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phonon，新手求教Qt沒有找到phonon求解決

來源：整理時(shí)間：2024-10-08 04:35:19 編輯：智能門戶手機(jī)版

1，新手求教Qt沒有找到phonon求解決

QT5沒有phonon模塊

新手求教Qt沒有找到phonon求解決

2，qt中用phonon插入背景音樂如何讓它循環(huán)或者連續(xù)播放

應(yīng)該有個(gè)aboutFinish方法，如果播放快結(jié)束了的話你可以設(shè)定你的操作

qt中用phonon插入背景音樂如何讓它循環(huán)或者連續(xù)播放

3，聲子怎么組詞

聲子（Phonon ）是一種非真實(shí)的準(zhǔn)粒子，是用來描述晶體原子熱振動(dòng)——晶格振動(dòng)規(guī)律的一種能量量子，它的能量等于?ωq。聲子晶體。

聲子怎么組詞

4，甚么叫聲子它對(duì)半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)起甚么作用

聲子就是“晶格振動(dòng)的簡(jiǎn)正模能量量子?！庇⑽氖莗honon。聲子會(huì)減弱電導(dǎo)，由于聲子是格波的能量子，格波的振動(dòng)就會(huì)對(duì)載流子的傳播產(chǎn)生散射作用，也能夠看做聲子與載流子的碰撞，必將會(huì)增加電阻率，減小電導(dǎo)率

5，ubuntu下怎樣安裝phonon

在命令行下輸入sudo apt-get install libphonon-dev安裝phonon就可以使用#include <phonon>文件了（不過在在.pro必須包含QT += phonon這個(gè)

6，半導(dǎo)體什么意思

電導(dǎo)率(conductivity)介于金屬和絕緣體(insulator)之間的固體材料。半導(dǎo)體于室溫時(shí)電導(dǎo)率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導(dǎo)體溫度升高時(shí)電導(dǎo)率按指數(shù)上升。半導(dǎo)體材料有很多種，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的有機(jī)物半導(dǎo)體等。本征半導(dǎo)體(intrinsic semiconductor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在絕對(duì)零度溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過禁帶(forbidden band/band gap)進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶(conduction band)，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對(duì)。上述產(chǎn)生的電子和空穴均能自由移動(dòng)，成為自由載流子(free carrier)，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，使電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合(recombination)。復(fù)合時(shí)產(chǎn)生的能量以電磁輻射（發(fā)射光子photon）或晶格熱振動(dòng)（發(fā)射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)本征半導(dǎo)體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導(dǎo)率。加熱或光照會(huì)使半導(dǎo)體發(fā)生熱激發(fā)或光激發(fā)，從而產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，這時(shí)載流子濃度增加，電導(dǎo)率增加。半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻等半導(dǎo)體器件就是根據(jù)此原理制成的。常溫下本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率較小，載流子濃度對(duì)溫度變化敏感，所以很難對(duì)半導(dǎo)體特性進(jìn)行控制，因此實(shí)際應(yīng)用不多。雜質(zhì)半導(dǎo)體(extrinsic semiconductor) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電導(dǎo)率的影響非常大，本征半導(dǎo)體經(jīng)過摻雜就形成雜質(zhì)半導(dǎo)體，一般可分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)生附加的雜質(zhì)能級(jí)。能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主(donor)雜質(zhì)，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí),位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺（或硅）原子形成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫淺能級(jí)-施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多，很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子，因此對(duì)于摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是被激發(fā)到導(dǎo)帶中的電子，屬電子導(dǎo)電型，稱為n型半導(dǎo)體。由于半導(dǎo)體中總是存在本征激發(fā)的電子空穴對(duì)，所以在n型半導(dǎo)體中電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。相應(yīng)地，能提供空穴載流子的雜質(zhì)稱為受主(acceptor)雜質(zhì)，相應(yīng)能級(jí)稱為受主能級(jí)，位于禁帶下方靠近價(jià)帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子與周圍四個(gè)鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子，因而存在一個(gè)空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是受主能級(jí)。由于受主能級(jí)靠近價(jià)帶頂，價(jià)帶中的電子很容易激發(fā)到受主能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位，使受主雜質(zhì)原子成為負(fù)電中心。同時(shí)價(jià)帶中由于電離出一個(gè)電子而留下一個(gè)空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本征半導(dǎo)體情形下產(chǎn)生電子空穴對(duì)要小得多。因此這時(shí)空穴是多數(shù)載流子，雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，即空穴導(dǎo)電型，稱為p型半導(dǎo)體。在p型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。