四探針，四探針測量方塊電阻是利用以下哪一條原理進行測量

來源：整理時間：2023-08-25 19:08:19 編輯：智能門戶手機版

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1，四探針測量方塊電阻是利用以下哪一條原理進行測量
2，四探針法電阻率測試四探針有什么特點
3，當樣品電阻率19999時稱為高阻利用四探針測試儀怎么測量搜
4，四探針法測電阻率
5，高溫四探針測量系統(tǒng)是四探針法測電阻率嗎
6，用四探針法測量金屬薄膜電阻率時可能產生誤差的根源
7，四探針法測量半導體電阻率和薄層電阻的問題
8，四探針法選擇樣品不同位置對測試結果的影響
9，什么是高溫四探針電阻率測量系統(tǒng)
10，fourpoint是什么意思

1，四探針測量方塊電阻是利用以下哪一條原理進行測量

四探針電阻率測試儀也有很多種，例如高溫的或者常溫的，不同的四探針電阻率測試儀針對不同的材料測量的參數也是不同的。舉例，高溫四探針電阻率測試儀可以測量硅、鍺單晶電阻率和硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃和其他導電薄膜的方塊電阻，主要用于評估半導體薄膜和薄片的導電性能。HRMS-800高溫四探針電阻率測試儀就是，主要測量的參數就是半導體材料的電阻、電阻率、方塊電阻等。

四探針測量方塊電阻是利用以下哪一條原理進行測量

2，四探針法電阻率測試四探針有什么特點

三琦高溫四探針夾具是依據電性能測量四探針方法、并針對高溫環(huán)境進行設計。由四個獨立的探針調節(jié)裝置、高溫高頻探針、調節(jié)支撐架、樣品平臺、隔熱層、接線盒組成。探針調節(jié)裝置具有三維精確調節(jié)功能，精確定位探針的位置；探針調節(jié)裝置具有粗調功能，有效增大探針的調節(jié)范圍；探針調節(jié)裝置帶探針壓力調節(jié)功能，確保探針與樣品的良好接觸，又不損傷樣品；探針采用帶同軸屏蔽層設計，減少電磁對測量的干擾；探針電極選用鉑銥合金，有效減少接觸電阻，并具有良好的高溫抗氧化能力；

四探針法電阻率測試四探針有什么特點

3，當樣品電阻率19999時稱為高阻利用四探針測試儀怎么測量搜

原因是: 1．接觸電阻的影響嚴重。探針與半導體接觸產生一定厚度的耗盡層，耗盡層是高阻的, 另外探針和半導體之間不像與金屬之間一樣很好的接觸, 還會產生一個額外的電阻, 稱為擴展電阻，兩者都是接觸電阻，通常都很大. 半導體的實際電阻相對于它們越小, 測量結果就越不準確. 2．存在少子電注入. 專用方法：四探針法, 兩根探針輸入測量電流, 另外兩根探針測量電壓分布. 要是懂電流計, 電壓計和電阻計的原理, 就能更明白了.晶格電子是這個方面的行家

當樣品電阻率19999時稱為高阻利用四探針測試儀怎么測量搜

4，四探針法測電阻率

四探針測試技術，簡稱為四探針法，是測量半導體電阻率最常用的一種方法。四探針測試技術，是用4根等間距配置的探針扎在半導體表面上，由恒流源給外側的兩根探針提供一個適當小的電流I，然后測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導體的電阻率。對于厚度為W（遠小于長和寬）的薄半導體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數。特別，對于直徑比探針間距大得多的薄半導體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。

5，高溫四探針測量系統(tǒng)是四探針法測電阻率嗎

1. 高溫四探針測量系統(tǒng)就是采用四探針法測電阻率的。2. 三琦高溫四探針測量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的阻抗特性測量需求而設計的。3. 它由硬件設備和測量軟件組成，包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、電阻率測試儀和高溫電阻率測量系統(tǒng)軟件四個組成部分。

