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多晶硅和單晶硅,單晶硅和多晶硅的區(qū)別

來(lái)源:整理 時(shí)間:2024-12-30 23:40:24 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,單晶硅和多晶硅的區(qū)別

簡(jiǎn)單區(qū)別 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列 單晶是有序排列 多晶是無(wú)序排列 主要是有它們的加工工藝決定的 多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型 而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過(guò)程就是一個(gè)原子結(jié)構(gòu)重組的過(guò)程.

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

2,單晶硅和多晶硅的哪個(gè)好

單晶硅好。單晶硅電池具有電池轉(zhuǎn)換效率高,穩(wěn)定性好,但是成本較高。單晶硅電池早在20多年前就已突破光電轉(zhuǎn)換效率20%以上的技術(shù)關(guān)口?! 《嗑Ч桦姵爻杀镜?,轉(zhuǎn)換效率略低于直拉單晶硅太陽(yáng)能電池,材料中的各種缺陷,如晶界、位錯(cuò)、微缺陷,和材料中的雜質(zhì)碳和氧,以及工藝過(guò)程中玷污的過(guò)渡族金屬被認(rèn)為是造成多晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率一直無(wú)法突破20%的關(guān)口。

單晶硅和多晶硅的哪個(gè)好

3,單晶硅和多晶硅的區(qū)別是什么各有什么特點(diǎn)

多晶硅(p-Si) 熔融硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。 單晶硅(c-Si) 以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種(籽晶)上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齊排列所以稱為單晶硅 單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可達(dá)14%-17%,但價(jià)格較高。多晶硅電池價(jià)格相對(duì)較低轉(zhuǎn)換效率一般為12%-14%

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是什么各有什么特點(diǎn)

4,單晶硅和多晶硅的區(qū)別

不同意一樓的說(shuō)法硅有晶態(tài)和無(wú)定形兩種同素異形體。晶態(tài)硅又分為單晶硅和多晶硅,它們均具有金剛石晶格,晶體硬而脆, 單晶硅和多晶硅從定義上來(lái)講不屬于同素異形體晶體的原子在長(zhǎng)程范圍內(nèi)在三維空間中都保持有序而且重復(fù)的結(jié)構(gòu),一組原子的重復(fù)單元叫晶胞。如果晶胞在三維方向上是整齊重復(fù)排列的就叫單晶,比如象一塊一塊的整齊排列的磚。如果晶胞不是有規(guī)律的整齊排列就叫多晶,比如象一堆雜亂無(wú)序的磚。
簡(jiǎn)單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無(wú)序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過(guò)程就是一個(gè)原子結(jié)構(gòu)重組的過(guò)程.

5,多晶硅和單晶硅的區(qū)別

單晶硅是用多晶硅經(jīng)單晶爐拉制而成的,也有用區(qū)熔法制取單晶硅的。但是區(qū)熔單晶硅的位錯(cuò)密度較大。所以半導(dǎo)體器件多用拉制的單晶,單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。
簡(jiǎn)單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無(wú)序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過(guò)程就是一個(gè)原子結(jié)構(gòu)重組的過(guò)程.
差異主要表現(xiàn)在物理方面 多晶硅的各向異性沒有單晶硅的明顯 其導(dǎo)電性比單晶硅的弱

6,單晶硅與多晶硅有何區(qū)別

多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。想詳細(xì)了解百度百科一下。
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簡(jiǎn)單區(qū)別單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是無(wú)序排列主要是有它們的加工工藝決定的多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型而單晶是采取西門子法改良直拉,直拉過(guò)程就是一個(gè)原子結(jié)構(gòu)重組的過(guò)程.
首先晶體結(jié)構(gòu)不同,單晶硅是原子有序排列的,而多晶硅不是。生產(chǎn)方式不同,單晶硅一般為直拉法,而多晶硅采取澆鑄法。晶體結(jié)構(gòu)不同,轉(zhuǎn)換率不同,單晶要大一些。多晶硅片易碎損耗厲害但是產(chǎn)量高。單晶硅由于晶體結(jié)構(gòu)原因會(huì)有四條對(duì)稱晶線,缺一不可,反之便為多晶硅。
文章TAG:多晶硅單晶硅區(qū)別多晶硅和單晶硅

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