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1，多少年了終于明白了FinFET與FDSOI制程
2，如何理解fd soi的全耗盡
3，CPU好壞看二級緩存核心數(shù)量生產(chǎn)工藝主頻哪一個
4，SOI是什么
5，so i是什么意思
6，英文翻譯成中文

1，多少年了終于明白了FinFET與FDSOI制程

業(yè)界普遍表明：臺積電的16nm好于三星14nm（RX580使用第三代FinFET 14nm，頻率提升了）并且NVIDIA采用Pascal（帕斯卡）架構(gòu)，而AMD是Polaris（北極星）兩家技術(shù)都不同。位寬跟顯存是有關(guān)系的。（1070 8G就是256-bit）

多少年了終于明白了FinFET與FDSOI制程

2，如何理解fd soi的全耗盡

指示燈亮說明通電正常。你沒說明按鍵按下有沒有反應(yīng)？最簡單就是小按鍵接觸不良，這個很常見。其他會問題出在內(nèi)部電腦板的控制電路上，如內(nèi)部插線排5線的接觸不良；電阻R1開路（4.7K）；三極管VT1不良（S9013）；繼電器K1不良；EH加熱器插頭接觸不良，CPU不良等。

什么意思

如何理解fd soi的全耗盡

3，CPU好壞看二級緩存核心數(shù)量生產(chǎn)工藝主頻哪一個

都要看。關(guān)鍵是性價比。

都要看的，你還要看三級緩存，還有倍頻

看CPU架構(gòu)、核心研發(fā)代號、三級緩存、制程工藝等,CPU架構(gòu)決定主頻效率,在先進架構(gòu)的支持下即使主頻很低性能也很強,今年4.8 Intel即將發(fā)布的Ivy Bridge架構(gòu)CPU就很好,而且使用最先進的22nm制程和Tri-gate、三閘立體finFet型晶體管,功耗很低且核心顯卡性能較去年Sandy Bridge產(chǎn)品提升70%,大型網(wǎng)游都能運行,再等幾天買吧.以后Intel還將加入soitec、全耗盡技術(shù)、FD-ETSOI等最先進技術(shù)

都很重要... 個人感覺還是制作工藝跟微架構(gòu)最重要個人見解僅供參考

主頻

cpu從來都是看價格，其他參數(shù)只是理論。只是相對來說相同價格AMD比inter性價比高點而已。

CPU好壞看二級緩存核心數(shù)量生產(chǎn)工藝主頻哪一個

4，SOI是什么

　　SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)?！　⊥ǔ８鶕?jù)在絕緣體上的硅膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結(jié)構(gòu)和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結(jié)構(gòu)。由于SOI的介質(zhì)隔離，制作在厚膜SOI結(jié)構(gòu)上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區(qū)，這一中性體區(qū)的存在使得硅體處于電學(xué)浮空狀態(tài)，產(chǎn)生了兩個明顯的寄生效應(yīng)，一個是"翹曲效應(yīng)"即Kink 效應(yīng)，另一個是器件源漏之間形成的基極開路NPN寄生晶體管效應(yīng)。如果將這一中性區(qū)經(jīng)過一體接觸接地，則厚膜器件工作特性便和體硅器件特性幾乎完全相同。而基于薄膜SOI結(jié)構(gòu)的器件由于硅膜的全部耗盡完全消除"翹曲效應(yīng)"，且這類器件具有低電場、高跨導(dǎo)、良好的短溝道特性和接近理想的亞閾值斜率等優(yōu)點。因此薄膜全耗盡FDSOI應(yīng)該是非常有前景的SOI結(jié)構(gòu)?！　∧壳氨容^廣泛使用且比較有發(fā)展前途的SOI的材料主要有注氧隔離的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片鍵合和反面腐蝕的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和將鍵合與注入相結(jié)合的Smart Cut SOI材料。在這三種材料中，SIMOX適合于制作薄膜全耗盡超大規(guī)模集成電路，BESOI材料適合于制作部分耗盡集成電路，而Smart Cut材料則是非常有發(fā)展前景的SOI材料，它很有可能成為今后SOI材料的主流。

