損耗都差不多，構(gòu)成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢(shì)，主要是igct的耐壓目前比igbt的耐壓高，應(yīng)用于高壓變頻器的話(huà)使得器件減少。但是目前的風(fēng)電變流器都是690v的，igbt的耐壓也就足夠了。 igbt和igct，誰(shuí)是電力電子器件的發(fā)展方向？目前學(xué)術(shù)界正在爭(zhēng)論，雖然igct出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對(duì)igbt有什么優(yōu)勢(shì)。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。 與igct所對(duì)應(yīng)的是iegt, iegt也稱(chēng)為壓裝式igbt （ppi). iegt(injection enhanced gate transistor)是耐壓達(dá)4kv以上的igbt系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 iegt具有作為mos系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過(guò)模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚望。 日本東芝開(kāi)發(fā)的iect利用了“電子注入增強(qiáng)效應(yīng)”，使之兼有igbt和gto兩者的優(yōu)點(diǎn)：低飽和壓降，寬安全工作區(qū)(吸收回路容量?jī)H為gto的1/10左右)，低柵極驅(qū)動(dòng)功率(比gto低兩個(gè)數(shù)量級(jí))和較高的工作頻率，如圖3所示。器件采用平板壓接式電極引出結(jié)構(gòu)，可靠性高，性能已經(jīng)達(dá)到4.5kv/1500a的水平。
1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。2、相對(duì)于IGBT而言，IGCT投放市場(chǎng)的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒(méi)有IGBT廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如IGBT。

6，高壓IGBT模塊的特性和應(yīng)用注意事項(xiàng)

北京瑞田達(dá)公司新一代3300V 1200A的IGBT模塊，仍保持IGBT模塊的典型特性，即損耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其飽和壓降與1600V 的產(chǎn)品差不多，通過(guò)降低50%左右的短路電流而實(shí)現(xiàn)其可與1200V/1600V IGBT相比擬的較好的短路耐量。 另外，由于門(mén)極輸入和反饋電容的變化，新一代高壓型IGBT表現(xiàn)出不同的輸入特性。這在設(shè)計(jì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)時(shí)務(wù)必加以考慮。由于門(mén)極采用RC回路（阻容回路），故單位時(shí)間里電流和電壓的變化量（dI/dt 和dv/dt）可以被獨(dú)立地調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)在IGBT和二極管的安全工作區(qū)里使開(kāi)關(guān)損耗降到最小。1. 可靠的短路耐量 短路耐量是IGBT最重要的性能之一。短路電流被限定在額定電流的8～10倍，導(dǎo)致耗散功率大量提升，比如一個(gè)2KV 12KA 的IGBT，損耗將達(dá)到24MW。故對(duì)于高壓型的IGBT來(lái)說(shuō)，必須通過(guò)減少短路電流（Isc）實(shí)現(xiàn)降低損耗的目的。對(duì)于3300V的IGBT來(lái)說(shuō)，其應(yīng)用電路直流側(cè)電壓的典型值大約在1500V～2000V之間，為1600V IGBT的兩倍，所以為了得到與1600V IGBT相同的損耗，必須減少其電流，這可以通過(guò)采用優(yōu)化的高壓元胞設(shè)計(jì)，把短路電流減少到其額定電流值的5倍而得到實(shí)現(xiàn)。2. 動(dòng)態(tài)傳輸特性 IGBT的元胞設(shè)計(jì)已考慮了輸入和反饋電容的影響，因?yàn)樗鼈儗?duì)器件的動(dòng)態(tài)傳輸特性有重要影響。這說(shuō)明在相同的驅(qū)動(dòng)條件下，高壓型IGBT與1200V 和1600V的開(kāi)通情況是大不相同的。3. IGBT 的開(kāi)通情況 IGBT的開(kāi)通過(guò)程按時(shí)間可以分為如圖Fig.1和表1所示的四個(gè)過(guò)程,如下: 第一, 門(mén)射電壓VGE小于閥值電壓VTh時(shí)。其門(mén)極電阻RG和門(mén)射電容CGEI的時(shí)間常數(shù)決定這一過(guò)程。當(dāng)器件的集電極電流IC 和集射電壓VCE均保持不變時(shí)，CGEI就是影響其導(dǎo)通延遲時(shí)間tdon的唯一因素。 第二, 當(dāng)門(mén)射電壓VGE達(dá)到其閥值電壓?時(shí)，開(kāi)通過(guò)程進(jìn)入第二階段，IGBT開(kāi)始導(dǎo)通，其電流上升速率 dI/dt的大小與門(mén)射電壓VGE 和器件的跨導(dǎo)gfs有如下關(guān)系： dIc/dt = gfs（Ic）＊dVGE/dt，其中，dVGE/dt由器件的門(mén)極電阻RG和門(mén)射電容CGEI所決定 （對(duì)于高壓型IGBT來(lái)說(shuō)，門(mén)集電容CGC可忽略不計(jì)）。 