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cmos管，選cmos管最重要3參數(shù)

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-25 13:39:51 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1，選cmos管最重要3參數(shù)

bios：基本輸入輸出管理系統(tǒng)，這個(gè)是對(duì)幾乎所有硬件的最底層管理軟件和硬件的總稱。 cmos：實(shí)際上就是一小片存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)著bios中設(shè)置的一些參數(shù)。
搜一下：選cmos管最重要3參數(shù)

選cmos管最重要3參數(shù)

2，CMOSMOS管導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻的大小是一種非線性變化，跟GS兩端電壓有關(guān)，如果UGS=UGS(th)時(shí)，一般這個(gè)電阻大概有幾歐到幾十歐，當(dāng)UGS=8~10V時(shí)，這個(gè)電阻會(huì)下降到零點(diǎn)幾歐甚至零點(diǎn)幾毫歐，非常小。這方面屬于半導(dǎo)體物理領(lǐng)域，作為電子工程師需要知道這個(gè)特性，但不需要去關(guān)心它為什么這樣，只要會(huì)用就可以了。
這個(gè)要看cmos工作在什么狀態(tài)，飽和還是線性
一般只有幾毫歐到幾十毫歐

CMOSMOS管導(dǎo)通電阻

3，CMOS場(chǎng)效應(yīng)管的原理

說(shuō)的通俗一點(diǎn) ，就是有一端是個(gè)控制端，可以根據(jù)控制端電壓的大小來(lái)控制另外的兩個(gè)端通道的大小，就像水龍頭一樣，控制端就像閥門(mén)，可以控制水流的大小。
比較復(fù)雜啊建議你看一下 cmos 集成電路版圖—概念、方法與工具 <a target="_blank">http://www.dearbook.com.cn/book/104229</a>

CMOS場(chǎng)效應(yīng)管的原理

4，晶體管 二級(jí)管 CMOS MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有啥區(qū)別謝謝

MOS管就是場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要電子元件，現(xiàn)在被廣泛使用,他具有和以前的電子管一樣的特性,是一種電壓控制元件,依靠電壓信號(hào)進(jìn)行放大,原理是依靠一個(gè)信號(hào)控制導(dǎo)電構(gòu)寬度從而控制導(dǎo)電性.場(chǎng)效應(yīng)管具有三個(gè)接腳. 二級(jí)管是一種半導(dǎo)體的普通器件,使得電子只能從一個(gè)方向流到另一個(gè)方向,他只有兩個(gè)腳,也被很廣泛使用. 晶體管,是一個(gè)總稱,他包括場(chǎng)效應(yīng)管,可控硅等等器件,一般不能說(shuō)他有多少個(gè)腳,比如MOS管就三個(gè)腳,可晶閘管什么的卻好幾個(gè)腳. CMOS 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種類似MOS管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的多MOS結(jié)構(gòu)組成的電路,換句話說(shuō)，他是一種由無(wú)數(shù)電子元件組成的儲(chǔ)存介質(zhì),比如說(shuō),MOS是一個(gè)電子器件,而CMOS是容器，他可以裝數(shù)據(jù)在里邊.

5，cmos管的做用是什么

CMOS是佳能自主開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的“圖像感應(yīng)器（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）”的英文縮寫(xiě)。 佳能全系列數(shù)碼單反相機(jī)都采用CMOS，這是數(shù)碼相機(jī)成像的關(guān)鍵核心元件。在技術(shù)上，佳能通過(guò)采用片上降噪技術(shù)等先進(jìn)技術(shù)，大大減少了CMOS存在的像素變化和噪聲，提高了整體信噪比并實(shí)現(xiàn)了高速信號(hào)讀取。佳采用的是大型的CMOS圖像感應(yīng)器，主要有三種規(guī)格：全畫(huà)幅、APS-H尺寸、APS-C尺寸，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于不可更換鏡頭的消費(fèi)類數(shù)碼相機(jī)所采用的CCD尺寸。更大的圖像感應(yīng)器，帶來(lái)更出色的影像素質(zhì)。感應(yīng)器越大，接收捕捉到的光信號(hào)就越多，圖像的色彩和層次就會(huì)更豐富；大尺寸感應(yīng)器帶來(lái)更寬的動(dòng)態(tài)范圍，亮部和暗部都會(huì)保留更多的細(xì)節(jié)，同時(shí)帶來(lái)更高的信噪比，噪音信號(hào)極少。
CMOS是“圖像感應(yīng)器”.相當(dāng)于你的視網(wǎng)神經(jīng)吧！
大部分?jǐn)?shù)碼單反相機(jī)都采用CMOS，CMOS是“圖像感應(yīng)器”。主要有三種規(guī)格：全畫(huà)幅、APS-H尺寸、APS-C尺寸，現(xiàn)在的CMOS技術(shù)已非常成熟。
說(shuō)的通俗一點(diǎn) ，就是有一端是個(gè)控制端，可以根據(jù)控制端電壓的大小來(lái)控制另外的兩個(gè)端通道的大小，就像水龍頭一樣，控制端就像閥門(mén)，可以控制水流的大小。

6，三極管與MOS管有什么區(qū)別

1、工作性質(zhì)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制，2、成本問(wèn)題：三極管便宜，mos管貴。3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。4、驅(qū)動(dòng)能力：mos管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管實(shí)際上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在，此時(shí)如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)（實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過(guò)基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng)，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng)，此過(guò)程類似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。而mos三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。實(shí)際上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在，此時(shí)如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)（實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過(guò)基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng)，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng)，此過(guò)程類似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。而mos三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管
1、工作性質(zhì)：三極管用電流控制，mos管屬于電壓控制. 2、成本問(wèn)題：三極管便宜，mos管貴。 3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。 4、驅(qū)動(dòng)能力：mos管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。 實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。 mos管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。 一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮mos管 實(shí)際上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在，此時(shí)如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)（實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過(guò)基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，并與此處的pn的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng)，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng)，此過(guò)程類似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。而mos三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。 （2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。 （3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。 （4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。 （5）場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。 （6）場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的
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