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1，常用半導(dǎo)體器件有哪幾種
2，半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識
3，基本半導(dǎo)體BASiCSiCMOSFET在電機驅(qū)動上有哪些最新的應(yīng)用和傳
4，什么是半導(dǎo)體
5，常用的半導(dǎo)體及特征
6，常見的半導(dǎo)體材料有什么

1，常用半導(dǎo)體器件有哪幾種

整流二極管開關(guān)二極管穩(wěn)壓二極管肖特基二極管幾乎都可以在任何電路中找到這是最基本最常用最不可或缺的半導(dǎo)體器件系列

常用半導(dǎo)體器件有哪幾種

2，半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

在一塊半導(dǎo)體硅上摻入3價硼元素（P），另一塊上加入5價磷元素（N）。這個時候就會打破硅原有的平衡（硅有4價電子）。N型硅就會多出一個價電子（成了自由電子，，自由電子就是載流子） P型就會少了一個價電子。（所以叫空穴，空出來了嘛。）。。。。。。它倆碰到一起就有了PN節(jié)，，也就有了現(xiàn)在信息科技，所以你能有電腦玩。

pn結(jié)是半導(dǎo)體管的組成部分。制造半導(dǎo)體管時，采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)，稱為pn結(jié)。pn結(jié)具有單向?qū)щ娦裕请娮蛹夹g(shù)中許多元件，怠琺糙貉孬股茬癱長凱例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。

半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

3，基本半導(dǎo)體BASiCSiCMOSFET在電機驅(qū)動上有哪些最新的應(yīng)用和傳

式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的...IGBT的驅(qū)動方法和

igbt的主要優(yōu)點有：1、igbt在正常工作時，導(dǎo)通電阻較低，增大了器件的電流容量。2、igbt的輸出電流和跨導(dǎo)都大于相同尺寸的功率mosfet。3、較寬的低摻雜漂移區(qū)（n-區(qū)）能夠承受很高的電壓，因而可以實現(xiàn)高耐壓的器件。4、igbt利用柵極可以關(guān)斷很大的漏極電流。6、與mosfet一樣，igbt具有很大的輸入電阻和較小的輸入電容，則驅(qū)動功率低，開關(guān)速度高。igbt也具有若干重大的的缺點：1、因為igbt工作時，其漏極區(qū)（p+區(qū)）將要向漂移區(qū)（n-區(qū)）注入少數(shù)載流子——空穴，則在漂移區(qū)中存儲有少數(shù)載流子電荷；當(dāng)igbt關(guān)斷（柵極電壓降為0）時，這些存儲的電荷不能立即去掉，從而igbt的漏極電流也就相應(yīng)地不能馬上關(guān)斷，即漏極電流波形有一個較長時間的拖尾——關(guān)斷時間較長（10～50ms）。2、所以igbt的工作頻率較低。為了縮短關(guān)斷時間，可以采用電子輻照等方法來降低少數(shù)載流子壽命，但是這將會引起正向壓降的增大等弊病。3、igbt中存在有寄生晶閘管——mos柵控的n+-p-n--p+晶閘管結(jié)構(gòu)，這就使得器件的最大工作電流要受到此寄生晶閘管閉鎖效應(yīng)的限制（采用陰極短路技術(shù)可以適當(dāng)?shù)販p弱這種不良影響）。

基本半導(dǎo)體BASiCSiCMOSFET在電機驅(qū)動上有哪些最新的應(yīng)用和傳

4，什么是半導(dǎo)體

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴散作用大于漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態(tài)平衡。

主要是指的關(guān)于半導(dǎo)體的專利技術(shù)以及非專利的專有技術(shù)。 ip核是具有知識產(chǎn)權(quán)的、功能具體、接口規(guī)范的可以在多個集成電路中重復(fù)使用的功能模塊，是實現(xiàn)系統(tǒng)芯片的基本構(gòu)件。你可以簡單理解為設(shè)計完善的功能模塊。（而這里的【設(shè)計】是根據(jù)完善程度有不同的形式，可分為三類：軟核、固核、硬核）軟核：理解為【程序代碼】，是用硬件描述語言實現(xiàn)對功能模塊進行描述（比如用vhdl編寫的一個觸發(fā)器，是文本形式），不包含任何物理實現(xiàn)信息。（軟核特點是對用戶來講可移植性強、設(shè)計周期短、成本低。缺點是物理實現(xiàn)性能不定不全面，產(chǎn)權(quán)保護不佳）固核：除了實現(xiàn)功能模塊的程序代碼之外，還包括門級電路綜合和時序仿真等設(shè)計環(huán)節(jié)，一般是以門級電路網(wǎng)表的形式提供給用戶。固核可以理解為是不僅包括軟核程序代碼，還包括【程序員模塊設(shè)計意圖與硬件物理實現(xiàn)之間的規(guī)則】。硬核：基于物理描述，并且已經(jīng)通過工藝驗證可行的，性能有保證。是以電路物理結(jié)構(gòu)掩模版圖和全套工藝文件的形式提供給用戶（芯片生產(chǎn)廠家）的。

5，常用的半導(dǎo)體及特征

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電阻率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)，它的發(fā)展對半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為以下幾類。1.元素半導(dǎo)體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代，鍺在半導(dǎo)體中占主導(dǎo)地位，但鍺半導(dǎo)體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代后期逐漸被硅材料取代。用硅制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件。因此，硅已成為應(yīng)用最多的一種增導(dǎo)體材料，目前的集成電路大多數(shù)是用硅材料制造的。2.化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體材料。它的種類很多，重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是制造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由于其抗輻射能力強、耐高溫和化學(xué)穩(wěn)定性好，在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。3.無定形半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體的玻璃是一種非晶體無定形半導(dǎo)體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關(guān)和記憶特性和很強的抗輻射能力，主要用來制造閾值開關(guān)、記憶開關(guān)和固體顯示器件。4.有機增導(dǎo)體材料已知的有機半導(dǎo)體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應(yīng)用。特性和參數(shù) 半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠價帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦?。利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成具有不同功能的半?dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換?！　“雽?dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

6，常見的半導(dǎo)體材料有什么

半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。　　元素半導(dǎo)體在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、　　 Te具有半導(dǎo)性；Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點與沸點太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實用價值不大。As、Sb、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導(dǎo)體中只有Ge、Si、Se 3種元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。　　無機化合物半導(dǎo)體分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),它們在應(yīng)用方面僅次于Ge、Si,有很大的發(fā)展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InA 　　 s-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用。　　三元系包括：族:這是由一個Ⅱ族和一個Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中兩個Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：這是由一個Ⅰ族和一個Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中兩個Ⅱ族原子所構(gòu)成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：這是由一個Ⅰ族和一個Ⅴ族原子去替代族中兩個Ⅲ族原子所組成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更復(fù)雜的無機化合物。　　有機化合物半導(dǎo)體已知的有機半導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用。　　非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。

單晶硅

請移步百度百科：http://baike.baidu.com/view/50720.htm作為非業(yè)內(nèi)人士的話，很少會去接觸，所以可以說并不常見。當(dāng)然最容易聽到的就屬<硅>了。

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基本半導(dǎo)體，常用半導(dǎo)體器件有哪幾種

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基本半導(dǎo)體，常用半導(dǎo)體器件有哪幾種

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1，常用半導(dǎo)體器件有哪幾種

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3，基本半導(dǎo)體BASiCSiCMOSFET在電機驅(qū)動上有哪些最新的應(yīng)用和傳

4，什么是半導(dǎo)體

5，常用的半導(dǎo)體及特征

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