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電子衍射，電子衍射與X射線衍射有什么異同

來(lái)源：整理時(shí)間：2025-02-25 08:36:11 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，電子衍射與X射線衍射有什么異同
2，電子衍射的原理是什么
3，電子雙縫干涉和衍射區(qū)別
4，什么是電子衍射
5，電子衍射的衍射圖
6，電子衍射的方法

1，電子衍射與X射線衍射有什么異同

電子衍射與X射線衍射一樣,遵從衍射產(chǎn)生的必然條件（布拉格方程+反射定律,衍射矢量方程或厄瓦爾德圖解等）和系統(tǒng)消光規(guī)律.但電子波是物質(zhì)波,按入射電子能量的大小,電子衍射可分為高能電子衍射、低能電子衍射和反射式高能電子衍射,而X射線衍射是X射線照射樣品.

電子衍射與X射線衍射有什么異同

2，電子衍射的原理是什么

根據(jù)德布洛意原理，每個(gè)微觀粒子都有波動(dòng)性，電子作為“物質(zhì)波”在透過(guò)晶格之間的“小孔”時(shí)產(chǎn)生衍射

電子衍射原理是德布洛意波，應(yīng)用有晶體衍射可研究晶體的原子分布。

電子衍射 http://baike.baidu.com/view/696611.htm

電子衍射的原理是什么

3，電子雙縫干涉和衍射區(qū)別

電子雙縫干涉：將一束電子射向兩個(gè)緊靠的狹縫,在縫后放上一個(gè)屏幕,在屏幕上出現(xiàn)干涉條紋,從而表示電子具有波動(dòng)性。電子衍射：當(dāng)電子波(具有一定能量的電子)落到晶體上時(shí)，被晶體中原子散射，各散射電子波之間產(chǎn)生互相干涉現(xiàn)象。1927年，C.J.戴維孫和L.H.革末在觀察鎳單晶表面對(duì)能量為100電子伏的電子束進(jìn)行散射時(shí)，發(fā)現(xiàn)了散射束強(qiáng)度隨空間分布的不連續(xù)性，即晶體對(duì)電子的衍射現(xiàn)象。

電子雙縫干涉和衍射區(qū)別

4，什么是電子衍射

當(dāng)電子波（具有一定能量的電子）落到晶體上時(shí)，被晶體中原子散射，各散射電子波之間產(chǎn)生互相干涉現(xiàn)象。晶體中每個(gè)原子均對(duì)電子進(jìn)行散射，使電子改變其方向和波長(zhǎng)。在散射過(guò)程中部分電子與原子有能量交換作用，電子的波長(zhǎng)發(fā)生變化，此時(shí)稱非彈性散射；若無(wú)能量交換作用，電子的波長(zhǎng)不變，則稱彈性散射。在彈性散射過(guò)程中，由于晶體中原子排列的周期性，各原子所散射的電子波在疊加時(shí)互相干涉，散射波的總強(qiáng)度在空間的分布并不連續(xù)，除在某一定方向外，散射波的總強(qiáng)度為零。中文名：電子衍射裝置：最簡(jiǎn)單的電子衍射裝置發(fā)現(xiàn)時(shí)間：1927年人物：C.J.戴維孫和L.H.革末

