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碳化硅半導(dǎo)體，碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說下應(yīng)用于什么機(jī)器之

來源：整理時間：2023-08-15 19:14:00 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說下應(yīng)用于什么機(jī)器之
2，請高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢特點(diǎn)和不
3，碳化硅的化學(xué)性質(zhì)
4，碳化硅晶體是做什么的
5，碳化硅晶片的介紹
6，SiC半導(dǎo)體技術(shù)什么是SiC半導(dǎo)體技術(shù)

1，碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說下應(yīng)用于什么機(jī)器之

碳化硅半導(dǎo)體主要用來做二極管，用于高性能LED，國防軍工的微波發(fā)生器等。損耗小，導(dǎo)熱性好是它的主要優(yōu)勢。

雖然我很聰明，但這么說真的難到我了

碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說下應(yīng)用于什么機(jī)器之

2，請高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢特點(diǎn)和不

碳化硅單晶體可以制作晶體管（二極管和三極管）。因?yàn)樘蓟璧慕麕挾却?，故做成的器件能耐高壓和高溫，是一種很好的大功率器件的材料。缺點(diǎn)是其單晶的制造比較困難，器件工藝也不成熟，而且在器件中的歐姆接觸難以做好（因?yàn)槭菍捊麕О雽?dǎo)體,重?fù)诫s難以起作用）。碳化硅的硬度很大（僅次于金剛石），可用作為磨料。碳化硅的熔點(diǎn)高，能夠耐高溫（比一般的陶瓷還好），所以作為高溫保護(hù)膜是較好的。

你好！碳化硅耐熱，耐高溫。現(xiàn)在國產(chǎn)大飛機(jī)不是叫嚷著要用碳化硅么。一般都是納米級高米碳化硅了如有疑問，請追問。

請高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢特點(diǎn)和不

3，碳化硅的化學(xué)性質(zhì)

分子式為SiC，其硬度介于剛玉和金剛石之間，機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉，可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。工業(yè)用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在隕石和地殼中雖有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供開采的礦源。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的硬度很大，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。

碳化硅的化學(xué)性質(zhì)

4，碳化硅晶體是做什么的

碳化硅晶體主要有兩個方面的應(yīng)用：（1）碳化硅的硬度很大（僅小于金剛石），它的粉末可用作為磨料；（2）是一種很好的高溫、高壓半導(dǎo)體材料，現(xiàn)在已經(jīng)在高壓功率半導(dǎo)體器件中顯示出了優(yōu)良的性能。

SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，可用于地面核反應(yīng)堆系統(tǒng)的監(jiān)控、原油勘探、環(huán)境監(jiān)測及航空、航天、雷達(dá)、通訊系統(tǒng)和大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達(dá)等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍(lán)光到紫光的波段，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。

碳化硅分子式為SiC，其硬度介于剛玉和金剛石之間，機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉，可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。

原子晶體定義：相鄰原子間以共價鍵結(jié)合而形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)晶體沒有單個存在的碳化硅分子碳化硅是原子晶體，結(jié)構(gòu)與金剛石一樣，空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)．每個碳原子與4個硅原子以共價鍵相連，每個硅原子也與4個碳原子以共價鍵相連，其中碳－硅鍵是單鍵

5，碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)穩(wěn)定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，不僅是制作高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)的理想襯底材料，也是制作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。

碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。國內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場開發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級SiC2晶體生長核心技術(shù)工藝，達(dá)到國際2001年先進(jìn)水平。

天科合達(dá)是國內(nèi)最早從事碳化硅研究和生產(chǎn)的企業(yè)。北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司依托于中國科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果優(yōu)勢。是亞太地區(qū)碳化硅晶片制造的先行者。相關(guān)專利技術(shù)已被國內(nèi)和國際授權(quán)。打破了國外碳化硅行業(yè)的壟斷局面。

6，SiC半導(dǎo)體技術(shù)什么是SiC半導(dǎo)體技術(shù)

SiC的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用采用SiC材料研制的元件種類很多，以下介紹其應(yīng)用之概況。（1）高溫和高功率半導(dǎo)體元件SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導(dǎo)體元件方面有無可比擬的優(yōu)勢。采用SiC材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達(dá)500℃以上，提供工作于極端環(huán)境下的電子系統(tǒng)，在軍用武器系統(tǒng)、航空航太、石油地質(zhì)勘探等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。（2）微波及高頻半導(dǎo)體元件由于碳化硅具有較高的飽和電子速度以及高臨界擊穿場強(qiáng)，是良好的微波和高頻元件材料。已制成fmax達(dá)42GHz以上的SiC MESFET。加之高工作溫度和高熱導(dǎo)率，在軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中有明顯的優(yōu)勢。美國已將其應(yīng)用于新研制的 HDTV數(shù)位廣播系統(tǒng)之中。（3）短波長發(fā)光元件6H-SiC和3C-SiC的能隙寬度為2．9eV和2．2eV，分別處于藍(lán)、綠光等短波長發(fā)光波段，其中高亮度藍(lán)光LED尤其重要，是實(shí)現(xiàn)全彩色大面積顯示的關(guān)健，具有極大的市場，已實(shí)現(xiàn)了碳化硅藍(lán)、綠光LED的批量生產(chǎn)。（4）紫外光敏二極體美國GE公司采用碳化硅材料實(shí)現(xiàn)了可在各種發(fā)動機(jī)內(nèi)部工作的紫外光敏二極體，用于監(jiān)測汽車、飛機(jī)、火箭等發(fā)動機(jī)的燃燒工作狀態(tài)，并與碳化硅高溫積體電路一起構(gòu)成閉環(huán)控制，顯著提高發(fā)動機(jī)工作效率，節(jié)約能源，減少污染。（5）藍(lán)色鐳射二極體利用碳化硅的結(jié)構(gòu)特性，已研制出了可發(fā)藍(lán)光的鐳射二極體，它將極大提高高密度資料存儲的技術(shù)水準(zhǔn)、并在未來生物化學(xué)戰(zhàn)場的探測方面發(fā)揮不可缺少的作用。碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如果碳化硅元件普及，電力轉(zhuǎn)換類器件將會發(fā)生巨大變化。包含了上述提及的混合動力等電動汽車、空調(diào)等白色家電，而且還涉及太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、燃料電池等分散電源系統(tǒng)、產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及通用變頻器裝置和通用開關(guān)電源等

間接帶隙

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