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絕緣柵型場效應管，場效應管分結(jié)型和絕緣柵型我們常見的為N溝道絕緣柵型場效應管

來源：整理 時間：2025-01-20 19:17:30 編輯：智能門戶 手機版

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1，場效應管分結(jié)型和絕緣柵型我們常見的為N溝道絕緣柵型場效應管

如果要通用要把原理搞清楚，如果是做開關(guān)管用，它就相當于一個開關(guān)，打開方式是控制柵極電壓，n MOS需要Vgs大于導通電壓時管子才導通，換成P MOS則相反，需要Vgs小于導通電壓，漏源兩極才導通。柵極無電壓時n MOS是常開的，p MOS是常閉的。建議最好不要通用，沒搞好管子肯定燒掉

場效應管分結(jié)型和絕緣柵型我們常見的為N溝道絕緣柵型場效應管

2，絕緣柵型

在結(jié)型場效應管中，柵極和溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，所以輸入電阻很大。但PN結(jié)反偏時總會有一些反向電流存在，這就限制了輸入電阻的進一步提高。如果在柵極與溝道間用一絕緣層隔開，便制成了絕緣柵型場效應管，其輸入電阻可提高到10^12~10^15Ω。根據(jù)絕緣層所用材料之不同，絕緣柵場效應管有多種類型，目前應用最廣泛的一種是以二氧化硅（SiO2）為絕緣層的金屬一氧化物一半導體（Meial-Oxide-Semiconductor）場效應管，簡稱MOS場效應管（MOSFET）。它也有N溝道和P溝道兩類，每類按結(jié)構(gòu)不同又分為增強型和耗盡型。

絕緣柵型

3，結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)別

mos場效應管在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有極高的輸入電阻。 結(jié)型場效應管在柵極與溝道之間是反偏的pn結(jié)形成的門極電壓控制。所以輸入電阻不及mos場效應管。
場效應管分結(jié)型場效應管、絕緣柵型場效應管兩大類。結(jié)型場效應管（jfet）因有兩個pn結(jié)而得名，絕緣柵型場效應管（igfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。由于絕緣柵型的柵極為金屬鋁，所以又稱為mos管。絕緣柵型又可分為增強型和耗盡型，其中耗盡型是添加了離子的。結(jié)型場管腳識別1.場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。2.將萬用表置于r×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)kω時，則這兩個管腳為漏極d和源極s（可互換），余下的一個管腳即為柵極g.對于有4個管腳的結(jié)型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 3.判定柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于n溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。4.注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。

結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)別

4，絕緣柵場效應晶體管是什么DD阿為什么不叫場效應晶體管呢初

絕緣柵雙極晶體管縮寫IGBT IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。 絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）、和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發(fā)射極（e）。場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。它們性質(zhì)的差異使結(jié)型場效應管往往運用在功放輸入級（前級），絕緣柵型場效應管則用在功放末級（輸出級）。 場效應管是利用多子導電（多子：電子為多數(shù)載流子，簡稱多子），而晶體管是既利用多子，又利用少子（空穴為少數(shù)載流子，簡稱少子），由于少子的濃度易受溫度，輻射等外界條件的影響，因此在環(huán)境變化比較劇烈的條件下，采用場效應管比較合適。
mosfet的柵極一般與源/漏極都處在芯片的同一個表面上。柵極放置在芯片背面的fet，就是背柵場效應晶體管。