1. 四探針法測電阻率可以用三琦高溫四探針測量系統(tǒng)測試。2. 四探針法測電阻率其實從專業(yè)角度來說，就是使用三琦高溫四探針測量系統(tǒng)來測量。該系統(tǒng)包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、阻率測試儀和高溫電阻率測量軟件。

6，用四探針法測量金屬薄膜電阻率時可能產生誤差的根源

四探針方塊電阻（又叫薄膜電阻）測試儀是半導體制造中常用的檢測儀器之一，用以測量半導體材料的電阻率和薄膜的方塊電阻，同時達到測量半導體薄層材料的摻雜濃度和薄膜厚度、控制器件和集成電路性能的目的。在此基礎上發(fā)展起來的交流四探針方法，能夠消除電接觸區(qū)的熱電勢，但它對交流電流源和檢測信號的交流放大器穩(wěn)定性的要求極為嚴格，且仍存在接觸穩(wěn)定性問題。這些因素造成四探針法對于電阻值的微小變化不敏感，阻礙了仔細分析材料組織結構的微弱變化過程。四探針測試技術是用4根等間距配置的探針扎在半導體表面上，由恒流源給外側的兩根探針提供一個適當小的電流I，然后測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導體的電阻率。對于厚度為W（遠小于長和寬）的薄半導體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數。特別，對于直徑比探針間距大得多的薄半導體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。以上內容參考：百度百科-四探針測試技術

7，四探針法測量半導體電阻率和薄層電阻的問題

意思就是要用歐姆表去直接測量. 歐姆表就是自身產生一個弱電流, 去測量探針兩端的電壓, 然后和自身的體電阻比較, 最后給出電阻值. 但是這對于半導體是不準確的, 半導體電阻無法用兩根探針測量的主要原因是: 1．接觸電阻的影響嚴重。探針與半導體接觸產生一定厚度的耗盡層，耗盡層是高阻的, 另外探針和半導體之間不像與金屬之間一樣很好的接觸, 還會產生一個額外的電阻, 稱為擴展電阻，兩者都是接觸電阻，通常都很大. 半導體的實際電阻相對于它們越小, 測量結果就越不準確. 2．存在少子電注入. 專用方法：四探針法, 兩根探針輸入測量電流, 另外兩根探針測量電壓分布. 要是懂電流計, 電壓計和電阻計的原理, 就能更明白了.

