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四探針，四探針測(cè)量方塊電阻是利用以下哪一條原理進(jìn)行測(cè)量

來源：整理 時(shí)間：2023-08-25 19:08:19 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，四探針測(cè)量方塊電阻是利用以下哪一條原理進(jìn)行測(cè)量

四探針電阻率測(cè)試儀也有很多種，例如高溫的或者常溫的，不同的四探針電阻率測(cè)試儀針對(duì)不同的材料測(cè)量的參數(shù)也是不同的。舉例，高溫四探針電阻率測(cè)試儀可以測(cè)量硅、鍺單晶電阻率和硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻，主要用于評(píng)估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能。HRMS-800高溫四探針電阻率測(cè)試儀就是，主要測(cè)量的參數(shù)就是半導(dǎo)體材料的電阻、電阻率、方塊電阻等。

四探針測(cè)量方塊電阻是利用以下哪一條原理進(jìn)行測(cè)量

2，四探針法電阻率測(cè)試四探針有什么特點(diǎn)

三琦高溫四探針夾具是依據(jù)電性能測(cè)量四探針方法、并針對(duì)高溫環(huán)境進(jìn)行設(shè)計(jì)。由四個(gè)獨(dú)立的探針調(diào)節(jié)裝置、高溫高頻探針、調(diào)節(jié)支撐架、樣品平臺(tái)、隔熱層、接線盒組成。探針調(diào)節(jié)裝置具有三維精確調(diào)節(jié)功能，精確定位探針的位置；探針調(diào)節(jié)裝置具有粗調(diào)功能，有效增大探針的調(diào)節(jié)范圍；探針調(diào)節(jié)裝置帶探針壓力調(diào)節(jié)功能，確保探針與樣品的良好接觸，又不損傷樣品；探針采用帶同軸屏蔽層設(shè)計(jì)，減少電磁對(duì)測(cè)量的干擾；探針電極選用鉑銥合金，有效減少接觸電阻，并具有良好的高溫抗氧化能力；

四探針法電阻率測(cè)試四探針有什么特點(diǎn)

3，當(dāng)樣品電阻率19999時(shí)稱為高阻利用四探針測(cè)試儀怎么測(cè)量 搜

原因是: 1．接觸電阻的影響嚴(yán)重。探針與半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生一定厚度的耗盡層，耗盡層是高阻的, 另外探針和半導(dǎo)體之間不像與金屬之間一樣很好的接觸, 還會(huì)產(chǎn)生一個(gè)額外的電阻, 稱為擴(kuò)展電阻，兩者都是接觸電阻，通常都很大. 半導(dǎo)體的實(shí)際電阻相對(duì)于它們?cè)叫? 測(cè)量結(jié)果就越不準(zhǔn)確. 2．存在少子電注入. 專用方法：四探針法, 兩根探針輸入測(cè)量電流, 另外兩根探針測(cè)量電壓分布. 要是懂電流計(jì), 電壓計(jì)和電阻計(jì)的原理, 就能更明白了.晶格電子是這個(gè)方面的行家

當(dāng)樣品電阻率19999時(shí)稱為高阻利用四探針測(cè)試儀怎么測(cè)量 搜

4，四探針法測(cè)電阻率

四探針測(cè)試技術(shù)，簡稱為四探針法，是測(cè)量半導(dǎo)體電阻率最常用的一種方法。四探針測(cè)試技術(shù)，是用4根等間距配置的探針扎在半導(dǎo)體表面上，由恒流源給外側(cè)的兩根探針提供一個(gè)適當(dāng)小的電流I，然后測(cè)量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導(dǎo)體的電阻率。對(duì)于厚度為W（遠(yuǎn)小于長和寬）的薄半導(dǎo)體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數(shù)。特別，對(duì)于直徑比探針間距大得多的薄半導(dǎo)體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。

