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多晶硅和單晶硅，單晶硅和多晶硅的區(qū)別

來源：整理 時間：2024-12-30 23:40:24 編輯：智能門戶 手機版

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1，單晶硅和多晶硅的區(qū)別

簡單區(qū)別 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列 單晶是有序排列 多晶是無序排列 主要是有它們的加工工藝決定的 多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型 而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過程就是一個原子結(jié)構(gòu)重組的過程.

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

2，單晶硅和多晶硅的哪個好

單晶硅好。單晶硅電池具有電池轉(zhuǎn)換效率高，穩(wěn)定性好，但是成本較高。單晶硅電池早在20多年前就已突破光電轉(zhuǎn)換效率20%以上的技術(shù)關(guān)口?！　《嗑Ч桦姵爻杀镜停D(zhuǎn)換效率略低于直拉單晶硅太陽能電池，材料中的各種缺陷，如晶界、位錯、微缺陷，和材料中的雜質(zhì)碳和氧，以及工藝過程中玷污的過渡族金屬被認為是造成多晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率一直無法突破20%的關(guān)口。

單晶硅和多晶硅的哪個好

3，單晶硅和多晶硅的區(qū)別是什么各有什么特點

多晶硅(p-Si) 熔融硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。 單晶硅(c-Si) 以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種（籽晶）上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅 單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可達14%-17%,但價格較高。多晶硅電池價格相對較低轉(zhuǎn)換效率一般為12%-14%

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是什么各有什么特點

4，單晶硅和多晶硅的區(qū)別

不同意一樓的說法硅有晶態(tài)和無定形兩種同素異形體。晶態(tài)硅又分為單晶硅和多晶硅，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆， 單晶硅和多晶硅從定義上來講不屬于同素異形體晶體的原子在長程范圍內(nèi)在三維空間中都保持有序而且重復的結(jié)構(gòu)，一組原子的重復單元叫晶胞。如果晶胞在三維方向上是整齊重復排列的就叫單晶，比如象一塊一塊的整齊排列的磚。如果晶胞不是有規(guī)律的整齊排列就叫多晶，比如象一堆雜亂無序的磚。
簡單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過程就是一個原子結(jié)構(gòu)重組的過程.

5，多晶硅和單晶硅的區(qū)別

單晶硅是用多晶硅經(jīng)單晶爐拉制而成的，也有用區(qū)熔法制取單晶硅的。但是區(qū)熔單晶硅的位錯密度較大。所以半導體器件多用拉制的單晶，單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。
簡單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過程就是一個原子結(jié)構(gòu)重組的過程.
差異主要表現(xiàn)在物理方面 多晶硅的各向異性沒有單晶硅的明顯 其導電性比單晶硅的弱

6，單晶硅與多晶硅有何區(qū)別

多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。想詳細了解百度百科一下。
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簡單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過程就是一個原子結(jié)構(gòu)重組的過程.
首先晶體結(jié)構(gòu)不同，單晶硅是原子有序排列的，而多晶硅不是。生產(chǎn)方式不同，單晶硅一般為直拉法，而多晶硅采取澆鑄法。晶體結(jié)構(gòu)不同，轉(zhuǎn)換率不同，單晶要大一些。多晶硅片易碎損耗厲害但是產(chǎn)量高。單晶硅由于晶體結(jié)構(gòu)原因會有四條對稱晶線，缺一不可，反之便為多晶硅。
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