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1，有誰知道臺灣璨圓晶片是用什么字母表示的
2，管道材料美標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)中代碼的意思
3，何為磊晶硅
4，發(fā)光二極管Light Emitted Diode的發(fā)光原理是怎樣的
5，LED芯片是什么東西
6，雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)

1，有誰知道臺灣璨圓晶片是用什么字母表示的

FE( Formosa Epitaxy )

2007年3月22日,臺灣LED制造商璨圓光電( Formosa Epitaxy )

有誰知道臺灣璨圓晶片是用什么字母表示的

2，管道材料美標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)中代碼的意思

LPE:線型聚乙烯.全稱：liquid phase epitaxy。L的英文單詞是：liquid。SCRD： screwed螺紋 SW： socket welding 承插焊

管道材料美標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)中代碼的意思

3，何為磊晶硅

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導(dǎo)體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結(jié)晶，以制成新半導(dǎo)體層的技術(shù)。該技術(shù)又稱磊晶成長（Epitaxial Growth）；或指以磊晶技術(shù)成長出的結(jié)晶，有時可能也概指以磊晶技術(shù)制作的晶粒。磊晶即是在硅片上長出新結(jié)晶

不明白啊 = =！

何為磊晶硅

4，發(fā)光二極管Light Emitted Diode的發(fā)光原理是怎樣的

LED原理-發(fā)光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末于實(shí)驗(yàn)室發(fā)展出來，1968年HP開始商業(yè)化量產(chǎn)，早期只有單調(diào)的暗紅色電子產(chǎn)品指示燈(Lamp，見圖一左)，1992年 Nichia突破藍(lán)光LED技術(shù)障礙后，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，并以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態(tài)深入生活中各個層面。LED是利用電能直接轉(zhuǎn)化為光能的原理，在半導(dǎo)體內(nèi)正負(fù)極2個端子施加電壓，當(dāng)電流通過，使電子與電洞相結(jié)合時，剩余能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產(chǎn)生不同波長的光，人眼所能接受到各種顏色的光，如圖二橫座標(biāo)所示，其波長介于400-780nm，在此區(qū)間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。多數(shù)LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結(jié)合而成，以與IC半導(dǎo)體所使用之硅(Si)等Ⅳ族元素區(qū)別。傳統(tǒng)液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用于生產(chǎn)中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。有機(jī)金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用于生產(chǎn)高亮度LED，其亮度約在6000-8000mcd。以AlGaInP四種元素為發(fā)光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發(fā)出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產(chǎn)的藍(lán)、綠光LED，則稱為氮化物L(fēng)ED，一般以藍(lán)寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE 則發(fā)展出以碳化硅(SiC)為基板的制程。

LED為通電時可發(fā)光的電子元件，是半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光元件，材料使用III-V族化學(xué)元素（如：磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等），發(fā)光原理是將電能轉(zhuǎn)換為光，也就是對化合物半導(dǎo)體施加電流，透過電子與電洞的結(jié)合，過剩的能量會以光的形式釋出，達(dá)成發(fā)光的效果，屬于冷性發(fā)光，壽命長達(dá)十萬小時以上。LED最大的特點(diǎn)在于：無須暖燈時間(idling time)、反應(yīng)速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產(chǎn)，具高可靠度，容易配合應(yīng)用上的需要制成極小或陣列式的元件，適用范圍頗廣，如汽車、通訊產(chǎn)業(yè)、電腦、交通號志、顯示器等。LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游，產(chǎn)品在外觀上差距相當(dāng)大。上游是由磊晶片形成，這種磊晶片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形，厚度相當(dāng)薄，就像是一個平面金屬一樣。LED發(fā)光顏色與亮度由磊晶材料決定，且磊晶占LED制造成本70%左右，對LED產(chǎn)業(yè)極為重要。上游磊晶制程順序?yàn)椋簡尉?III-V族基板)、結(jié)構(gòu)設(shè)計、結(jié)晶成長、材料特性/厚度測量。

5，LED芯片是什么東西

根據(jù)您的提問，簡單地講：　它也稱為led發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，其主要功能是：把電能轉(zhuǎn)化為光能，主要材料為單晶硅。　　led芯片的分類　　用途：根據(jù)用途分為大功率led芯片、小功率led芯片兩種；　　顏色：主要分為三種：紅色、綠色、藍(lán)色（制作白光的原料）；　　形狀：一般分為方片、圓片兩種；　　大小：小功率的芯片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等