5，高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)是四探針法測(cè)電阻率嗎

1. 高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)就是采用四探針法測(cè)電阻率的。2. 三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的阻抗特性測(cè)量需求而設(shè)計(jì)的。3. 它由硬件設(shè)備和測(cè)量軟件組成，包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、電阻率測(cè)試儀和高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)軟件四個(gè)組成部分。
1. 四探針法測(cè)電阻率可以用三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試。2. 四探針法測(cè)電阻率其實(shí)從專業(yè)角度來說，就是使用三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)來測(cè)量。該系統(tǒng)包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、阻率測(cè)試儀和高溫電阻率測(cè)量軟件。

6，用四探針法測(cè)量金屬薄膜電阻率時(shí)可能產(chǎn)生誤差的根源

四探針方塊電阻（又叫薄膜電阻）測(cè)試儀是半導(dǎo)體制造中常用的檢測(cè)儀器之一，用以測(cè)量半導(dǎo)體材料的電阻率和薄膜的方塊電阻，同時(shí)達(dá)到測(cè)量半導(dǎo)體薄層材料的摻雜濃度和薄膜厚度、控制器件和集成電路性能的目的。在此基礎(chǔ)上發(fā)展起來的交流四探針方法，能夠消除電接觸區(qū)的熱電勢(shì)，但它對(duì)交流電流源和檢測(cè)信號(hào)的交流放大器穩(wěn)定性的要求極為嚴(yán)格，且仍存在接觸穩(wěn)定性問題。這些因素造成四探針法對(duì)于電阻值的微小變化不敏感，阻礙了仔細(xì)分析材料組織結(jié)構(gòu)的微弱變化過程。四探針測(cè)試技術(shù)是用4根等間距配置的探針扎在半導(dǎo)體表面上，由恒流源給外側(cè)的兩根探針提供一個(gè)適當(dāng)小的電流I，然后測(cè)量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導(dǎo)體的電阻率。對(duì)于厚度為W（遠(yuǎn)小于長和寬）的薄半導(dǎo)體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數(shù)。特別，對(duì)于直徑比探針間距大得多的薄半導(dǎo)體圓片，得到電阻率為ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作單位。以上內(nèi)容參考：百度百科-四探針測(cè)試技術(shù)

7，四探針法測(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻的問題

意思就是要用歐姆表去直接測(cè)量. 歐姆表就是自身產(chǎn)生一個(gè)弱電流, 去測(cè)量探針兩端的電壓, 然后和自身的體電阻比較, 最后給出電阻值. 但是這對(duì)于半導(dǎo)體是不準(zhǔn)確的, 半導(dǎo)體電阻無法用兩根探針測(cè)量的主要原因是: 1．接觸電阻的影響嚴(yán)重。探針與半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生一定厚度的耗盡層，耗盡層是高阻的, 另外探針和半導(dǎo)體之間不像與金屬之間一樣很好的接觸, 還會(huì)產(chǎn)生一個(gè)額外的電阻, 稱為擴(kuò)展電阻，兩者都是接觸電阻，通常都很大. 半導(dǎo)體的實(shí)際電阻相對(duì)于它們?cè)叫? 測(cè)量結(jié)果就越不準(zhǔn)確. 2．存在少子電注入. 專用方法：四探針法, 兩根探針輸入測(cè)量電流, 另外兩根探針測(cè)量電壓分布. 要是懂電流計(jì), 電壓計(jì)和電阻計(jì)的原理, 就能更明白了.
你好！四探針主要是為了讓接觸更好，形成開爾文測(cè)試，那樣誤差小。打字不易，采納哦！

