强奸久久久久久久|草草浮力在线影院|手机成人无码av|亚洲精品狼友视频|国产国模精品一区|久久成人中文字幕|超碰在线视屏免费|玖玖欧洲一区二区|欧美精品无码一区|日韩无遮一区二区

首頁(yè) > 廠商 > 知識(shí) > 跨導(dǎo)gm公式，雙極性三極管如何推導(dǎo)發(fā)射極電阻Re所導(dǎo)致的本征跨導(dǎo)退化的表達(dá)

跨導(dǎo)gm公式，雙極性三極管如何推導(dǎo)發(fā)射極電阻Re所導(dǎo)致的本征跨導(dǎo)退化的表達(dá)

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-30 02:58:25 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，雙極性三極管如何推導(dǎo)發(fā)射極電阻Re所導(dǎo)致的本征跨導(dǎo)退化的表達(dá)

我不會(huì)~~~但還是要微笑~~~：）

雙極性三極管如何推導(dǎo)發(fā)射極電阻Re所導(dǎo)致的本征跨導(dǎo)退化的表達(dá)

2，MOSFET的電壓增益是如何定義的KVsat

電壓增益一般就是指跨導(dǎo)，就是輸出電流與輸入電壓的比值。Kvsat就是指電壓增益啊。L是溝道長(zhǎng)度，VGS-VT是飽和電壓。
可以私聊我~

MOSFET的電壓增益是如何定義的KVsat

3，可以用場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)求它的靜態(tài)工作點(diǎn)么做了一道題題中給了

可以的，不過(guò)需要其它參數(shù)。比如，在童詩(shī)白的《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》第四版P120頁(yè)中的近似計(jì)算公式2.6.1就給了N溝道增強(qiáng)型MOSFET的gm計(jì)算公式，反過(guò)來(lái)就可以算出IDQ了。
漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的 柵源電壓的微變量之比叫互導(dǎo)即跨導(dǎo)。 太陽(yáng)相隨是 我宿舍里的同學(xué)，原來(lái)網(wǎng)絡(luò)有時(shí)也這么小??！呵呵...........

可以用場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)求它的靜態(tài)工作點(diǎn)么做了一道題題中給了

4，電路中MOS管的跨導(dǎo)值是什么意思

跨導(dǎo)的定義：漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，叫做跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)可以用Gm表示：跨導(dǎo)的單位為S（西），為歐姆的倒數(shù)，即1S=1/Ω。此定義適用于任何電壓控制型放大元件，如電子管（真空三極管）、場(chǎng)效應(yīng)管等。點(diǎn)擊圖片放大看：跨導(dǎo)值越大，意味著可以用更小的柵源電壓控制漏極電流發(fā)生更大的變化，意味著放大作用更大?？鐚?dǎo)和漏極電阻的乘積，等于共源放大器的空載電壓放大倍數(shù)（空載電壓增益系數(shù)）。

5，急用 二極管 三極管 各項(xiàng)參數(shù) 計(jì)算公式 為考試

二極管正向?qū)▔航?硅管：0.6~0.7V；鍺管：0.2~0.3V三極管電流放大系數(shù)β=Ic/Ib三極管基極電流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb，其中Ubeq為基極導(dǎo)通壓降，硅管約為0.7V三極管小信號(hào)模型基射電阻rbe=rbb+β*Ut/Icq，其中rbb為基極電阻，約為150~200Ω，Ut常溫下約為26mV，Icq為集極靜態(tài)電流。三極管跨導(dǎo)gm=Icq/Ut，Ut約為26mV，在忽略rbb時(shí)，gm≈β/rbe。還有什么不清楚的可以繼續(xù)追問(wèn)我望采納，謝謝~~
電流公式？？？？ 你這個(gè)問(wèn)題真的好不清楚喲， 二極管與三極管有個(gè)最大電流參數(shù)，意思是管子最大能承受的不損壞電流值是多少， 而這個(gè)電流值有最大平均電流值與多少時(shí)間內(nèi)的峰值電流值之分； 這兩個(gè)值都是由生產(chǎn)商的數(shù)據(jù)表提供的（通過(guò)實(shí)際測(cè)試）卻不是由什么公式計(jì)算出來(lái)的！ 不知你是不是想問(wèn)題這個(gè)電流的問(wèn)題呢？

