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晶閘管導(dǎo)通條件，晶閘管工作原理閘管導(dǎo)通的兩個(gè)條件是什么

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-06 01:14:41 編輯：智能門(mén)戶手機(jī)版

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1，晶閘管工作原理閘管導(dǎo)通的兩個(gè)條件是什么
2，晶閘管導(dǎo)通的條件是什么怎樣使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷
3，關(guān)于晶閘管的導(dǎo)通條件
4，使晶閘管導(dǎo)通的條件是

1，晶閘管工作原理閘管導(dǎo)通的兩個(gè)條件是什么

當(dāng)其承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)(燈不亮〕，僅在門(mén)極承受正向電壓的情況下才導(dǎo)通(燈亮)導(dǎo)通后門(mén)極失去控制作用。當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí).不論門(mén)極承受何種電壓晶閘管都關(guān)斷(燈不亮)。當(dāng)主回路電壓(或電流〕減小到接近于零時(shí).它關(guān)斷。晶閘管導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件：(1)晶閘管主電路加正向電壓。(2)晶閘管控制電路加合適的正向電壓。晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極即失去控制作用，故晶I}}管為半控型器件。為使晶閘管關(guān)斷，必須使其陽(yáng)極電流減小到一定數(shù)值以下.這只有通過(guò)使陽(yáng)極電壓減小到零或反向的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

同問(wèn)。。。

晶閘管工作原理閘管導(dǎo)通的兩個(gè)條件是什么

2，晶閘管導(dǎo)通的條件是什么怎樣使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷

晶閘管導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門(mén)極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。門(mén)極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應(yīng)能使陽(yáng)極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的最小陽(yáng)極電流，即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很校使導(dǎo)通晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷

首先是晶閘管上有一個(gè)正向偏壓,再者門(mén)極加上觸發(fā)信號(hào)。并且保證ak之間的電流大于晶閘管本身規(guī)定的擎住電流，也就是必須大于這個(gè)最小導(dǎo)通電流值。這時(shí)候即使去掉觸發(fā)信號(hào)，晶閘管也處于導(dǎo)通狀態(tài)。關(guān)斷方式為自然關(guān)斷，即ak間的電流小于擎住電流，或者在晶閘管兩端施加一個(gè)反偏壓，則晶閘管關(guān)斷

晶閘管導(dǎo)通的條件是什么怎樣使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷

3，關(guān)于晶閘管的導(dǎo)通條件

是這樣的，當(dāng)門(mén)極電流為0時(shí)仍存在一個(gè)轉(zhuǎn)折電壓，AK極兩端電壓只要超過(guò)這個(gè)值就可以導(dǎo)通。導(dǎo)通后只要電流和溫度不超過(guò)額定值，晶閘管是不會(huì)損壞的。如果AK極兩端電壓沒(méi)有超過(guò)這個(gè)值，則需由門(mén)極觸發(fā)才可導(dǎo)通。

閘管導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門(mén)極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。門(mén)極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應(yīng)能使陽(yáng)極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的最小陽(yáng)極電流，即擎住電流il以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過(guò)晶閘管的電流減小至一個(gè)小的數(shù)值，即維持電流ih一下。其方法有二： 1、減小正向陽(yáng)極電壓至一個(gè)數(shù)值一下，或加反向陽(yáng)極電壓。 2、增加負(fù)載回路中的電阻。

關(guān)于晶閘管的導(dǎo)通條件

4，使晶閘管導(dǎo)通的條件是

一、單向可控硅工作原理可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓，使陽(yáng)極電流小于最小維持電流以下。二、單向可控硅的引腳區(qū)分對(duì)可控硅的引腳區(qū)分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽(yáng)極，陰極引線比控制極引線長(zhǎng)。從外形無(wú)法判斷的可控硅，可用萬(wàn)用表R×100或R×1K擋，測(cè)量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當(dāng)萬(wàn)用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時(shí)，黑表筆所接的是控制極G，紅表筆所接的是陰極C，余下的一只管腳為陽(yáng)極A。三、單向可控硅的性能檢測(cè) 可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。第一是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷，不導(dǎo)通；第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉，仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬(wàn)用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。四、可控硅的使用注意事項(xiàng) 選用可控硅的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。 1、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。 2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。 3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。 4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。 5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。 6、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。雙向可控硅的工作原理 1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)（見(jiàn)圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ?jiàn)圖2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。