5，電子衍射的衍射圖

也可以和X射線衍射情況一樣，用倒易點(diǎn)陣和反射球來(lái)描述產(chǎn)生電子衍射的條件，只是電子的波長(zhǎng)遠(yuǎn)短于X射線，所以反射球的曲率很小。按照索末菲公式，電子散射強(qiáng)度隨散射角的增大而迅速下降。于是，有效反射球面的面積不電子衍射大，可以把反射球面近似地看作通過(guò)倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)且垂直于入射電子束的平面。電子衍射圖便是從反射球球心出發(fā)時(shí)，通過(guò)倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)且垂直于入射電子束的倒易點(diǎn)陣平面在照相底板上的投影。一般，單晶體的電子衍射圖呈規(guī)則分布的斑點(diǎn)，多晶的電子衍射圖呈一系列同心圓，非晶態(tài)物質(zhì)的電子衍射圖呈一系列彌散的同心圓。單晶體的會(huì)聚束電子衍射圖則呈規(guī)則分布的衍射圓盤。當(dāng)晶體較厚且甚完整時(shí)，可以得到一種由非彈性散射效應(yīng)而形成的衍射圖。因?yàn)樵谏⑸溥^(guò)程中部分透過(guò)上層晶體的電子保持其波長(zhǎng)不變，但略改變了方向。對(duì)于下層晶體而言，入射電子便分布在以原入射電子束為軸的圓錐內(nèi)。這時(shí)的電子衍射圖由許多對(duì)相互平行的黑、白線所組成，這種衍射圖稱菊池衍射圖，可以用來(lái)精確測(cè)定晶體的取向。向左轉(zhuǎn)|向右轉(zhuǎn)

6，電子衍射的方法

1、如表面科學(xué)中的低能電子衍射（LEED），主要應(yīng)用于高取向晶體表面晶格的研究，比如畸變，吸附。LEED結(jié)構(gòu)也應(yīng)用在透射電子顯微鏡（TEM）中，利用聚焦到很小光斑的電子束對(duì)納米結(jié)構(gòu)中的局域有序做結(jié)構(gòu)探測(cè)。LEED只能夠作晶格類型分析，不能進(jìn)行元素分析。2、反射式高能電子衍射（RHEED），主要應(yīng)用于分子束外延等設(shè)備的原位監(jiān)測(cè)，能夠很好的反映表面晶格的平整度，觀測(cè)材料生長(zhǎng)中的衍射強(qiáng)度及位置的振蕩。3、電子顯微鏡附件，主要是場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM），一般屬于附件，稱選區(qū)電子衍射（SAD），可以利用質(zhì)能選擇器對(duì)反射電子作元素分析，能夠分析很小的區(qū)域元素組成，但結(jié)果較為粗糙。電子衍射的原理可以參考XRD，觀測(cè)到的衍射花紋都是表面晶格的倒易格點(diǎn)，可能是一套，也可能是幾套。一般，除了納米材料研究中在電鏡用電子衍射中常將衍射花紋作為晶格類型的佐證外，常規(guī)的LEED和RHEED并不作體材料三維晶格研究，而只用于表面晶格的判定，因?yàn)殡娮友苌湟话阒荒芊从尘Ц竦亩S表面結(jié)構(gòu)，而不同晶體結(jié)構(gòu)的晶體之間，它們的某一表面取向上它的對(duì)稱性及衍射斑點(diǎn)可能會(huì)完全一致。電子衍射一般只用于測(cè)試二維晶體結(jié)構(gòu)，無(wú)法簡(jiǎn)單作三維體晶格判定，更無(wú)法單獨(dú)作元素判定。所以你所說(shuō)的ED測(cè)定晶格的說(shuō)法是要注意的，ED很少或幾乎沒(méi)有單獨(dú)研究三維晶體結(jié)構(gòu)。電子衍射結(jié)構(gòu)其實(shí)很簡(jiǎn)單，簡(jiǎn)單講就三個(gè)部件：1、燈絲，用于產(chǎn)生電子2、加速電壓，⑴ 電子加速電壓（電壓大小要單獨(dú)可控）⑵ xy平面內(nèi)的轉(zhuǎn)向電壓3、熒光屏，注意導(dǎo)電接地。此外電子衍射還需要有一個(gè)超高真空腔體作為設(shè)備的基礎(chǔ)；還要有一個(gè)位置可調(diào)的多維樣品架（樣品臺(tái)）系統(tǒng)；如果需要做衍射斑點(diǎn)位置亮度分析，還要有CCD圖像采集系統(tǒng)。

電子衍射原理是德布洛意波，應(yīng)用有晶體衍射可研究晶體的原子分布。