6，什么叫場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱 單極型晶體管 。
1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（100000000～1000000000ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(mos)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種.按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為n溝耗盡型和增強(qiáng)型;p溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.見(jiàn)下圖 :3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓ugs=0時(shí)的漏源電流.up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gm — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓ugs — 對(duì)漏極電流id的控制能力,即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值.gm 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).bvds — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓ugs一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)idsm4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:判定柵極g:將萬(wàn)用表?yè)苤羠×1k檔,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為p溝道.判定源極s、漏極d:在源-漏之間有一個(gè)pn結(jié),因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別s極與d極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是s極,紅表筆接d極.5.常效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性 場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有n溝道和p溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（jfet）（1）結(jié)構(gòu)原理 它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見(jiàn)圖1。在n型硅棒兩端引出漏極d和源極s兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)p區(qū)，形成兩個(gè)pn結(jié)。在p區(qū)引出電極并連接起來(lái)，稱為柵極go這樣就構(gòu)成了n型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管 圖1、n溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于pn結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故pn基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見(jiàn)，當(dāng)漏極電源電壓ed一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，pn結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流id就愈?。环粗?，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，id變大，所以用柵極電壓eg可以控制漏極電流id的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓vgs=0時(shí)的漏源電流。用idss表示。vgs變負(fù)時(shí)，id逐漸減小。id接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用vp表示，在0≥vgs≥vp的區(qū)段內(nèi)，id與vgs的關(guān)系可近似表示為：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨導(dǎo)gm為：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微歐）|式中：△id------漏極電流增量（微安）------△vgs-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。①可變電阻區(qū)（圖中i區(qū)）在i區(qū)里vds比較小，溝通電阻隨柵壓vgs而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，id隨vds近似線性增大，當(dāng)vgs＜vp時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。ip=0；當(dāng)vgs=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），id=idss。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開(kāi)關(guān)作用。②恒流區(qū)（區(qū)中ii區(qū)）當(dāng)漏極電壓vds繼續(xù)增大到vds＞|vp|時(shí)，漏極電流，ip達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的vgs漏極特性曲線近似平行線，即id與vgs成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中ⅲ區(qū)）如果vds繼續(xù)增加，以至超過(guò)了pn結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流id突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱mos場(chǎng)效應(yīng)管。（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見(jiàn)圖3所示，以一塊p型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的n型區(qū)，作為源極s和漏極d。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極g（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖3、n溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的n區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在vgs=0時(shí)也有較大的漏極電流id。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；idss為飽和漏電流。圖4（b）給出了n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中vr為開(kāi)啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過(guò)vt時(shí)，漏極電流才開(kāi)始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖5(b)為n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線 。 圖4、n溝道m(xù)os場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、n溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線此外還有n襯底p溝道（見(jiàn)圖1）的場(chǎng)效應(yīng)管，亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種，各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類，電壓符號(hào)和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性） 二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓vp當(dāng)vds為某一固定數(shù)值，使ids等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓vgs就是夾斷電壓vp。2、飽和漏電流idss在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于vp時(shí)的漏極電流稱為idss。3、擊穿電壓bvds表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開(kāi)始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的vds。4、直流輸入電阻rgs在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過(guò)柵極的電流來(lái)表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可超過(guò)10000000000000歐。5、低頻跨導(dǎo)gm漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即gm= △id/△vgs它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）來(lái)表示
文章TAG：跨導(dǎo)公式雙極性三極管跨導(dǎo)gm公式