第三, 第三階段從集電極電流達(dá)到最大值ICmax（FWD的逆向峰值電流IRM 加上負(fù)載電流IL）時(shí)開(kāi)始，克服反向電壓VR使二極管截止，此時(shí)IGBT的集射電壓VCE開(kāi)始下降，隨著VCE的下降，電壓可控的門(mén)集之間的場(chǎng)電容容抗CGC成近百倍增大。當(dāng)門(mén)射驅(qū)動(dòng)電壓保持恒定時(shí)，所有的門(mén)極電流都被投入到對(duì)增長(zhǎng)的CGC的放電上。因此，本階段的導(dǎo)通受門(mén)極電阻和場(chǎng)電容的時(shí)間常數(shù)所影響。該時(shí)間常數(shù)決定器件的電壓變化速率 dVCE/dt 并對(duì)器件的導(dǎo)通損耗造成很大的影響。 第四, 開(kāi)通之后，器件進(jìn)入穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。 對(duì)dIC/dt和 dVCE/dt的控制場(chǎng)電容增加，門(mén)射電容減少，這樣的IGBT若使用一般的"R"-門(mén)極驅(qū)動(dòng)，將導(dǎo) 致dI/dt值的增加和dV/dt值的減少。dI/dt 的增大引起在FWD反向恢復(fù)其間器件承受較高的壓力以及由二極管的恢復(fù)而可能出現(xiàn)較高的負(fù)dI/dt值，從而在雜散電感的作用下導(dǎo)致器件過(guò)壓。而低的dV/dt值引起高的開(kāi)關(guān)損耗。因而唯有通過(guò)改變門(mén)極電阻RG的大小來(lái)均衡才能化解dI/dt與dV/dt大小的沖突。RG的取值務(wù)必保證dIc/dt的調(diào)節(jié)始終處于器件的安全工作區(qū)內(nèi)，但這樣一來(lái)dV/dt的值就會(huì)很低導(dǎo)致開(kāi)通損耗不能接受。因此，解決的方法是采用"RC"門(mén)極驅(qū)動(dòng)，即在IGBT的門(mén)射之間再接入附加電容CGE。通過(guò)該電容來(lái)調(diào)節(jié)上述開(kāi)通第二過(guò)程中門(mén)射電壓和電流變化率dIc/dt的上升，不過(guò)，CGE對(duì)開(kāi)通的第三過(guò)程沒(méi)什么影響，因?yàn)闆](méi)有引起dVGE /dt的改變。dVCE/dt升高使得器件的開(kāi)通損耗減少，控制門(mén)極電阻使FWD上的dV/dt的變化值不超過(guò)其臨界值。門(mén)極電阻RG確定之后，就可通過(guò)調(diào)節(jié)外接的CGE來(lái)設(shè)定合適的dIc/dt值。采用"RC"-門(mén)極驅(qū)動(dòng)的結(jié)果，dIc/dt 的設(shè)定值約為5kA/μs,而不同的dVCE/dt值由不同的RC值所決定。適當(dāng)?shù)剡x擇RC值可使器件的開(kāi)通損耗大量降低甚至超過(guò)50%。4. IGBT的驅(qū)動(dòng)條件 高壓IGBT和二極管在開(kāi)關(guān)速度上都有其局限性。當(dāng)dIF/dt為續(xù)流二極管FWD的限值時(shí)，則關(guān)斷時(shí)IGBT的dVCE/dt值為其最大值。當(dāng)然可以通過(guò)改變IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件來(lái)調(diào)節(jié)這兩個(gè)限值的變化。FWD的截止受IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)條件控制。關(guān)斷時(shí)務(wù)必保證IGBT處于其安全工作區(qū)內(nèi)。為了獨(dú)立控制開(kāi)通時(shí)的dV/dt 、dI/dt及關(guān)斷時(shí)的 dV/dt，必須采用三個(gè)無(wú)源元件，如圖Fig.4顯示，采用標(biāo)準(zhǔn)的±15V的門(mén)極驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以通過(guò)開(kāi)通門(mén)極電阻Ron（調(diào)節(jié)dVon/dt）、關(guān)斷門(mén)極電阻Roff（調(diào)節(jié)dVoff/dt）和門(mén)射電容CGE（調(diào)節(jié)dIon/dt）來(lái)調(diào)節(jié)IGBT/FWD限值的變化斜率。電容CGE對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)的dI/dt影響很小。5. 總結(jié) 受高壓IGBT和高壓FWD的安全工作區(qū)的限制，而采用帶三個(gè)無(wú)源元件（Ron，Roff，CGE）的RC-門(mén)極驅(qū)動(dòng)，通過(guò)調(diào)節(jié)來(lái)控制電壓和關(guān)斷電流斜率的變化。不同的輸入和傳輸特性所引起的在門(mén)射和門(mén)集之間的容抗變化率，可由采用RC-門(mén)極驅(qū)動(dòng)的方案得以補(bǔ)償。
1、igct具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。2、相對(duì)于igbt而言，igct投放市場(chǎng)的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒(méi)有igbt廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如igbt。　　變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。高壓變頻器的種類(lèi)繁多，其分類(lèi)方法也多種多樣。
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