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RCD吸收電路，反激式開(kāi)關(guān)電源rcd吸收電路怎么選

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-01 03:09:57 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，反激式開(kāi)關(guān)電源rcd吸收電路怎么選
2，開(kāi)關(guān)電源中的RCD峰值吸收回路的工作原理是怎樣的
3，開(kāi)關(guān)電源中RCD吸收電路除了限制MOS管最大反鋒之外還具有
4，開(kāi)關(guān)電源 RCD吸收回路怎么用時(shí)間常數(shù)求它的容量和阻值
5，開(kāi)關(guān)MOS管旁邊并聯(lián)的RCD吸收回路的吸收原理是什么
6，RCD吸收電路的RCD吸收電路的設(shè)計(jì)

1，反激式開(kāi)關(guān)電源rcd吸收電路怎么選

RCD吸收小電容小電阻，RCD吸收大電容大電阻

需要。有助于降低開(kāi)關(guān)管的發(fā)熱。

反激式開(kāi)關(guān)電源rcd吸收電路怎么選

2，開(kāi)關(guān)電源中的RCD峰值吸收回路的工作原理是怎樣的

若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中能量通過(guò)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電，開(kāi)關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí)，吸收二極管導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開(kāi)關(guān)接通期間，吸收電容通過(guò)電阻放電。

開(kāi)關(guān)電源中的RCD峰值吸收回路的工作原理是怎樣的

3，開(kāi)關(guān)電源中RCD吸收電路除了限制MOS管最大反鋒之外還具有

吸收電路主要是吸收波峰，是動(dòng)作波形平滑，減少干擾，避免誤動(dòng)作。

65+8656+再看看別人怎么說(shuō)的。

對(duì)！剛學(xué)開(kāi)關(guān)電源就這么厲害，以后肯定好的不得了----樂(lè)嘉

開(kāi)關(guān)電源中RCD吸收電路除了限制MOS管最大反鋒之外還具有

4，開(kāi)關(guān)電源 RCD吸收回路怎么用時(shí)間常數(shù)求它的容量和阻值

首先說(shuō)明下RCD吸收電路和RCD鉗位電路形式一樣但是參數(shù)相差很大。RCD吸收的時(shí)間常數(shù)基于占空比和開(kāi)關(guān)頻率（即每個(gè)周期的關(guān)斷時(shí)間）。RCD要求在開(kāi)通前電容電壓復(fù)位。公式不太好編輯理解了自己推一下。

呃再看看別人怎么說(shuō)的。

5，開(kāi)關(guān)MOS管旁邊并聯(lián)的RCD吸收回路的吸收原理是什么

作為一般開(kāi)關(guān)時(shí)，K1358關(guān)斷瞬間，UDS升高，通過(guò)C5,VD4,R4回路，對(duì) C5充電，降低電壓應(yīng)力（吸收關(guān)斷瞬間的能量），增加電壓上升時(shí)間；K1358導(dǎo)通后，C5通過(guò)R4和K1358放電，使電壓降低至0V。作為PWM控制時(shí)，關(guān)斷時(shí)間與導(dǎo)通時(shí)間均很短，RC參數(shù)應(yīng)等同或接近于開(kāi)關(guān)周期，此時(shí)C5電壓值接近常量，通過(guò)VD4對(duì)UDS進(jìn)行鉗位。

火線(xiàn)和地面的電壓是220v，而零線(xiàn)和大地的電壓是0.接在火線(xiàn)上，等你關(guān)上開(kāi)關(guān)后，開(kāi)關(guān)后的線(xiàn)和地面的電壓是零。是安全的。但是如果把開(kāi)關(guān)接駁在零線(xiàn)上，雖然斷后形成不了通路，但是如果不小心接觸到火線(xiàn)，火線(xiàn)和地面電壓是220v，依然是危險(xiǎn)電壓，等于沒(méi)接開(kāi)關(guān)。所以一定要吧開(kāi)關(guān)或者保險(xiǎn)接在火線(xiàn)而不是零線(xiàn)上。險(xiǎn)絲和開(kāi)關(guān)都是串聯(lián)接到火線(xiàn)上,不可能是并聯(lián)的.因?yàn)?如果是并聯(lián)的話(huà),即使保險(xiǎn)絲燒了,電路仍是通的.電流仍會(huì)從開(kāi)關(guān)上流過(guò),保險(xiǎn)絲就起不到保險(xiǎn)的作用了.