你好！四探針主要是為了讓接觸更好，形成開爾文測試，那樣誤差小。打字不易，采納哦！

8，四探針法選擇樣品不同位置對測試結果的影響

四探針法測方塊電阻的原理四探針法是一種簡便的測量電阻率的方法。對于一般的線性材料，我們常常用電阻來表征某一段傳輸電流的能力，其滿足以下關系式：(式3-1)其中ρ、l和s分別表示材料本身的電阻率、長度和橫截面積。對于某種材料ρ滿足關系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分別為電子濃度、空穴濃度、電子遷移率、空穴遷移率和基本電荷量。對于具有一定導電性能的薄膜材料，其沿著平面方向的電荷傳輸性能一般用方塊電阻來表示，對于邊長為l、厚度為xj方形薄膜，其方塊電阻可表示為：??(式3-3)即方塊電阻與電阻率ρ成正比，與膜層厚度?成反比，而與正方形邊長?無關。方塊電阻一般采用雙電測電四探針來測量，測量裝置如圖3-4所示。四根由鎢絲制成的探針等間距地排成直線，彼此相距為?(一般為幾個mm)。測量時將針尖壓在薄膜樣品的表面上，外面兩根探針通電流I(一般選取0.5~2)，里面的兩探針用來測量電壓，通常利用電位差計測量。圖3-4 雙電測電四探針測量薄膜方塊電阻結構簡圖當被測樣品的長度和寬度遠遠大于探針間距，薄膜方塊電阻具體表達式為： (式3-4)即薄膜的方塊電阻和外側探針通電流后在內探針處產生的電位差大小有關。如果樣品的線度相對探針間距大不多時，上式中的系數c必須加以適當的修正，修正值與被測樣品的形狀和大小有關。實驗原理：在半導體器件的研制和生產過程中常常要對半導體單晶材料的原始電阻率和經過擴散、外延等工藝處理后的薄層電阻進行測量。測量電阻率的方法很多，有兩探針法，四探針法，單探針擴展電阻法，范德堡法等，我們這里介紹的是四探針法。因為這種方法簡便可行，適于批量生產，所以目前得到了廣泛應用。所謂四探針法，就是用針間距約1毫米的四根金屬探針同時壓在被測樣品的平整表面上如圖1a所示。利用恒流源給1、4兩個探針通以小電流，然后在2、3兩個探針上用高輸入阻抗的靜電計、電位差計、電子毫伏計或數字電壓表測量電壓，最后根據理論公式計算出樣品的電阻率［1］式中，C為四探針的修正系數，單位為厘米，C的大小取決于四探針的排列方法和針距，探針的位置和間距確定以后，探針系數C就是一個常數；V23為2、3兩探針之間的電壓，單位為伏特；I為通過樣品的電流，單位為安培。半導體材料的體電阻率和薄層電阻率的測量結果往往與式樣的形狀和尺寸密切相關，下面我們分兩種情況來進行討論。⑴ 半無限大樣品情形圖1給出了四探針法測半無窮大樣品電阻率的原理圖，圖中(a)為四探針測量電阻率的裝置；(b)為半無窮大樣品上探針電流的分布及等勢面圖形；(c)和(d)分別為正方形排列及直線排列的四探針圖形。因為四探針對半導體表面的接觸均為點接觸，所以，對圖1（b）所示的半無窮大樣品，電流I是以探針尖為圓心呈徑向放射狀流入體內的。因而電流在體內所形成的等位面為圖中虛線所示的半球面。于是，樣品電阻率為ρ，半徑為r，間距為dr的兩個半球等位面間的電阻為，它們之間的電位差為?？紤]樣品為半無限大，在r→∞處的電位為0，所以圖1（a）中流經探針1的電流I在r點形成的電位為。流經探針1的電流在2、3兩探針間形成的電位差為；流經探針4的電流與流經探針1的電流方向相反，所以流經探針4的電流I在探針2、3之間引起的電位差為。于是流經探針1、4之間的電流在探針2、3之間形成的電位差為。由此可得樣品的電阻率為上式就是四探針法測半無限大樣品電阻率的普遍公式。在采用四探針測量電阻率時通常使用圖1（c）的正方形結構（簡稱方形結構）和圖1（d）的等間距直線形結構，假設方形四探針和直線四探針的探針間距均為S，則對于直線四探針有　對于方形四探針有?、啤o限薄層樣品情形當樣品的橫向尺寸無限大，而其厚度t又比探針間距S小得多的時候，我們稱這種樣品為無限薄層樣品。圖2給出了用四探針測量無限薄層樣品電阻率的示意圖。圖中被測樣品為在p型半導體襯底上擴散有n型薄層的無限大硅單晶薄片，1、2、3、4為四個探針在硅片表面的接觸點，探針間距為S，n型擴散薄層的厚度為t，并且t<<S，I+表示電流從探針1流入硅片，I-表示電流從探針4流出硅片。與半無限大樣品不同的是，這里探針電流在n型薄層內近似為平面放射狀，其等位面可近似為圓柱面。類似前面的分析，對于任意排列的四探針，探針1的電流I在樣品中r處形成的電位為式中ρ為n型薄層的平均電阻率。于是探針1的電流I在2、3探針間所引起的電位差為同理，探針4的電流I在2、3探針間所引起的電位差為?所以探針1和探針4的電流I在2、3探針之間所引起的電位差是?于是得到四探針法測無限薄層樣品電阻率的普遍公式為對于直線四探針，利用可得對于方形四探針，利用可得在對半導體擴散薄層的實際測量中常常采用與擴散層雜質總量有關的方塊電阻RS，它與擴散薄層電阻率有如下關系：這里Xj為擴散所形成的pn結的結深。這樣對于無限薄層樣品，方塊電阻可以表示如下：直線四探針：方形四探針：在實際測量中，被測試的樣品往往不滿足上述的無限大條件，樣品的形狀也不一定相同，因此常常要引入不同的修正系數。￥5.9百度文庫VIP限時優(yōu)惠現在開通,立享6億+VIP內容立即獲取四探針實驗原理四探針法測方塊電阻的原理四探針法是一種簡便的測量電阻率的方法。對于一般的線性材料，我們常常用電阻來表征某一段傳輸電流的能力，其滿足以下關系式：?(式3-1)其中ρ、l和s分別表示材料本身的電阻率、長度和橫截面積。對于某種材料ρ滿足關系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分別為電子濃度、空穴濃度、電子遷移率、空穴遷移率和基本電荷量。第 1 頁對于具有一定導電性能的薄膜材料，其沿著平面方向的電荷傳輸性能一般用方塊電阻來表示，對于邊長為l、厚度為xj方形薄膜，其方塊電阻可表示為：(式3-3)即方塊電阻與電阻率ρ成正比，與膜層厚度成反比，而與正方形邊長無關。方塊電阻一般采用雙電測電四探針來測量，測量裝置如圖3-4所示。四根由鎢絲制成的探針等間距地排成直線，彼此相距為(一般為幾個mm)。測量時將針尖壓在薄膜樣品的表面上，外面兩根探針通電流I(一般選取0.5~2，里面的兩探針用來測量電壓，通常利用電位差計測量。

