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1，靶材濺射靶材區(qū)別

靶材有電弧靶材、濺射靶材、蒸鍍靶材。。。。

完全可以做平板電容的電極和介質(zhì)，濺射鍍膜是很可控的薄膜，多以可以做高檔電容

靶材濺射靶材區(qū)別

2，濺射靶材是什么金屬是否希缺資源

稀有金屬，通常指在自然界中含量較少或分布稀散的金屬，它們難于從原料中提取，在工業(yè)上制備和應(yīng)用較晚。但在現(xiàn)代工業(yè)中有廣泛的用途。中國稀有金屬資源豐富，如鎢、鈦、稀土、釩、鋯、鉭、鈮、鋰、鈹?shù)纫烟矫鞯膬α浚季佑谑澜缜傲?，中國正在逐步建立稀有金屬工業(yè)體系。稀有輕金屬包括鋰Li、銣Rb、銫Cs、鈹Be。比重較小，化學(xué)活性強(qiáng)。稀有難熔金屬包括鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉬、鎢。熔點(diǎn)較高，與碳、氮、硅、硼等生成的化合物熔點(diǎn)也較高。稀有分散金屬簡稱稀散金屬，包括鎵、銦、鉈、鍺、錸以及硒、碲。大部分賦存于其他元素的礦物中。稀有金屬稀有稀土金屬簡稱稀土金屬，包括鈧、釔及鑭系元素。它們的化學(xué)性質(zhì)非常相似，在礦物中相互伴生。稀有放射性金屬包括天然存在的鈁、鐳、釙和錒系金屬中的錒、釷、鏷、鈾，以及人工制造的锝、钷、錒系其他元素和104 至107號元素。　　上述分類不是十分嚴(yán)格的。有些稀有金屬既可以列入這一類,又可列入另一類。例如錸可列入稀散金屬也可列入稀有難熔金屬。

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濺射靶材是什么金屬是否希缺資源

3，靶材的制作工藝

磁控濺射靶材1）磁控濺射原理：在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。2）磁控濺射靶材種類：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），砷化鉛靶材（PbAs），砷化銦靶材（InAs）。

靶材的制作工藝

4，濺射靶材的介紹

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷，硼化物等。

濺射靶材是通過不同的工藝條件制備的圓餅狀，方形，管型靶材，用于磁控濺射鍍膜的材料。根據(jù)材質(zhì)不同，工藝不同等又可以細(xì)分好多種類。常見靶材分類如下：常規(guī)金屬靶材鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷Co、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁Al小金屬靶材銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd難熔金屬靶材鈦Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V、鈮Nb、鉭Ta、鉻Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re貴金屬靶材金Au、銀Ag、鈀Pd、鉑Pt、銥Ir、釕Ru、銠Rh、鋨Os半金屬靶材碳C、硼B(yǎng)、碲Te、硒Se稀土金屬靶材釓Gd、釤Sm、鏑Dy、鈰Ce、釔Y、鑭La、鐿Yb、鉺Er、鋱Tb、鈥Ho、銩Tm、釹Nd、鐠Pr、镥Lu、銪Eu、鈧Sc陶瓷靶材氧化鋅鋁AZO、氧化銦錫ITO、氧化鋅ZnO、氮化鋁AlN、氮化鈦TiN、氮化硼B(yǎng)N、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉍BiTiO3、碳化硅SiC、鈦酸鍶SrTiO3、碳化鈦TiC、碳化鎢WC、鈮酸鋰LiNbO3合金靶材金錫合金AuSn、金鍺鎳合金AuGeNi、鋅鋁合金ZnAl、鋁銅合金AlCu、鈷鐵硼合金CoFeB、鐵錳合金FeMn、銥錳合金IrMn、鋯鈦合金ZrTi、鎳鉻合金NiCr、銅銦鎵合金CuInGa、銅鋅錫硫合金CZTS

5，關(guān)于濺射靶材鍍膜材料類的產(chǎn)品剛開始接觸如何熟悉產(chǎn)品從

磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式，較之較早點(diǎn)的蒸發(fā)鍍膜方式，其很多方面的優(yōu)勢相當(dāng)明顯。作為一項(xiàng)已經(jīng)發(fā)展的較為成熟的技術(shù)，磁控濺射已經(jīng)被應(yīng)用于許多領(lǐng)域。對于蒸發(fā)鍍膜:一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。厚度均勻性主要取決于： 1?；牧吓c靶材的晶格匹配程度.2、基片表面溫度 3. 蒸發(fā)功率，速率　4. 真空度 5. 鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。晶向均勻性：1。晶格匹配度 2。基片溫度 3。蒸發(fā)速率 .要想熟悉產(chǎn)品，必須熟悉原理，原理如下：磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。具體情況要親手操作才能了解，希望能采納??！

鎳靶的話，一般都是用氬氣吧。顏色靠你控制鍍膜速率跟充氣量來決定的。不過鍍玻璃膜的話好像不是用磁控濺射的吧，需要半透效果？如果是光學(xué)鍍膜的話，那就要根據(jù)光波來決定了，不同的波段所呈現(xiàn)出來的顏色是不一樣的，這個(gè)需要用專業(yè)的軟件來控制tio2跟sio2重疊鍍膜，來呈現(xiàn)不同的折射率，得到不同的顏色。如果你是想買書看的話，是沒有多大用處的，這個(gè)涉及到了光學(xué)之類的，并且都講的相當(dāng)深?yuàn)W，跟生產(chǎn)實(shí)際操作是完全兩碼事，如果你學(xué)歷夠高，或許看看這些書，能在理論上有一定的幫助，不過對你操機(jī)來說是沒什么用處的……另外鍍膜的顏色的話，融料的時(shí)候電子槍要控制的穩(wěn)……其實(shí)只要你自己在實(shí)際操作中多注意，多記錄還是有一定的規(guī)律的，不過機(jī)臺的穩(wěn)定性是沒法保證的，所以相同的參數(shù)，鍍出來的顏色也有可能不同，這個(gè)就要看你平時(shí)對你自己機(jī)臺的了解了……

6，濺射靶材的主要應(yīng)用

濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。分類根據(jù)形狀可分為長靶，方靶，圓靶，異型靶根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。磁控濺射鍍膜靶材：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。高純高密度濺射靶材有：濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）1. 金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。2. 陶瓷靶材ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。3.合金靶材鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射靶材。