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聚焦離子束,EVE 聚焦陽(yáng)極中型離子束I 怎么制造

來源:整理 時(shí)間:2024-12-21 09:53:28 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,EVE 聚焦陽(yáng)極中型離子束I 怎么制造

那是衍生裝備,只能打怪掉落,無法制造該衍生系列中,只有衍生一的裝備(聚焦中型集束激光器)和T2裝備(聚焦中型集束激光器Ⅱ)及故事線裝備可以由玩家制造。
衍生裝備只能打怪掉落世界服版本中會(huì)取消衍生等級(jí)但是藍(lán)圖依然是只有T1的,這件裝備還是無法制造的再看看別人怎么說的。

EVE 聚焦陽(yáng)極中型離子束I 怎么制造

2,fib聚焦離子束和sem設(shè)備的區(qū)別

注: 并非用Ga+才叫FIB(In, Au.AsPd2),只是大多數(shù)商用FIB都是用Ga,因?yàn)??(整理好在寫).Focused(聚焦): 將離子束聚焦Ion(離子): Ga --- Ga+Beam(束):很多離子往同一路徑(方向)移動(dòng)________________________________________聚焦太陽(yáng)光(光束)。
那要看你要國(guó)產(chǎn)的還是外國(guó)的。。。。

fib聚焦離子束和sem設(shè)備的區(qū)別

3,F(xiàn)IB是什么組織

FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬(Ga)離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像.此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng),有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 是什么組織我不知道。您看看這對(duì)你有沒有幫助
美國(guó)聯(lián)邦調(diào)查局 (Federal Bureau of Investigation,簡(jiǎn)稱FBI),

FIB是什么組織

4,什么叫反應(yīng)離子束刻蝕

離子束刻蝕 離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達(dá)到刻飾目的的技術(shù),其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束最小直徑約10nm,離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)最小可能不會(huì)小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下,最少的達(dá)到10nm,獲得最小線寬12nm的加工結(jié)果。相比電子與固體相互作用,離子在固體中的散射效應(yīng)較小,并能以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻飾,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是在計(jì)算機(jī)控制下的無掩膜注入,甚至無顯影刻蝕,直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是,在離子束加工過程中,損傷問題比較突出,且離子束加工精度還不容易控制,控制精度也不夠高。
雖然我很聰明,但這么說真的難到我了

5,聚焦離子束系統(tǒng)與掃描電子顯微鏡各有哪些功能和特點(diǎn)

一.掃描電鏡的特點(diǎn)能夠直接觀察樣品表面的結(jié)構(gòu),樣品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。樣品制備過程簡(jiǎn)單,不用切成薄片。樣品可以在樣品室中作三度空間的平移和旋轉(zhuǎn),因此,可以從各種角度對(duì)樣品進(jìn)行觀察。景深大,圖象富有立體感。掃描電鏡的景深較光學(xué)顯微鏡大幾百倍,比透射電鏡大幾十倍。圖象的放大范圍廣,分辨率也比較高。可放大十幾倍到幾十萬倍,它基本上包括了從放大鏡、光學(xué)顯微鏡直到透射電鏡的放大范圍。分辨率介于光學(xué)顯微鏡與透射電鏡之間,可達(dá)3nm。電子束對(duì)樣品的損傷與污染程度較小。在觀察形貌的同時(shí),還可利用從樣品發(fā)出的其他信號(hào)作微區(qū)成分分析。二.掃描電鏡的用途顯微結(jié)構(gòu)的分析納米尺寸的研究鐵電疇的觀測(cè)
搜一下:聚焦離子束系統(tǒng)與掃描電子顯微鏡各有哪些功能和特點(diǎn)

6,聚焦離子束的工作原理

液態(tài)金屬離子源離子源是聚焦離子束系統(tǒng)的心臟,真正的聚焦離子束始于液態(tài)金屬離子源的出現(xiàn),液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子具有高亮度、極小的源尺寸等一系列優(yōu)點(diǎn),使之成為目前所有聚焦離子束系統(tǒng)的離子源。液態(tài)金屬離子源是利用液態(tài)金屬在強(qiáng)電場(chǎng)作用下產(chǎn)生場(chǎng)致離子發(fā)射所形成的離子源[1、2]。液態(tài)金屬離子源的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示在源制造過程中,將直徑0.5mm左右的鎢絲經(jīng)過電化學(xué)腐蝕成尖端直徑只有5-10μm的鎢針,然后將熔融的液態(tài)金屬粘附在鎢針尖上,在外加強(qiáng)電場(chǎng)后,液態(tài)金屬在電場(chǎng)力作用下形成一個(gè)極小的尖端(泰勒錐),液態(tài)尖端的電場(chǎng)強(qiáng)度可高達(dá)1010V/m。在如此高的電場(chǎng)下,液態(tài)表面的金屬離子以場(chǎng)蒸發(fā)的形式逸出表面,產(chǎn)生離子束流。由于液態(tài)金屬離子源的發(fā)射面積極小,盡管只有幾微安的離子電流,但電流密度約可達(dá)106A/cm2,亮度約為20μA/sr。聚焦離子束系統(tǒng)聚焦式離子束技術(shù)是利用靜電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割技術(shù),目前商用FIB系統(tǒng)的粒子束是從液態(tài)金屬離子源中引出。由于鎵元素具有低熔點(diǎn)、低蒸汽壓以及良好的抗氧化力,因而液態(tài)金屬離子源中的金屬材料多為鎵(Gallium,Ga)[3、4]。圖2給出了聚焦離子束系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。在離子柱頂端外加電場(chǎng)(Suppressor)于液態(tài)金屬離子源,可使液態(tài)金屬或合金形成細(xì)小尖端,再加上負(fù)電場(chǎng)(Extractor)牽引尖端的金屬或合金,從而導(dǎo)出離子束,然后通過靜電透鏡聚焦,經(jīng)過一連串可變化孔徑(Automatic Variable Aperture,AVA)可決定離子束的大小,而后用E×B質(zhì)量分析器篩選出所需要的離子種類,最后通過八極偏轉(zhuǎn)裝置及物鏡將離子束聚焦在樣品上并掃描,離子束轟擊樣品,產(chǎn)生的二次電子和離子被收集并成像或利用物理碰撞來實(shí)現(xiàn)切割或研磨。
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