8，四探針法選擇樣品不同位置對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響

四探針法測(cè)方塊電阻的原理四探針法是一種簡便的測(cè)量電阻率的方法。對(duì)于一般的線性材料，我們常常用電阻來表征某一段傳輸電流的能力，其滿足以下關(guān)系式：(式3-1)其中ρ、l和s分別表示材料本身的電阻率、長度和橫截面積。對(duì)于某種材料ρ滿足關(guān)系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分別為電子濃度、空穴濃度、電子遷移率、空穴遷移率和基本電荷量。對(duì)于具有一定導(dǎo)電性能的薄膜材料，其沿著平面方向的電荷傳輸性能一般用方塊電阻來表示，對(duì)于邊長為l、厚度為xj方形薄膜，其方塊電阻可表示為：??(式3-3)即方塊電阻與電阻率ρ成正比，與膜層厚度?成反比，而與正方形邊長?無關(guān)。方塊電阻一般采用雙電測(cè)電四探針來測(cè)量，測(cè)量裝置如圖3-4所示。四根由鎢絲制成的探針等間距地排成直線，彼此相距為?(一般為幾個(gè)mm)。測(cè)量時(shí)將針尖壓在薄膜樣品的表面上，外面兩根探針通電流I(一般選取0.5~2)，里面的兩探針用來測(cè)量電壓，通常利用電位差計(jì)測(cè)量。圖3-4 雙電測(cè)電四探針測(cè)量薄膜方塊電阻結(jié)構(gòu)簡圖當(dāng)被測(cè)樣品的長度和寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于探針間距，薄膜方塊電阻具體表達(dá)式為： (式3-4)即薄膜的方塊電阻和外側(cè)探針通電流后在內(nèi)探針處產(chǎn)生的電位差大小有關(guān)。如果樣品的線度相對(duì)探針間距大不多時(shí)，上式中的系數(shù)c必須加以適當(dāng)?shù)男拚拚蹬c被測(cè)樣品的形狀和大小有關(guān)。實(shí)驗(yàn)原理：在半導(dǎo)體器件的研制和生產(chǎn)過程中常常要對(duì)半導(dǎo)體單晶材料的原始電阻率和經(jīng)過擴(kuò)散、外延等工藝處理后的薄層電阻進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量電阻率的方法很多，有兩探針法，四探針法，單探針擴(kuò)展電阻法，范德堡法等，我們這里介紹的是四探針法。因?yàn)檫@種方法簡便可行，適于批量生產(chǎn)，所以目前得到了廣泛應(yīng)用。所謂四探針法，就是用針間距約1毫米的四根金屬探針同時(shí)壓在被測(cè)樣品的平整表面上如圖1a所示。利用恒流源給1、4兩個(gè)探針通以小電流，然后在2、3兩個(gè)探針上用高輸入阻抗的靜電計(jì)、電位差計(jì)、電子毫伏計(jì)或數(shù)字電壓表測(cè)量電壓，最后根據(jù)理論公式計(jì)算出樣品的電阻率［1］式中，C為四探針的修正系數(shù)，單位為厘米，C的大小取決于四探針的排列方法和針距，探針的位置和間距確定以后，探針系數(shù)C就是一個(gè)常數(shù)；V23為2、3兩探針之間的電壓，單位為伏特；I為通過樣品的電流，單位為安培。半導(dǎo)體材料的體電阻率和薄層電阻率的測(cè)量結(jié)果往往與式樣的形狀和尺寸密切相關(guān)，下面我們分兩種情況來進(jìn)行討論。⑴ 半無限大樣品情形圖1給出了四探針法測(cè)半無窮大樣品電阻率的原理圖，圖中(a)為四探針測(cè)量電阻率的裝置；(b)為半無窮大樣品上探針電流的分布及等勢(shì)面圖形；(c)和(d)分別為正方形排列及直線排列的四探針圖形。因?yàn)樗奶结槍?duì)半導(dǎo)體表面的接觸均為點(diǎn)接觸，所以，對(duì)圖1（b）所示的半無窮大樣品，電流I是以探針尖為圓心呈徑向放射狀流入體內(nèi)的。因而電流在體內(nèi)所形成的等位面為圖中虛線所示的半球面。