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硅太陽(yáng)能電池，硅光電池是什么

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-08 06:27:18 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，硅光電池是什么

　硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯(PN結(jié))受到光照時(shí)，你就會(huì)看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個(gè)現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的PN結(jié)面積要比二極管的PN結(jié)大得多，所以受到光照時(shí)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)和電流也大得多。
主要原料是硅晶體

硅光電池是什么

2，硅太陽(yáng)能電池有哪些種類

硅太陽(yáng)能電池分為單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池三種。單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為成熟。在實(shí)驗(yàn)室里最高的轉(zhuǎn)換效率為24.7%，規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的效率為15%。在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但由于單晶硅成本價(jià)格高，大幅度降低其成本很困難，為了節(jié)省硅材料，發(fā)展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做為單晶硅太陽(yáng)能電池的替代產(chǎn)品。多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池與單晶硅比較,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜電池，其實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率為18%,工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率為10%。因此，多晶硅薄膜電池不久將會(huì)在太陽(yáng)能電地市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池成本低重量輕，轉(zhuǎn)換效率較高，便于大規(guī)模生產(chǎn)，有極大的潛力。但受制于其材料引發(fā)的光電效率衰退效應(yīng)，穩(wěn)定性不高，直接影響了它的實(shí)際應(yīng)用。如果能進(jìn)一步解決穩(wěn)定性問(wèn)題及提高轉(zhuǎn)換率問(wèn)題，那么，非晶硅太陽(yáng)能電池?zé)o疑是太陽(yáng)能電池的主要發(fā)展產(chǎn)品之一。

硅太陽(yáng)能電池有哪些種類

3，單晶硅光伏電池的制作方法是什么

光伏電池工作原理： 　　太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應(yīng)工作的薄膜式太陽(yáng)能電池為主流，而以光化學(xué)效應(yīng)原理工作的太陽(yáng)能電池則還處于萌芽階段。太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上，形成新的空穴--電子對(duì)。在p-n結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由n區(qū)流向p區(qū)，電子由p區(qū)流向n區(qū)，接通電路后就形成電流。 光伏電池介紹：　 　　太陽(yáng)能光伏電池（簡(jiǎn)稱光伏電池）用于把太陽(yáng)的光能直接轉(zhuǎn)化為電能。目前地面光伏系統(tǒng)大量使用的是以硅為基底的硅太陽(yáng)能電池，可分為單晶硅、多晶硅、非晶硅太陽(yáng)能電池。在能量轉(zhuǎn)換效率和使用壽命等綜合性能方面，單晶硅和多晶硅電池優(yōu)于非晶硅電池。多晶硅比單晶硅轉(zhuǎn)換效率低，但價(jià)格更便宜。 按照應(yīng)用需求，太陽(yáng)能電池經(jīng)過(guò)一定的組合，達(dá)到一定的額定輸出功率和輸出的電壓的一組光伏電池，叫光伏組件。根據(jù)光伏電站大小和規(guī)模，由光伏組件可組成各種大小不同的陣列。 本公司光伏組件，采用高效率單晶硅或多晶硅光伏電池、高透光率鋼化玻璃、Tedlar、抗腐蝕鋁合多邊框等材料，使用先進(jìn)的真空層壓工藝及脈沖焊接工藝制造。即使在最嚴(yán)酷的環(huán)境中也能保證長(zhǎng)的使用壽命。 組件的安裝架設(shè)十分方便。組件的北面安裝有一個(gè)防水接線盒，通過(guò)它可以十分方便地與外電路連接。對(duì)每一塊太陽(yáng)電池組件，都保證20年以上的使用壽命。