最近更新

  • JST連接器，哪有賣JST連接器JST連接器，哪有賣JST連接器

    哪有賣JST連接器2，有JST連接器B4BZRSM4TFT的規(guī)格嗎3，JST連接器XARR02VF用在什么產(chǎn)品上4，誰(shuí)知道JST連接器27EVZBK2A的配對(duì)端子是什么5，JST連接器的主要應(yīng)用在那些行業(yè)6，JST連接器種線對(duì)線間.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • rlo，b站說(shuō)的rlo什么意思rlo，b站說(shuō)的rlo什么意思

    b站說(shuō)的rlo什么意思2，RLO邊沿檢測(cè)指令與觸點(diǎn)信號(hào)邊沿檢測(cè)指令的區(qū)別3，關(guān)于RLO問(wèn)題請(qǐng)教4，plc中RLO英文全稱是什么5，Rlo是什么6，s7300的RLO是個(gè)臨時(shí)變量嗎1，b站說(shuō)的rlo什么意思只是個(gè)名稱并不.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • 微軟 大數(shù)據(jù)分析,微軟大數(shù)據(jù)分析 spark pse微軟 大數(shù)據(jù)分析,微軟大數(shù)據(jù)分析 spark pse

    大數(shù)據(jù)分析指對(duì)龐大數(shù)據(jù)的分析。裘達(dá)數(shù)據(jù)分析科技？大數(shù)據(jù)開(kāi)發(fā)和數(shù)據(jù)分析有什么區(qū)別？Big數(shù)據(jù)分析技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)概述數(shù)據(jù)分析技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)概述大數(shù)據(jù)領(lǐng)域比較混亂，隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái)，big數(shù).....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • 霍爾電壓，霍爾電壓是多少啊是25V嗎霍爾電壓，霍爾電壓是多少啊是25V嗎

    霍爾電壓是多少啊是25V嗎2，工作電流I為交變電流時(shí)如何測(cè)量霍爾電壓急求要詳細(xì)的3，霍爾電壓是多少4，霍爾電壓是什么5，霍爾電壓是如何產(chǎn)生的6，霍爾電壓產(chǎn)生的條件是什么實(shí)驗(yàn)中如何實(shí)現(xiàn)1，霍爾電.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • ir2104，ir2104 sd腳怎么接啊 有人說(shuō)接高的有人說(shuō)接低的ir2104，ir2104 sd腳怎么接啊 有人說(shuō)接高的有人說(shuō)接低的

    ir2104sd腳怎么接啊有人說(shuō)接高的有人說(shuō)接低的2，ir2104芯片的sd端怎么用可不可以直接接12v我試了一下驅(qū)動(dòng)不3，ir2104中文資料是什么啊4，ir2104的2腳輸入電壓一般多大5，直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的電路.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • 雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)，雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)跟紅外感應(yīng)開(kāi)關(guān)比起來(lái)是什么樣的呢雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)，雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)跟紅外感應(yīng)開(kāi)關(guān)比起來(lái)是什么樣的呢

    雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)跟紅外感應(yīng)開(kāi)關(guān)比起來(lái)是什么樣的呢2，雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)的技術(shù)參數(shù)3，請(qǐng)問(wèn)一下奔馳GLK350的前后雷達(dá)開(kāi)關(guān)在哪里我的雷達(dá)快接近障礙物4，小區(qū)安裝雷達(dá)感應(yīng)開(kāi)關(guān)會(huì)被干擾嗎5，微波雷達(dá)感應(yīng).....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • 104電容是多少uf，電容104是多少F104電容是多少uf，電容104是多少F

    電容104是多少F2，104電容等于幾UF怎么換算3，104電容是多大容量的4，電子元件104電容是多大的1，電容104是多少F0.1uF104=10*10exp4=100000pf=0.1uf2，104電容等于幾UF怎么換算104=100000pF=0.1.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30

  • 計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程，計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程是怎樣的計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程，計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程是怎樣的

    計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程是怎樣的2，計(jì)算機(jī)的發(fā)展史是什么3，計(jì)算機(jī)的發(fā)展史4，計(jì)算機(jī)的歷史5，計(jì)算機(jī)發(fā)展史略1，計(jì)算機(jī)發(fā)展歷程是怎樣的第一代為電子管計(jì)算機(jī)時(shí)代(1946-1958)第二代為晶體管計(jì)算機(jī)時(shí)代(1.....

    【知識(shí)】 日期：2023-08-30