5，絕緣柵MOSFET型場管能代替結(jié)型JFET型場管嗎為什么

不可以。因為結(jié)型場管是耗盡型的，而絕緣柵型場管有耗盡型和增強型兩種，這種做法一般不可取。絕緣柵型場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但由于多晶硅在制造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效晶體管柵極采用后者而非前者金屬。然而，隨著半導體特征尺寸的不斷縮小，金屬作為柵極材料最近又再次得到了研究人員的關(guān)注。金氧半場效晶體管在概念上屬于絕緣柵極場效晶體管。而絕緣柵極場效晶體管的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。今日半導體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導體公司發(fā)展出使用其他半導體材料的工藝，當中最著名的例如國際商業(yè)機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺工藝。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無法用來制造金氧半場效晶體管組件。當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉(zhuǎn)溝道。溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。結(jié)型場效應晶體管（JFET），最常見到的是耗盡型JFET（D-JFET），即在0柵偏壓時就存在有溝道 的JFET；一般，不使用增強型JFET（E-JFET）——在0柵偏壓時不存在溝道 的JFET。這主要是由于長溝道E-JFET在使用時較難以產(chǎn)生出導電的溝道、從而導通性能不好的緣故。不過，由于高速、低功耗電路中應用的需要，有時也需要采用E-JFET。JFET導電的溝道在體內(nèi)。耗盡型和增強型這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡；而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。但是，對于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因為這種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來說也就是靜電感應晶體管。在導電機理上與JFET相同的場效應晶體管就是Schottky柵極場效應晶體管（MESFET），這里只是用金屬-半導體接觸的Schottky結(jié)代替了p-n結(jié)作為柵極。另外還有一種場效應晶體管，就是高電子遷移率晶體管（HEMT），這種器件在結(jié)構(gòu)上與MESFET類似，但是在工作機理上卻更接近于MOSFET。此外，MOSFET的襯偏效應實際上也就是JFET的一種作用。
mosfet和jfet不一樣，jfet可能Vgs為-0.4，而mosfet為+2v
不能互換，jfet型長效楊管需要的驅(qū)動電流腳mosfet和igbt要大，另外它們的驅(qū)動打壓和驅(qū)動方式也不太一樣

6，絕緣柵型場效應管好壞及極性

一、絕緣柵型場效應管（或IGBT）好壞的簡易判別方法 3、判斷極性 將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，將黑表筆固定接在某一電極上，另一表筆紅表筆分別接其它 兩只管腳，若阻值均為無窮大，對調(diào)用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那只管腳）上，另一表筆 （黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩 極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅 表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源極（S）。 4、判斷好壞 將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針 指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同 樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。 附圖 IGBT 絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復合結(jié)構(gòu)。 IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。從IGBT的下述特點中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時, 導通電阻大, 器件發(fā)熱嚴重, 輸出效率下降。IGBT的特點: 1.電流密度大.2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動功率極小, 驅(qū)動電路簡單。3.低導通電阻。.4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。 5.開關(guān)速度快, 關(guān)斷時間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%.代換ICBT時應注意的幾個問題：由于IGBT管工作在高電壓、大電流狀態(tài)，工作溫度高，易損壞，據(jù)不完全統(tǒng)計，在電磁爐故障維修中，IGBT管損壞占80%以上，而各廠家采用的IGBT管型號繁雜，有的廠家還把IGBT管型號標注打磨掉，因此，維修中不得不考慮IGBT的代換。代換時應注意以下二點：1、IGBT管的主要參數(shù)宜大不宜小，2000W以下的電磁爐可選用最大電流為20A—25A的IGBT管，2000W或2000W以上的電磁爐可選用最大電流為40A的IGBT管。2、應區(qū)分IGBT管內(nèi)是否含有阻尼二極管，內(nèi)含有阻尼二極管的IGBT管可代換不含阻尼二極管的IGBT管，若用不含阻尼二極管的IGBT管代換內(nèi)含有阻尼二極管的IGBT管時，應在新更換的IGBT管的漏極和源極之間并接一只快速恢復二極管，如圖所示。部分快速恢復二極管的型號及主要參數(shù)如表所示。 電磁爐常用IGBT管型號和主要參數(shù) 管子型號 最高耐壓（V） 最大電流（A） 管內(nèi)是否含有二極管20N 120CND 1200 20 有K25T120 1200 25 有G40N150D 1500 40 有5GL40N150D 1500 40 有G4PH50UD 1500 40 有GT40Q321 1300 40 有GT40T101 1000 40 無G40T101 1000 40 無GT40T301 1300 40 無ZQB35JA 1500 35 有G30P120N 1200 30 無GPQ25101 1000 25 有GT15J101 1000 15 無GT8Q191 1900 8 有GT50J101 1000 50 無GT50J102 1000 50 無GT50J301 1300 50 無GT60M104 1000 60 無GT60M301 1300 60 無GT75AN—12 1200 75 無15Q101 1000 15 有25Q101 1000 25 有80J101 1000 80 無JHT20T120 1200 20 有SKW25N120 1200 25 有
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