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齊納擊穿，為什么齊納擊穿電壓隨溫度增高而減小

來(lái)源：整理 時(shí)間：2025-01-10 07:17:02 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，為什么齊納擊穿電壓隨溫度增高而減小

溫度增高電子活躍程度增加，所以更容易擊穿。
你好！如果齊納管受溫度影響明顯，則其穩(wěn)壓性能就會(huì)下降。也就是帶載能了下降，所以電壓自然減小了。如果對(duì)你有幫助，望采納。

為什么齊納擊穿電壓隨溫度增高而減小

2，溫度升高對(duì)雪崩擊穿齊納擊穿的影響

首先 說(shuō)一下，你的問(wèn)題本身就是錯(cuò)誤的，溫度升高使雪崩擊穿電壓升高，齊納擊穿電壓下降。你可以查書(shū)，推薦高等教育出版社出版的 低頻電子線路 主編是傅豐林然后 我們所了解的是 擊穿電壓 與 電子所獲得的能量與外加電壓共同作用的結(jié)果才導(dǎo)致的擊穿現(xiàn)象。電子能量+外加電壓=電子掙脫束縛齊納擊穿我覺(jué)得是因?yàn)?溫度升高導(dǎo)致電子能量增多 ，更容易掙脫共價(jià)鍵的束縛，只要提高一點(diǎn)外加電壓 即可使電子脫離共價(jià)鍵，所以齊納擊穿電壓降低至于雪崩擊穿 我還沒(méi)明白 不好意思。希望 鄙人的想法能對(duì)你有所幫助

溫度升高對(duì)雪崩擊穿齊納擊穿的影響

3，二極管是不是有反向有兩個(gè)擊穿當(dāng)電壓高于某個(gè)值則是齊納擊穿

不是的，兩種擊穿都發(fā)生不同的PN結(jié)上的，齊納是發(fā)生在高摻雜的PN結(jié)上的，是可以恢復(fù)的，雪崩擊穿是不可恢復(fù)。
雪崩擊穿大！雪崩擊穿是pn結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值時(shí)，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，pn結(jié)中存在強(qiáng)電場(chǎng)，它能夠直接破壞！共價(jià)鍵將束縛電子分離來(lái)形成電子-空穴對(duì)，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場(chǎng)強(qiáng)度很大！只有在雜質(zhì)濃度特別大！！的pn結(jié)才做得到。（雜質(zhì)大電荷密度就大） pn結(jié)反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿，一般兩種擊穿同時(shí)存在，但在電壓低于5－6v時(shí)的擊穿以齊納擊穿為主，而電壓高于5－6v時(shí)的擊穿以雪崩擊穿為主。兩者的區(qū)別對(duì)于穩(wěn)壓管來(lái)說(shuō)，主要是：電壓低于5－6v的穩(wěn)壓管，齊納擊穿為主，穩(wěn)壓值的溫度系數(shù)為負(fù)。電壓高于5－6v的穩(wěn)壓管，雪崩擊穿為主，穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)為正。

二極管是不是有反向有兩個(gè)擊穿當(dāng)電壓高于某個(gè)值則是齊納擊穿

4，齊納二極管中為什么雪崩擊穿的反向擊穿電壓值具有正溫度系數(shù)

我來(lái)試一試??（為什么雪崩擊穿的反向擊穿電壓值具有正溫度系數(shù)）分一下幾個(gè)過(guò)程：1、溫度升高，晶格的熱振動(dòng)加劇，使載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短；（也可以從遷移率下降來(lái)理解）2、平均自由程縮短就相當(dāng)于加速跑道縮短了，而如果加速度（外加電壓）不變的話，就達(dá)不到碰撞電離的速度（雪崩擊穿）；3、那如果要達(dá)到碰撞電離的速度，我們就需要提高外界電壓（即提高加速度），也就是雪崩擊穿電壓變大了；4、綜上，溫度升高導(dǎo)致雪崩擊穿電壓升高，即具有正溫度系數(shù)。
齊納擊穿和雪崩擊穿是不同的機(jī)理，前者是負(fù)溫度系數(shù)，后者是正溫度系數(shù)。齊納擊穿是在重?fù)诫s情況下，擊穿電壓隨溫度升高而降低，因?yàn)闇囟壬?，能隙減小，因而在較高的溫度下，加較小的反向電壓就能達(dá)到給定的擊穿電流。
齊納擊穿發(fā)生在高摻雜濃度的pn結(jié)中，當(dāng)pn結(jié)的摻雜濃度很高時(shí)，阻擋層很薄，載流子在阻擋層內(nèi)與中性原子相碰撞的機(jī)會(huì)極小，因而不容易發(fā)生碰撞電離。但是，在這種阻擋層內(nèi)，只要加上不大的反向電壓，就能建立很強(qiáng)的電場(chǎng)，足以把阻擋層內(nèi)的中性原子的價(jià)電子直接從共價(jià)鍵中拉出來(lái)，產(chǎn)生自由電子-空穴對(duì)。