6，RCD吸收電路的RCD吸收電路的設(shè)計(jì)

一﹑首先對(duì)mos管的VD進(jìn)行分段：Ⅰ，輸入的直流電壓VDC；Ⅱ，次級(jí)反射初級(jí)的VOR；Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；Ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。二﹑對(duì)于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算：Ⅰ，輸入的直流電壓VDC。在計(jì)算VDC時(shí)，是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。VDC=VAC *√2Ⅱ，次級(jí)反射初級(jí)的VOR。VOR是依在次級(jí)輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時(shí)計(jì)算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計(jì)算），二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．VOR=(VF　+Vo)*Np/NsⅢ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V．VDS=VD* 10%Ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD減去Ⅰ，Ⅲ三項(xiàng)就剩下VRCD的最大值。實(shí)際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開(kāi)關(guān)電源各個(gè)元件的分散性，溫度漂移和時(shí)間飄移等因素得影響）。VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%注意：① VRCD是計(jì)算出理論值，再通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行調(diào)整，使得實(shí)際值與理論值相吻合．② VRCD必須大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）③ MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍．（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過(guò)大了）④ 如果VRCD的實(shí)測(cè)值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的Ⅴ，RC時(shí)間常數(shù)τ確定．τ是依開(kāi)關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個(gè)開(kāi)關(guān)電源周期。三﹑試驗(yàn)調(diào)整VRCD值首先假設(shè)一個(gè)RC參數(shù)，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計(jì)算值。如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計(jì)算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值減小后，重復(fù)以上試驗(yàn)。（RC元件上的電壓值是用示波器觀(guān)察的，示波器的地接到輸入電解電容“+”極的RC一點(diǎn)上，測(cè)試點(diǎn)接到RC另一點(diǎn)上）一個(gè)合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓，最重的電源負(fù)載下，VRCD的試驗(yàn)值等于理論計(jì)算值。四﹑試驗(yàn)中值得注意的現(xiàn)象輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負(fù)載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓，重負(fù)載時(shí)VRCD的試驗(yàn)值如果大于以上理論計(jì)算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？一點(diǎn)都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時(shí)的計(jì)算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負(fù)載是指開(kāi)關(guān)電源可能達(dá)到的最大負(fù)載。主要是通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得開(kāi)關(guān)電源的極限功率。RCD吸收電路與RC電路的比較采用RC、RCD吸收電路也可以對(duì)變壓器消磁，這時(shí)就不必另設(shè)變壓器繞組與二極管組成的去磁電路。變壓器的勵(lì)磁能量都在吸收電阻中消耗掉。RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量，而且也消耗變壓器勵(lì)磁能量，因此降低了變換器變換效率。RCD吸收電路是通過(guò)二極管對(duì)開(kāi)關(guān)電壓嵌位，效果比RC好，它也可以采用較大電阻，能量損耗也比RC 小。RCD吸收電路的影響1.RCD電容C偏大電容端電壓上升很慢，因此導(dǎo)致mos 管電壓上升較慢，導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級(jí)導(dǎo)通的間隔時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，變壓器能量傳遞過(guò)程較慢，相當(dāng)一部分初級(jí)勵(lì)磁電感能量消耗在RC電路上。2.RCD電容C特別大（導(dǎo)致電壓無(wú)法上升至次級(jí)反射電壓）電容電壓很小，電壓峰值小于次級(jí)的反射電壓，因此次級(jí)不能導(dǎo)通，導(dǎo)致初級(jí)能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級(jí)電壓下降后達(dá)成新的平衡，理論計(jì)算無(wú)效了，輸出電壓降低。3.RCD電阻電容乘積R×C偏小電壓上沖后，電容上儲(chǔ)存的能量很小，因此電壓很快下降至次級(jí)反射電壓，電阻將消耗初級(jí)勵(lì)磁電感能量，直至mos管開(kāi)通后，電阻才緩慢釋放電容能量，由于RC較小，因此可能出現(xiàn)震蕩，就像沒(méi)有加RCD電路一樣。4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小如果參數(shù)選擇合理，mos管開(kāi)通前，電容上的電壓接近次級(jí)反射電壓，此時(shí)電容能量泄放完畢，缺點(diǎn)是此時(shí)電壓尖峰比較高，電容和mos管應(yīng)力都很大5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調(diào)節(jié)電阻后，使mos管開(kāi)通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在于讓電容始終存有一定的能量。

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