于是，樣品電阻率為ρ，半徑為r，間距為dr的兩個(gè)半球等位面間的電阻為，它們之間的電位差為?？紤]樣品為半無限大，在r→∞處的電位為0，所以圖1（a）中流經(jīng)探針1的電流I在r點(diǎn)形成的電位為 。流經(jīng)探針1的電流在2、3兩探針間形成的電位差為 ；流經(jīng)探針4的電流與流經(jīng)探針1的電流方向相反，所以流經(jīng)探針4的電流I在探針2、3之間引起的電位差為。于是流經(jīng)探針1、4之間的電流在探針2、3之間形成的電位差為。由此可得樣品的電阻率為上式就是四探針法測(cè)半無限大樣品電阻率的普遍公式。在采用四探針測(cè)量電阻率時(shí)通常使用圖1（c）的正方形結(jié)構(gòu)（簡稱方形結(jié)構(gòu)）和圖1（d）的等間距直線形結(jié)構(gòu)，假設(shè)方形四探針和直線四探針的探針間距均為S，則對(duì)于直線四探針有　對(duì)于方形四探針有?、啤o限薄層樣品情形當(dāng)樣品的橫向尺寸無限大，而其厚度t又比探針間距S小得多的時(shí)候，我們稱這種樣品為無限薄層樣品。圖2給出了用四探針測(cè)量無限薄層樣品電阻率的示意圖。圖中被測(cè)樣品為在p型半導(dǎo)體襯底上擴(kuò)散有n型薄層的無限大硅單晶薄片，1、2、3、4為四個(gè)探針在硅片表面的接觸點(diǎn)，探針間距為S，n型擴(kuò)散薄層的厚度為t，并且t<<S，I+表示電流從探針1流入硅片，I-表示電流從探針4流出硅片。與半無限大樣品不同的是，這里探針電流在n型薄層內(nèi)近似為平面放射狀，其等位面可近似為圓柱面。類似前面的分析，對(duì)于任意排列的四探針，探針1的電流I在樣品中r處形成的電位為式中ρ為n型薄層的平均電阻率。于是探針1的電流I在2、3探針間所引起的電位差為 同理，探針4的電流I在2、3探針間所引起的電位差為?所以探針1和探針4的電流I在2、3探針之間所引起的電位差是?于是得到四探針法測(cè)無限薄層樣品電阻率的普遍公式為對(duì)于直線四探針，利用可得對(duì)于方形四探針，利用可得在對(duì)半導(dǎo)體擴(kuò)散薄層的實(shí)際測(cè)量中常常采用與擴(kuò)散層雜質(zhì)總量有關(guān)的方塊電阻RS，它與擴(kuò)散薄層電阻率有如下關(guān)系：這里Xj為擴(kuò)散所形成的pn結(jié)的結(jié)深。這樣對(duì)于無限薄層樣品，方塊電阻可以表示如下：直線四探針：方形四探針：在實(shí)際測(cè)量中，被測(cè)試的樣品往往不滿足上述的無限大條件，樣品的形狀也不一定相同，因此常常要引入不同的修正系數(shù)。￥5.9百度文庫VIP限時(shí)優(yōu)惠現(xiàn)在開通,立享6億+VIP內(nèi)容立即獲取四探針實(shí)驗(yàn)原理四探針法測(cè)方塊電阻的原理四探針法是一種簡便的測(cè)量電阻率的方法。對(duì)于一般的線性材料，我們常常用電阻來表征某一段傳輸電流的能力，其滿足以下關(guān)系式：?(式3-1)其中ρ、l和s分別表示材料本身的電阻率、長度和橫截面積。對(duì)于某種材料ρ滿足關(guān)系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分別為電子濃度、空穴濃度、電子遷移率、空穴遷移率和基本電荷量。第 1 頁對(duì)于具有一定導(dǎo)電性能的薄膜材料，其沿著平面方向的電荷傳輸性能一般用方塊電阻來表示，對(duì)于邊長為l、厚度為xj方形薄膜，其方塊電阻可表示為：(式3-3)即方塊電阻與電阻率ρ成正比，與膜層厚度成反比，而與正方形邊長無關(guān)。方塊電阻一般采用雙電測(cè)電四探針來測(cè)量，測(cè)量裝置如圖3-4所示。四根由鎢絲制成的探針等間距地排成直線，彼此相距為(一般為幾個(gè)mm)。測(cè)量時(shí)將針尖壓在薄膜樣品的表面上，外面兩根探針通電流I(一般選取0.5~2，里面的兩探針用來測(cè)量電壓，通常利用電位差計(jì)測(cè)量。