5，二極管雪崩擊穿與齊納擊穿哪個(gè)電壓大

雪崩擊穿大！　　雪崩擊穿是PN結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值時(shí)，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快?！　↓R納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結(jié)中存在強(qiáng)電場(chǎng)，它能夠直接破壞！共價(jià)鍵將束縛電子分離來(lái)形成電子-空穴對(duì)，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場(chǎng)強(qiáng)度很大！只有在雜質(zhì)濃度特別大?。〉腜N結(jié)才做得到。（雜質(zhì)大電荷密度就大）　　PN結(jié)反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿，一般兩種擊穿同時(shí)存在，但在電壓低于　　5－6V時(shí)的擊穿以齊納擊穿為主，而電壓高于5－6V時(shí)的擊穿以雪崩擊穿為主?！　烧叩膮^(qū)別對(duì)于穩(wěn)壓管來(lái)說(shuō)，主要是：　　電壓低于5－6V的穩(wěn)壓管，齊納擊穿為主，穩(wěn)壓值的溫度系數(shù)為負(fù)。　　電壓高于5－6V的穩(wěn)壓管，雪崩擊穿為主，穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)為正。
晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流i0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。 回答者： 中華才俊網(wǎng) - 大魔法師 八級(jí) 二極管的擊穿原理見(jiàn)樓上，齊納擊穿和雪崩擊穿區(qū)別在于： 齊納擊穿可恢復(fù)，齊納二極管（穩(wěn)壓二極管）擊穿后可以自愈，是一種正常的工作狀態(tài)，齊納二極管就工作在齊納擊穿區(qū)。 雪崩擊穿不可恢復(fù)，是一種非正常的工作狀態(tài)，一旦二極管工作在雪崩擊穿區(qū)，該二極管即已損壞報(bào)廢，表現(xiàn)為短路，失去半導(dǎo)體特性。 當(dāng)齊納二極管的反向擊穿電流超過(guò)其允許的最大擊穿電流數(shù)倍時(shí)，齊納二極管也會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，現(xiàn)象是二極管短路報(bào)廢。 回答者： 南燕老師 - 高級(jí)魔法師 六級(jí) 1-8 15:17

