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砷化鎵化學式，砷化稼的化學式怎么寫

來源：整理 時間：2023-08-27 03:58:26 編輯：智能門戶 手機版

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1，砷化稼的化學式怎么寫

化學式GaAs
化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。

砷化稼的化學式怎么寫

2，導彈指制導上用的是哪種礦物

1、砷化鎵砷化鎵，化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。2、據(jù)專家介紹，砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應用于遙控、手機、DVD計算機外設、照明等諸多光電子領域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。它還被廣泛使用于軍事領域，是激光制導導彈的重要材料，曾在海灣戰(zhàn)爭中大顯神威，贏得“砷化鎵打敗鋼鐵”的美名。 據(jù)悉，砷化鎵單晶片的價格大約相當于同尺寸硅單晶片的20至30倍。盡管價格不菲，目前國際上砷化鎵半導體的年銷售額仍在10億美元以上。
期待看到有用的回答！

導彈指制導上用的是哪種礦物

3，砷化鎵廣泛用于雷達電子計算機人造衛(wèi)星宇宙飛船等尖端技術中

(1)GaAs　(2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 　(3)＞　(4)BCD 由晶胞的結構知每一個砷化鎵晶胞中含有4個As原子、4個Ga原子，因此砷化鎵的化學式為GaAs。(2)N、P、As為同一主族元素，其氫化物結構相似，相對分子質量越大，則分子間作用力越大，沸點越高，但由于NH 3 分子間可形成氫鍵，沸點反常的高，故其氫化物的沸點高低順序為NH 3 >AsH 3 >PH 3 。(3)As與Ga位于同一周期，分別為ⅤA與ⅢA族，As的p軌道處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，故第一電離能：As＞Ga。(4)結合題給GaAs的晶胞結構圖可知其晶胞結構與NaCl不同；在GaAs的晶胞中，每個Ga原子連接4個As原子，構成正四面體；結合(3)中分析Ga，As在周期表的位置可知其電負性：As＞Ga；在GaAs的晶胞中，每個Ga原子與4個As原子形成4條共價鍵，由于Ga原子最外層只有3個電子，故其中1條共價鍵的電子對完全由As原子提供，形成配位鍵。
額
額

砷化鎵廣泛用于雷達電子計算機人造衛(wèi)星宇宙飛船等尖端技術中

4，什么是砷化鎵

GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，性能比硅更優(yōu)良。它的禁帶寬度大，電子遷移率高，介電常數(shù)小，能引入深能級雜質，電子有效質量小，能帶結構特殊，具有雙能谷導帶，可以制備發(fā)光器件、半導體激光器、微波體效應器件、太陽能電池和高速集成電路等，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中。
砷化鎵（gallium arsenide），化學式 gaas。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。中益興業(yè)砷化鎵薄膜太陽能電池即是一種高效的太陽能轉電能的新型量產(chǎn)技術。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

5，砷化鎵化學式為GaAs是一種重要的半導體材料砷化鎵中砷元素顯

砷元素顯-3價，設鎵元素的化合價是x，根據(jù)在化合物中正負化合價代數(shù)和為零，可得：x+（-3）=0，則x=+3價．故選D．
（1）as是35號元素，屬于主族元素，其最外層電子就是其價電子，所以as基態(tài)原子的價電子排布式：4s24p3，故答案為：4s24p3；（2）同一周期元素中，元素的電負性隨著原子序數(shù)的增大而增大，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第va族元素第一電離能大于相鄰元素，ga屬于第iva族、as屬于第va族，所以as的第一電離能比ga的大，as的電負性比ga的大，故答案為：大；大；（3）氨氣分子間形成氫鍵，氫鍵的存在導致氨氣的沸點最高，砷化氫的相對分子質量大于磷化氫，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫的高，則這幾種氫化物的沸點高低順序是：nh3＞ash3＞ph3，故答案為：nh3＞ash3＞ph3；氨氣分子間形成氫鍵，沸點最高，砷化氫的相對分子質量比磷化氫大，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫高；（4）gaas的晶體結構與單晶硅相似，根據(jù)硅晶體結構知，在gaas晶體中，每個ga原子與4個as原子相連，與同一個ga原子相連的as原子構成的空間構型為正四面體，gaas的晶體結構和硅晶體相似，則晶體類型相似，所以gaas屬于原子晶體，故答案為：4；正四面體；原子；（5）根據(jù)元素守恒知，另外一種生成物是ch4，根據(jù)反應物、生成物及反應條件知，其反應方程式為：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4， （ch3）3ga為非極性分子，（ch3）3ga中ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp2雜化，故答案為：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4；sp2．

6，砷化鎵屬于哪類化合物

GaAs是原子晶體，共價化合物。其晶體結2113構是閃鋅礦結構，它由面心立5261方晶格套構而成。每個Ga原子與它周圍四個As原子間靠共價鍵結合。但是4102砷化鎵中的Ga-As原子間的鍵合，不是純粹的共1653價鍵，由于Ga、As的負電性差異產(chǎn)生極性，稱為極性鍵內，具有離子鍵的特征，因此砷化鎵中離子鍵成分大約37%。容
是的，是晶態(tài)化合物半導體，由共價鍵形成，是原子晶體，類比氯化鋁化學式 gaas。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。 一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體?；瘜W式gaas，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生長理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。氯化鋁（熔融狀態(tài)實際以al2cl6分子形式存在，不能導電；簡寫作alcl3（三氯化鋁））是共價化合物。結構為是每一個鋁原子分別和三個氯原子形成鋁氯單鍵，兩個鋁原子之間沒有單鍵連接。因為alcl3為缺電子分子，al傾向于接受電子形成sp3雜化軌道，兩個alcl3分子間發(fā)生cl->al的電子對授予而配位,形成al2cl6分子.配位鍵是一種特殊的共價鍵，所以三氯化鋁是共價化合物。不過嚴格點說應該是形成了氯橋鍵。兩個alcl3分子靠氯橋鍵（三中心兩電子鍵）結合起來形成al2cl6分子，這種氯橋鍵與b2h6的氫橋鍵結構相似。從價鍵理論的觀點（價鍵理論要求兩個原子之間通過各自提供一個滿足要求的原子軌道的重疊來形成共價鍵）看，氯橋鍵仍然屬于共價鍵范疇。所以al2cl6是共價化合物。其實，學化學不一定非得刨根問底才學得好，有時候，基礎性的東西只須記
化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點復 1238℃。它在600℃以下，能制在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸2113侵蝕。跟SiC是等電子5261體，也就是結構性質相似！SiC是原子晶4102體，GaAs也是原子晶體！也可1653以從他的熔點1238進行判斷！
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