9，什么是高溫四探針電阻率測(cè)量系統(tǒng)

1. 四探針法測(cè)電阻率其實(shí)從專業(yè)角度來說，就是使用專業(yè)的高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)來測(cè)量。該系統(tǒng)包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、高溫電阻率測(cè)量軟件。2. 三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的阻抗特性測(cè)量需求而設(shè)計(jì)的。它由硬件設(shè)備和測(cè)量軟件組成，包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、電阻率測(cè)試儀和高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)軟件四個(gè)組成部分。3. 高溫測(cè)試平臺(tái)是為樣品提供一個(gè)高溫環(huán)境；高溫四探針夾具提供待測(cè)試樣品的測(cè)試平臺(tái)；電阻率測(cè)試儀則負(fù)責(zé)測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)。最后，再通過測(cè)量軟件將這些硬件設(shè)備的功能整合在一起，形成一套由實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)到溫度控制、參數(shù)測(cè)量、圖形數(shù)據(jù)顯示與數(shù)據(jù)分析于一體的高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)。
1. 四探針法測(cè)電阻率可以用三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試。2. 四探針法測(cè)電阻率其實(shí)從專業(yè)角度來說，就是使用三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)來測(cè)量。該系統(tǒng)包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、阻率測(cè)試儀和高溫電阻率測(cè)量軟件。

10，fourpoint是什么意思

four-point是四探針的意思?！　∷奶结樂ㄍǔＳ脕頊y(cè)量半導(dǎo)體的電阻率。四探針法測(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn)，它不需要校準(zhǔn)；有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針法校準(zhǔn)?！　　　∨c四探針法相比，傳統(tǒng)的二探針法更方便些，因?yàn)樗恍枰僮鲀蓚€(gè)探針，但是處理二探針法得到的數(shù)據(jù)卻很復(fù)雜。如下圖左，電阻兩端有兩個(gè)探針接觸，每個(gè)接觸點(diǎn)既測(cè)量電阻兩端的電流值，也測(cè)量了電阻兩端的電壓值。我們希望確定所測(cè)量的電阻器的電阻值，總電阻值：　　RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT；　　其中RW是導(dǎo)線電阻，RC是接觸電阻，RDUT是所要測(cè)量的電阻器的電阻，顯然用這種方法不能確定RDUT的值。矯正的辦法就是使用四點(diǎn)接觸法，即四探針法。如下圖右，電流的路徑與圖一中相同，但是測(cè)量電壓使用的是另外兩個(gè)接觸點(diǎn)。盡管電壓計(jì)測(cè)量的電壓也包含了導(dǎo)線電壓和接觸電壓，但由于電壓計(jì)的內(nèi)阻很大，通過電壓計(jì)的電流非常小，因此，導(dǎo)線電壓與接觸電壓可以忽略不計(jì)，測(cè)量的電壓值基本上等于電阻器兩端的電壓值。　　通過采用四探針法取代二探針法，盡管電流所走的路徑是一樣的，但由于消除掉了寄生壓降，使得測(cè)量變得精確了。四探針法在Lord Kelvin使用之后，變得十分普及，命名為四探針法。
95分獲以上是4.0 85分是3.0 75分是2.0 65分是1.0 100分中的每一分就對(duì)應(yīng)四分制的0.1分
文章TAG：測(cè)量方塊方塊電阻利用四探針

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