6，齊納擊穿求解釋

ZENER BREAKDOWN　　在高摻雜的情況下，因耗盡層寬度很小，不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強(qiáng)的電場(chǎng)，而直接破壞共價(jià)鍵，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。也稱為隧道擊穿。齊納擊穿是暫時(shí)性的，可以恢復(fù)?！　↓R納擊穿一般發(fā)生在低反壓、高摻雜的情況下。隧道擊穿 　是半導(dǎo)體物理的概念。 隧道擊穿(齊納擊穿)：隧道擊穿是在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，由隧道效應(yīng)，使大量電子從價(jià)帶穿過(guò)禁帶而進(jìn)入到導(dǎo)帶所引起的一種擊穿現(xiàn)象。因?yàn)樽畛跏怯升R納提出來(lái)解釋電介質(zhì)擊穿現(xiàn)象的，故叫齊納擊穿。 當(dāng)p-n結(jié)加反向偏壓時(shí)，勢(shì)壘區(qū)能帶發(fā)生傾斜；反向偏壓越大，勢(shì)壘越高，勢(shì)壘區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)也越強(qiáng)，勢(shì)壘區(qū)能帶也越加傾斜，甚至可以使n區(qū)的導(dǎo)帶底比p區(qū)的價(jià)帶頂還低。內(nèi)建電場(chǎng)E使p區(qū)的價(jià)帶電子得到附加勢(shì)能q|E|x；當(dāng)內(nèi)建電場(chǎng)|E|大到某值以后，價(jià)帶中的部分電子所得到的附加勢(shì)能q|E|x可以大于禁帶寬度；如果p區(qū)價(jià)帶中的A點(diǎn)和n區(qū)導(dǎo)帶中的B點(diǎn)有相同的能量，則在A點(diǎn)的電子可以過(guò)渡到B點(diǎn)。實(shí)際上，這只是說(shuō)明在由A點(diǎn)和B點(diǎn)的一段距離中，電場(chǎng)給予電子的能量等于禁帶寬度。因?yàn)锳和B之間隔著水平距離為的禁帶,所以電子從A到B的過(guò)渡一般不會(huì)發(fā)生。隨著反向偏壓的增大,勢(shì)壘區(qū)的電場(chǎng)增強(qiáng)，能帶更加傾斜，將變得更短。當(dāng)反向偏壓達(dá)到一定數(shù)值，短到一定程度時(shí)，量子力學(xué)證明，p區(qū)價(jià)帶中的電子將通過(guò)隧道效應(yīng)穿過(guò)禁帶而到達(dá)n區(qū)導(dǎo)帶中。
半導(dǎo)體工藝中，由高純度的本征半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，從而形成不同的形態(tài)。如果摻雜5價(jià)原子因電子數(shù)大于空穴數(shù)即稱為n型半導(dǎo)體，若摻雜3價(jià)原子因電子數(shù)小于空穴數(shù)即稱為p型半導(dǎo)體?？昭ê碗娮佣寄馨徇\(yùn)電荷，因而稱載流子。將兩種形態(tài)的半導(dǎo)體相鄰結(jié)合到一起，由于彼此所含電子和空穴數(shù)濃度不同，因而相互擴(kuò)散，由濃度高的向濃度低的地方移動(dòng)，電子和空穴會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)相互結(jié)合而消失，以保持中性，這樣形成一段沒(méi)有載流子的空間，稱為耗盡層。耗盡層存在電位差，有電場(chǎng)的存在，稱之為內(nèi)電場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下載流子發(fā)生定向移動(dòng)，稱之為漂移。擴(kuò)散使電場(chǎng)增加，空間電荷范圍加大，而漂移則在減弱空間電荷范圍。這種將pn相鄰結(jié)合到一起制成的晶體結(jié)構(gòu)，稱之為pn結(jié)。pn結(jié)在沒(méi)有外力的情況下，處于熱平衡狀態(tài)，這種平衡狀態(tài)是處于動(dòng)態(tài)之中的，即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)行達(dá)成的平衡狀態(tài)。pn結(jié)的外加電壓，如果p端的電位高于n端的電位，這樣的外電電場(chǎng)削弱了內(nèi)電場(chǎng)，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散,形成從p流向n的電流，稱為正向偏置，反之，載流子則幾乎不發(fā)生移動(dòng)，稱為反向偏置。反向電壓大于某一值時(shí)，會(huì)有導(dǎo)致pn結(jié)擊穿，稱為齊納擊穿或隧道擊穿。另一種情況，是pn結(jié)兩側(cè)的雜質(zhì)濃度過(guò)小，在高的反向電壓作用下，引起價(jià)鍵的斷裂，從而使電流成倍增加，稱為電子雪崩現(xiàn)象或雪崩擊穿。pn結(jié)制作成元器件使用就是二極管。pn結(jié)，p區(qū)空穴向n區(qū)擴(kuò)散，n區(qū)電子向p區(qū)擴(kuò)散，在相遇處復(fù)合。p區(qū)空穴擴(kuò)散后留下負(fù)離子，而n區(qū)電子擴(kuò)散后留下正離子，形成由n指向p的內(nèi)電場(chǎng)。正向偏置時(shí)，p區(qū)不斷提供復(fù)合留下的負(fù)離子，n區(qū)則復(fù)合留下的正離子，使得內(nèi)電場(chǎng)范圍縮小，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，平衡狀態(tài)發(fā)生破壞，因而有電流的產(chǎn)生。反向偏置，少數(shù)載流子的漂移處于優(yōu)勢(shì)，但因少數(shù)載流子濃度太低，引起的反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。所以問(wèn)題關(guān)鍵在于擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)是否平衡。半導(dǎo)體三極管，存在兩個(gè)pn結(jié)，了解半導(dǎo)體三極管的工作原理就是要了解這兩個(gè)pn結(jié)的平衡狀態(tài)，在發(fā)生什么變化。 晶體管的制作要求，從濃度大小來(lái)看，發(fā)射區(qū)最大，集電區(qū)最小。從尺寸看，集電區(qū)最大，基區(qū)最小。如果條件不能滿足，晶體管將無(wú)法工作。
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