9，什么是高溫四探針電阻率測量系統(tǒng)

1. 四探針法測電阻率其實從專業(yè)角度來說，就是使用專業(yè)的高溫四探針測量系統(tǒng)來測量。該系統(tǒng)包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、高溫電阻率測量軟件。2. 三琦高溫四探針測量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的阻抗特性測量需求而設計的。它由硬件設備和測量軟件組成，包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、電阻率測試儀和高溫電阻率測量系統(tǒng)軟件四個組成部分。3. 高溫測試平臺是為樣品提供一個高溫環(huán)境；高溫四探針夾具提供待測試樣品的測試平臺；電阻率測試儀則負責測試參數數據。最后，再通過測量軟件將這些硬件設備的功能整合在一起，形成一套由實驗方案設計到溫度控制、參數測量、圖形數據顯示與數據分析于一體的高溫電阻率測量系統(tǒng)。

10，fourpoint是什么意思

four-point是四探針的意思。　　四探針法通常用來測量半導體的電阻率。四探針法測量電阻率有個非常大的優(yōu)點，它不需要校準；有時用其它方法測量電阻率時還用四探針法校準?！　　　∨c四探針法相比，傳統(tǒng)的二探針法更方便些，因為它只需要操作兩個探針，但是處理二探針法得到的數據卻很復雜。如下圖左，電阻兩端有兩個探針接觸，每個接觸點既測量電阻兩端的電流值，也測量了電阻兩端的電壓值。我們希望確定所測量的電阻器的電阻值，總電阻值：　　RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT；　　其中RW是導線電阻，RC是接觸電阻，RDUT是所要測量的電阻器的電阻，顯然用這種方法不能確定RDUT的值。矯正的辦法就是使用四點接觸法，即四探針法。如下圖右，電流的路徑與圖一中相同，但是測量電壓使用的是另外兩個接觸點。盡管電壓計測量的電壓也包含了導線電壓和接觸電壓，但由于電壓計的內阻很大，通過電壓計的電流非常小，因此，導線電壓與接觸電壓可以忽略不計，測量的電壓值基本上等于電阻器兩端的電壓值?！　⊥ㄟ^采用四探針法取代二探針法，盡管電流所走的路徑是一樣的，但由于消除掉了寄生壓降，使得測量變得精確了。四探針法在Lord Kelvin使用之后，變得十分普及，命名為四探針法。

95分獲以上是4.0 85分是3.0 75分是2.0 65分是1.0 100分中的每一分就對應四分制的0.1分

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四探針，四探針測量方塊電阻是利用以下哪一條原理進行測量

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