單晶硅光伏電池的制作方法是什么

4，硅太陽(yáng)能電池有哪些方面的應(yīng)用

光伏電池的發(fā)展已經(jīng)比較完善了，效率高的比如單晶硅，主流的可以做到18%效率，大規(guī)模發(fā)電的光伏電站也比較多了。而非晶硅涂敷技術(shù)比較適用于大規(guī)模生產(chǎn)，但效率只能到7-8%，可以用在大廈的外墻玻璃或者便于攜帶的柔性電池。應(yīng)用范圍很廣的，小到計(jì)算器、大到發(fā)電站。
將單晶硅棒切成片，一般片厚約0.3毫米。硅片經(jīng)過(guò)拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太陽(yáng)能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成p>n結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法，精配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過(guò)燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此，單晶硅太陽(yáng)能電池的單體片就制成了。單體片經(jīng)過(guò)抽查檢驗(yàn)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽(yáng)能電池組件（太陽(yáng)能電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。最后用框架和材料進(jìn)行封裝。希望可以幫助你哈
就目前來(lái)說(shuō)，光伏發(fā)電里以單晶硅發(fā)電效率最高，但也只是7%左右，所以大規(guī)模應(yīng)用并不現(xiàn)實(shí)，目前，硅太陽(yáng)能電池主要應(yīng)用于小功率電器充電，比如手機(jī)、手表等，較大功率的基本上就是路燈、電視等，一般來(lái)說(shuō)，硅太陽(yáng)能電池模組能提供到10KW左右的功率就已經(jīng)是非常大規(guī)模的了。

5，硅太陽(yáng)能電池原理

看一下光生伏打效應(yīng) 是指物體由于吸收光子而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象，是當(dāng)物體受光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。嚴(yán)格來(lái)講，包括兩種類型：一類是發(fā)生在均勻半導(dǎo)體材料內(nèi)部；一類是發(fā)生在半導(dǎo)體的界面。雖然它們之間有一定相似的地方，但產(chǎn)生這兩個(gè)效應(yīng)的具體機(jī)制是不相同的。通常稱前一類為丹倍效應(yīng)[1]，而把光生伏打效應(yīng)的涵義只局限于后一類情形。 當(dāng)兩種不同材料所形成的結(jié)受到光輻照時(shí)，結(jié)上產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。它的過(guò)程先是材料吸收光子的能量，產(chǎn)生數(shù)量相等的正、負(fù)電荷，隨后這些電荷分別遷移到結(jié)的兩側(cè)，形成偶電層。光生伏打效應(yīng)雖然不是瞬時(shí)產(chǎn)生的，但其響應(yīng)時(shí)間是相當(dāng)短的。 [編輯本段]發(fā)現(xiàn)者 1839年，法國(guó)物理學(xué)家A. E. 貝克勒爾意外地發(fā)現(xiàn)，用兩片金屬浸入溶液構(gòu)成的伏打電池，受到陽(yáng)光照射時(shí)會(huì)產(chǎn)生額外的伏打電勢(shì)，他把這種現(xiàn)象稱為光生伏打效應(yīng)。1883年，有人在半導(dǎo)體硒和金屬接觸處發(fā)現(xiàn)了固體光伏效應(yīng)。后來(lái)就把能夠產(chǎn)生光生伏打效應(yīng)的器件稱為光伏器件。 當(dāng)太陽(yáng)光或其他光照射半導(dǎo)體的PN結(jié)時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生光生伏打效應(yīng)。光生伏打效應(yīng)使得PN結(jié)兩邊出現(xiàn)電壓，叫做光生電壓。使PN結(jié)短路，就會(huì)產(chǎn)生電流。 [編輯本段]光生伏打效應(yīng)應(yīng)用 當(dāng)前，光生伏打效應(yīng)主要是應(yīng)用在半導(dǎo)體的PN結(jié)上，把輻射能轉(zhuǎn)換成電能。大量研究集中在太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)換效率上。理論預(yù)期的效率為24％。 由于半導(dǎo)體PN結(jié)器件在陽(yáng)光下的光電轉(zhuǎn)換效率最高，所以通常把這類光伏器件稱為太陽(yáng)能電池，也稱光電池或太陽(yáng)電池。