5，so i是什么意思

一首歌

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。通常根據(jù)在絕緣體上的硅膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結(jié)構(gòu)和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結(jié)構(gòu)。由于SOI的介質(zhì)隔離，制作在厚膜SOI結(jié)構(gòu)上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區(qū)，這一中性體區(qū)的存在使得硅體處于電學(xué)浮空狀態(tài)，產(chǎn)生了兩個明顯的寄生效應(yīng)，一個是"翹曲效應(yīng)"即Kink 效應(yīng)，另一個是器件源漏之間形成的基極開路NPN寄生晶體管效應(yīng)。如果將這一中性區(qū)經(jīng)過一體接觸接地，則厚膜器件工作特性便和體硅器件特性幾乎完全相同。而基于薄膜SOI結(jié)構(gòu)的器件由于硅膜的全部耗盡完全消除"翹曲效應(yīng)"，且這類器件具有低電場、高跨導(dǎo)、良好的短溝道特性和接近理想的亞閾值斜率等優(yōu)點。因此薄膜全耗盡FDSOI應(yīng)該是非常有前景的SOI結(jié)構(gòu)。目前比較廣泛使用且比較有發(fā)展前途的SOI的材料主要有注氧隔離的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片鍵合和反面腐蝕的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和將鍵合與注入相結(jié)合的Smart Cut SOI材料。在這三種材料中，SIMOX適合于制作薄膜全耗盡超大規(guī)模集成電路，BESOI材料適合于制作部分耗盡集成電路，而Smart Cut材料則是非常有發(fā)展前景的SOI材料，它很有可能成為今后SOI材料的主流。

super junior 唱的一首歌

6，英文翻譯成中文

閾下的輸出特性1.2μm SOICMOS FD)和電學(xué)晶體管電路在不同溫度下進行了仿真和分析的基礎(chǔ)上,著重建立模型的溫度影響泄漏電流。從圖2,我們可以得出結(jié)論:隨著環(huán)境的溫度升高,漏電流的n型晶體管相應(yīng)增加。同時,閾SOInMOS梯度下降的變化,逐漸是很明顯的。的泄漏電流的n型晶體管×10 - 12一3.021μmIt增加到5.281×/ 10——9A /μm當溫度上升到500 K,但它仍然可以被使用。不斷增加的泄漏電流將溫度進一步增加。大功率MOSFET不能關(guān)掉正常泄漏電流的刺激電流Ileak途徑,從而導(dǎo)致失敗的電路。的泄漏電流的n型晶體管隨溫度的升高,由于以下原因:內(nèi)在的載體迅速上升時濃度鎳溫度的升高,minority-carrier遷移的影響,降低短通道和DIBC drain-induced-barrier-lowering)強化(。你可以去使用有到桌面詞典或者靈格斯翻譯家?。?！這個挺好用的，對翻譯用處很大！??！

一條1.2μm FD SOICMOS電路的次于最低限度的輸出特性與n類型和p類型晶體管在各種各樣的溫度被模仿并且被分析基于設(shè)置模型，重點在對漏出潮流的溫度影響。從。 2我們認為，當環(huán)境溫度增加， n類型晶體管的漏出潮流相應(yīng)地增加。一致地， SOInMOS的次于最低限度的梯度逐漸減少，并且變動是非常顯然的。 n類型晶體管的漏出潮流是3.021 ×10-12 A/μmIt增量對5.281 ×10-9A/μm，當溫度上升到500 K時，但可能仍然使用它。漏出潮流連續(xù)地將增加當溫度進一步增加。 MOSFET不可能通常關(guān)閉，當漏出當前Ileak接近打開的潮流時，導(dǎo)致電路的失敗。 n類型晶體管的漏出潮流增加，當溫度增加，由于以下原因：集中ni迅速地增加的本征載流子，當溫度增加，少數(shù)載體的流動性減少，并且短的渠道和DIBC (排泄導(dǎo)致障礙降下)的作用增強。

在亞閾值輸出特性的1.2μm消化不良SOICMOS電路的n型和p型晶體管在不同溫度下的模擬和分析的基礎(chǔ)上設(shè)定模型，并把重點放在溫度影響的漏電流。從圖。 2 ，我們得出這樣的結(jié)論：在環(huán)境溫度升高，泄漏目前的N型晶體管相應(yīng)會提高。同時，閾梯度SOInMOS逐漸減小，變化非常明顯。那個泄漏電流的N型晶體管為3.021 × 10月12日的A / μmIt增加至5.281 × 10-9A/μm當溫度上升到500鉀，但它仍然可以使用。漏電流會不斷增加的溫度進一步增加。該MOSFET不能正常關(guān)閉時，泄漏電流Ileak辦法的導(dǎo)通電流，從而導(dǎo)致溫度升高，由于下列原因：倪征載流子濃度的提高而迅速增加時，溫度升高，流動性的少數(shù)載流子下降，短期的影響，渠道和DIBC （漏誘導(dǎo)勢壘降低）加緊。請采納，我是學(xué)英語?？频?！

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2，如何理解fd soi的全耗盡

3，CPU好壞看二級緩存核心數(shù)量生產(chǎn)工藝主頻哪一個

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5，so i是什么意思

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