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磁控濺射原理，磁控濺射制備石墨烯是化學(xué)方法嗎

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-19 07:28:05 編輯：智能門(mén)戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，磁控濺射制備石墨烯是化學(xué)方法嗎
2，磁控濺射的原理
3，什么是射頻磁控濺射法
4，什么叫中頻磁控濺射
5，磁控濺射中的二次電子
6，濺射靶材的主要應(yīng)用

1，磁控濺射制備石墨烯是化學(xué)方法嗎

是利用氬原子電離后的氬離子轟擊石墨靶材表面濺射成膜的物理方法。但是生成條件很苛刻，一般直接濺射生成類金剛石結(jié)構(gòu)，不會(huì)生成石墨烯。

也許是的。

低真空下，氬原子在電場(chǎng)作用下被電離，產(chǎn)生的正電荷氬離子轟擊作為陰極的靶材，將靶材表面的原子打擊下來(lái)，這就是濺射。磁控是在陰極靶材周?chē)季值囊蝗τ来糯配搧?lái)實(shí)現(xiàn)的，目的就是利用洛倫茲力原理讓被電離的氬離子盡多的打擊在靶上，同時(shí)氬離子速度也能被加速，動(dòng)能增大，濺射速度加快。

磁控濺射制備石墨烯是化學(xué)方法嗎

2，磁控濺射的原理

電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。電子飛向基片，氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷撞擊電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過(guò)多次的碰撞后電子的能量逐漸降低，拜托磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。

磁控濺射的原理

3，什么是射頻磁控濺射法

一種電真空鍍膜法。

1 直流和射頻是對(duì)加在靶上的電源所說(shuō)的。本質(zhì)區(qū)別自然就在直流是持續(xù)不間斷加在上面，射頻是具有一定的頻率（13.56MHz）間隔加在靶上的。詳細(xì)解釋只能去看書(shū)，還不讓粘貼，沒(méi)人會(huì)找本書(shū)來(lái)給你慢慢敲在這里2 這個(gè)說(shuō)法不對(duì)。直流磁控濺射只能用導(dǎo)電的靶材（靶材表面在空氣中或者濺射過(guò)程中不會(huì)形成絕緣層的靶材），并不局限于金屬。譬如，對(duì)于鋁靶，它的表面極易形成不導(dǎo)電的氧化膜層，造成靶表面電荷積累（靶中毒），嚴(yán)重時(shí)直流濺射無(wú)法進(jìn)行。這時(shí)候，就需要射頻電源，簡(jiǎn)單的說(shuō)，用射頻電源的時(shí)候，有一小部分時(shí)間是在沖抵靶上積累的電荷，不會(huì)發(fā)生靶中毒。去找本書(shū)，《薄膜科學(xué)與技術(shù)》，里面解釋的還行?；蛘甙雽?dǎo)體設(shè)備的書(shū)里面也會(huì)有涉及

什么是射頻磁控濺射法

4，什么叫中頻磁控濺射

經(jīng)公司技術(shù)人員多年專注研發(fā)，通過(guò)特有的陰極電弧離子和非平衡磁控系統(tǒng)，并開(kāi)發(fā)出整套propower系列計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制系統(tǒng)，使鍍膜膜層附著力致密度、從復(fù)度一致性好等特點(diǎn)，解決了人工手動(dòng)操作復(fù)雜性、膜層顏色不一致等問(wèn)題。廣泛適用于手表、手機(jī)殼、五金、潔具、餐具及要求耐磨起硬的刀具、模具等。鍍制tin、ticn、crn、tialn、ticrn、zrn、tinc及各類金屬石膜（dlc）。臥式鍍膜機(jī)　　1、磁控濺射的原理是基于陰極輝光放電理論，把陰極表面磁場(chǎng)擴(kuò)展到接近工件表面，提高了濺射原子離化率。既保留磁控濺射的細(xì)膩又增強(qiáng)了表面光澤度。真空離子清洗機(jī)　　2、電弧等離子體蒸發(fā)源性能可靠，在優(yōu)化陰極及磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)鍍膜時(shí)可在30a電流下工作，鍍膜膜層和基底界面產(chǎn)生原子擴(kuò)散，又具有離子束輔助沉積的特點(diǎn)。汽車(chē)鍍膜設(shè)備

5，磁控濺射中的二次電子

磁控濺射中撞擊Ar原子的是被電場(chǎng)加速的電子，公認(rèn)的是碰撞理論，入射離子與固體表面原子發(fā)生彈性碰撞后，將其中一部分能量給了原子，該原子的動(dòng)能超過(guò)它與其他原子形成的勢(shì)壘（對(duì)金屬約5--10ev)時(shí)，原子就會(huì)從晶格點(diǎn)陣碰出，形成離位原子，又與其他附近原子發(fā)生反復(fù)碰撞--聯(lián)級(jí)碰撞。當(dāng)原子動(dòng)能超過(guò)結(jié)合能（1--6ev)時(shí)，原子離開(kāi)表面進(jìn)入真空室沉積在設(shè)置的基體上，形成薄膜。入射正離子轟擊固體表面后除產(chǎn)生原子外，還有其他現(xiàn)象產(chǎn)生，主要是原子和電子。原子沉積在基體上形成薄膜，電子用來(lái)維持輝光放電的繼續(xù)。二次電子主要是氬原子被撞擊后產(chǎn)生的，Ar+離子最后撞擊靶材（靶材是陰極帶負(fù)電），失去能量，得到電子，還原為氬原子，所以在濺射純金屬時(shí)，氬流量確定以后，無(wú)論提高還是降低濺射功率，真空度基本不變，而在反應(yīng)濺射時(shí)，反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)，提高濺射功率可以減輕真空度降低。如此回答可否滿意，如有疑問(wèn)，繼續(xù)探討?？烧?019180351@qq.com

6，濺射靶材的主要應(yīng)用

濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。分類根據(jù)形狀可分為長(zhǎng)靶，方靶，圓靶，異型靶根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。磁控濺射鍍膜靶材：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。高純高密度濺射靶材有：濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）1. 金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。2. 陶瓷靶材ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。3.合金靶材鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射靶材。

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