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2納米芯片，英特爾14納米和22納米性能的區(qū)別

來源：整理時間：2023-08-17 07:06:19 編輯：智能門戶手機版

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1，英特爾14納米和22納米性能的區(qū)別
2，25nm芯片是指什么25nm
3，20納米芯片 40 納米芯片等等前面數(shù)字2040是什么意思
4，intel 22nm工藝指什么

1，英特爾14納米和22納米性能的區(qū)別

制造工藝?！　〈砑呻娐芬?guī)模?！　⊥刃酒娣e下，用14納米的工藝刻畫的電路自然是比用22納米要更多更復雜?！　∷赃@個指標代表了制造工藝先進程度，以及芯片的集成電路集成程度，和性能沒什么直接關系。　?。ㄒ簿褪钦f可以把芯片做得更小，或者同樣芯片大小電路更復雜）　　三級緩存也是緩存，這個細講太麻煩了，就知道，級數(shù)越多，每一級越高，越好?！　〉煌墑e不能比，比如不能2級緩存去比3級緩存。　　最后，任何東西看指標都要綜合對比，某一項指標高并不能說明這個東西一定好。

英特爾14納米和22納米性能的區(qū)別

2，25nm芯片是指什么25nm

您這問題就說錯了吧？應該是主板支持intel 22/32nm處理器，另外intel沒有25nm的cpu，你也拿不出來。cpu不會寫支持多少nm，只會主板寫支持多少nm。而且所謂的納米技術只是cpu的一個連線工藝指標，同一類cpu也有可能采取兩種納米工藝生產(chǎn)，所以納米技術并不能決定主板是否支持這種cpu，只不過網(wǎng)上把intel snb架構(gòu)cpu經(jīng)常叫做32nm，把ivb架構(gòu)cpu叫做22nm。只能說您說的主板支持這兩種cpu而已。

是晶圓內(nèi)部蝕刻電路排線的粗細

25nm芯片是指什么25nm

3，20納米芯片 40 納米芯片等等前面數(shù)字2040是什么意思

這個是芯片的工藝信息，20就是說這些金屬線只有20納米粗細，每兩條線的間距也是20納米大小?？破找幌拢?.目前認為金屬線越細，CPU能達到的頻率就越高，或者同頻率下耗電和發(fā)熱就越低。2.線越細，同等面積下能安放的電路就越多，或者同等功能的CPU面積就越小。手機芯片就是向小而精，低功耗，長待機發(fā)展的。似乎是10nm以下時有個什么電子偏移之類的技術難題還沒攻克，不過那不是咱考慮的范疇了。

ta2020 功率2*30w(4歐)，輸入12-15v直流電源，8路功放同時工作大概要8a以上的電源電源內(nèi)阻越低低音效果越好d類和t類各有優(yōu)點不同的應用有不同的效果............

20納米芯片 40 納米芯片等等前面數(shù)字2040是什么意思

4，intel 22nm工藝指什么

通常其生產(chǎn)的精度以22納米(以前用微米)來表示，精度越高，生產(chǎn)工藝越先進。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線也越細，提高CPU的集成度。制造工藝的微米是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發(fā)展，密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。微電子技術的發(fā)展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進。芯片制造工藝在1995年以后，從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米、80納米、65納米，45納米,32納米,一直發(fā)展到目前最新的22納米，而15納米將是下一代CPU的發(fā)展目標。制造工藝簡單來說，是越小越好，其他復雜的東西這里就不討論了。

22nm等等工藝中的尺寸均指的是每個CMOS元件的導電溝道寬度，并非像樓上幾位兄弟說的每22nm就有一個晶體管，也就是說單個元件的截面寬度并非22nm，但確實制程越小也會使得單個元件面積下降。架構(gòu)與工藝無關。集成電路主要分為設計和工藝兩部分，工藝簡單來說指的是如何將硅從石英中提純，并最終制成集成電路所需要的方法。大致分為提純、光刻、掩膜、封裝等等。22nm技術主要在光刻部分實現(xiàn)。

intel的3d晶體管制程工藝

開什么玩笑樓主不要把農(nóng)民級別的amd的做法復制到intel身上來 amd之所以會有3核這種三腳貓的東西，以及有些u可以開核開l3緩存，就是因為這其實是高端u的次品，因為沒有通過出廠檢驗因此屏蔽掉一些核心或者緩存，然后當做低級別產(chǎn)品來賣。不僅節(jié)約了成本同時也豐富了市場，可謂一舉多得這方面intel要嚴格得多，一旦沒有通過檢驗，東西都是一律報廢的。。。。。而amd和intel本身都有4核心cpu的流水線，有必要去屏蔽了核心嘛？至于功耗，這點牽涉到很多層面，比如緩存大小，晶體管數(shù)量等等。并不是說6核u是600w（夸張比喻，好計算），而4核u就是400w，不是這樣說的。。。。很簡單的一個例子就是amd的x4 9系u的tdp是125w，而x6 10系u同樣也是tdp125w，這個實例充分說明問題了。你不能說所有x4 9都是x6 10屏蔽核心后的產(chǎn)品吧？？？至于工藝，目前的批次確實是32納米。原本官方消息稱今年年底的snb-e應該是22納米工藝，這些旗艦產(chǎn)品打頭陣。但現(xiàn)在看來真正的22納米產(chǎn)品應該在明年上半年推出，intel將該系列定位為ixy bridge系列，用以取代現(xiàn)在的32納米snb，相信到時會有22納米版的i7旗艦取代現(xiàn)在的產(chǎn)品（包括i7 3820）至于那位說什么2年之內(nèi)才會突出，直接無視吧希望我的回答對你有幫助！

CPU是把上億個晶體管放在幾厘米見方的小片上，22nm是指每22nm就有一個晶體管，這個指標越小，單位功耗就越小，單位面積上就可以有更多的晶體管，就可以更快。CPU是不能做到很大的，做得越大，良品率越低，成本也越高，功耗，發(fā)熱量就無法控制，因此現(xiàn)在CPU性能提升就只有兩個方面，一個是架構(gòu)，另一個就是制程，制程就是22nm之類的東西，架構(gòu)就是sandy bridge，ivy bridge之類，架構(gòu)越合理，效率越高。我只能盡量概括的回答你，畢竟INTEL那么大一個公司就只是研究這玩兒，很復雜，有什么不懂你就追問吧