6，多晶硅太陽(yáng)電池的原理是什么

硅是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料中98％是硅，半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區(qū)熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。區(qū)域熔單晶目前主要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應(yīng)用最廣。 中彰國(guó)際（SINOSI）是一家致力于尖端科技、開(kāi)拓創(chuàng)新的公司。中彰國(guó)際（SINOSI）能夠規(guī)模生產(chǎn)和大批量供應(yīng)單晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉拋光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和區(qū)熔NTD磨片并且可以按照國(guó)內(nèi)、外客戶的要求提供非標(biāo)產(chǎn)品。 單晶硅 單晶硅主要有直拉和區(qū)熔 區(qū)熔（NTD）單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。 各項(xiàng)參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。 多晶硅 區(qū)熔用多晶硅：可生產(chǎn)直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各項(xiàng)參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。 切磨片 切磨片可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數(shù)符合并優(yōu)于國(guó)家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)，并可按客戶要求生產(chǎn)。 拋光片 拋光片可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數(shù)符合并優(yōu)于國(guó)家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)，并可按客戶要求生產(chǎn)。 高純的單晶硅棒是單晶硅太陽(yáng)電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽(yáng)電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)得最快的一種太陽(yáng)電池，它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)電池專用的單晶硅棒。 單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽(yáng)能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說(shuō)無(wú)處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開(kāi)單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。 在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開(kāi)始。現(xiàn)在，國(guó)外的太陽(yáng)能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過(guò)渡，太陽(yáng)能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。 直拉硅單晶廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。區(qū)域熔單晶目前主要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。 區(qū)熔（NTD）單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。 直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。 硅單晶被稱為現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區(qū)熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應(yīng)用于微電子領(lǐng)域，微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，使人類社會(huì)進(jìn)入了信息化時(shí)代，被稱為硅片引起的第一次革命。區(qū)熔單晶硅是利用懸浮區(qū)熔技術(shù)制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個(gè)方面。 1、制作電力電子器件 電力電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)電力管理，提高電功效率的關(guān)鍵技術(shù)。飛速發(fā)展的電力電子被稱為“硅片引起的第二次革命”，大多數(shù)電力電子器件是用區(qū)熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電、靜止無(wú)功補(bǔ)償、電力機(jī)車牽引、交直流電力傳動(dòng)、電解、勵(lì)磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統(tǒng)和電氣工程中。制作電力電子器件，是區(qū)熔單晶硅的傳統(tǒng)市場(chǎng)，也是本項(xiàng)目產(chǎn)品的市場(chǎng)基礎(chǔ)。 2、制作高效率太陽(yáng)能光伏電池 太陽(yáng)能目前已經(jīng)成為最受關(guān)注的綠色能源產(chǎn)業(yè)。美國(guó)、歐洲、日本都制定了大力促進(jìn)本國(guó)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，我國(guó)也于2005年3月份通過(guò)了《可再生能源法》。這些措施極大地促進(jìn)了太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計(jì)，從1998—2004年，國(guó)際太陽(yáng)能光伏電池的市場(chǎng)一直保持高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，年平均增長(zhǎng)速度達(dá)到30%，預(yù)計(jì)到2010年，仍將保持至少25%的增長(zhǎng)速度。 晶體硅是目前應(yīng)用最成熟，最廣泛的太陽(yáng)能電池材料，占光伏產(chǎn)業(yè)的85%以上。美國(guó)SunPower公司最近開(kāi)發(fā)出利用區(qū)熔硅制作太陽(yáng)能電池技術(shù)，其產(chǎn)業(yè)化規(guī)模光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20%，為目前產(chǎn)業(yè)化最高水平，其綜合性價(jià)比超過(guò)直拉單晶硅太陽(yáng)能電池（光電轉(zhuǎn)換效率為15%）和多晶硅太陽(yáng)能電池（光電轉(zhuǎn)換效率為12%）。這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)極大地?cái)U(kuò)展區(qū)熔硅單晶的市場(chǎng)空間。據(jù)估計(jì)，到2010年，其總的市場(chǎng)規(guī)模到將達(dá)到電力電子需求規(guī)模，這是本項(xiàng)目新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 3、制作射頻器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 區(qū)熔單晶還可以用來(lái)制作部分分立器件。另外采用高阻區(qū)熔硅制造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應(yīng)用于微波通訊、雷達(dá)、導(dǎo)航、測(cè)控、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，顯示出巨大的應(yīng)用前景。這也是區(qū)熔單晶的又一個(gè)新興的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 4、制作各種探測(cè)器、傳感器，遠(yuǎn)紅外窗口 探測(cè)器、傳感器是工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵元器件，被廣泛應(yīng)用于光探測(cè)、光纖通訊、工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中以及醫(yī)療、軍事、電訊、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。高純的區(qū)熔硅單晶是制作各種探測(cè)器、傳感器的關(guān)鍵原材料，其市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)也很明顯。 圖片參考： http://www.sinosi.com/chinese/Products%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conductor%20Silicon.htm http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214
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