1.MB芯片定義與特點(diǎn) 定義﹕ MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品特點(diǎn)﹕ 1、采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易. Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K 2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收. 3、導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動電流領(lǐng)域。 4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱 5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于High power 領(lǐng)域﹐eg : 42mil MB 2.GB芯片定義和特點(diǎn) 定義﹕ GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結(jié)合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品特點(diǎn)﹕ 1﹕透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底. 2﹕芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖 3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil) 4﹕雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片 3.TS芯片定義和特點(diǎn) 定義﹕ TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。特點(diǎn)﹕ 1.芯片工藝制作復(fù)雜﹐遠(yuǎn)高于AS LED 2. 信賴性卓越 3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高 4.應(yīng)用廣泛 4.AS芯片定義與特點(diǎn) 定義﹕ AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力﹐臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特點(diǎn)﹕ 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規(guī)芯片要亮 2. 信賴性優(yōu)良 3. 應(yīng)用廣泛發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類 1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP 2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs 3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN 4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs 5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs 6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs

6，雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)

一個雙極性晶體管由三個不同的摻雜半導(dǎo)體區(qū)域組成，它們分別是發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域和集電極區(qū)域。這些區(qū)域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導(dǎo)體，而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導(dǎo)體。每一個半導(dǎo)體區(qū)域都有一個引腳端接出，通常用字母E、B和C來表示發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。基極的物理位置在發(fā)射極和集電極之間，它由輕摻雜、高電阻率的材料制成。集電極包圍著基極區(qū)域，由于集電結(jié)反向偏置，電子很難從這里被注入到基極區(qū)域，這樣就造成共基極電流增益約等于1，而共射極電流增益取得較大的數(shù)值。從右邊這個典型NPN型雙極性晶體管的截面簡圖可以看出，集電結(jié)的面積大于發(fā)射結(jié)。此外，發(fā)射極具有相當(dāng)高的摻雜濃度。在通常情況下，雙極性晶體管的幾個區(qū)域在物理性質(zhì)、幾何尺寸上并不對稱。假設(shè)連接在電路中的晶體管位于正向放大區(qū)，如果此時將晶體管集電極和發(fā)射極在電路中的連接互換，將使晶體管離開正向放大區(qū)，進(jìn)入反向工作區(qū)。晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定了它適合在正向放大區(qū)工作，所以反向工作區(qū)的共基極電流增益和共射極電流增益比晶體管位于正向放大區(qū)時小得多。這種功能上的不對稱，根本上是緣于發(fā)射極和集電極的摻雜程度不同。因此，在NPN型晶體管中，盡管集電極和發(fā)射極都為N型摻雜，但是二者的電學(xué)性質(zhì)和功能完全不能互換。發(fā)射極區(qū)域的摻雜程度最高，集電極區(qū)域次之，基極區(qū)域摻雜程度最低。此外，三個區(qū)域的物理尺度也有所不同，其中基極區(qū)域很薄，并且集電極面積大于發(fā)射極面積。由于雙極性晶體管具有這樣的物質(zhì)結(jié)構(gòu)，因此可以為集電結(jié)提供一個反向偏置，不過這樣做的前提是這個反向偏置不能過大，以致于晶體管損壞。對發(fā)射極進(jìn)行重?fù)诫s的目的是為了增加發(fā)射極電子注入到基極區(qū)域的效率，從而實(shí)現(xiàn)盡量高的電流增益。在雙極性晶體管的共射極接法里，施加于基極、發(fā)射極兩端電壓的微小變化，都會造成發(fā)射極和集電極之間的電流發(fā)生顯著變化。利用這一性質(zhì)，可以放大輸入的電流或電壓。把雙極性晶體管的基極當(dāng)做輸入端，集電極當(dāng)做輸出端，可以利用戴維南定理分析這個二端口網(wǎng)絡(luò)。利用等效的原理，可以將雙極性晶體管看成是電壓控制的電流源，也可以將其視為電流控制的電壓源。此外，從二端口網(wǎng)絡(luò)的左邊看進(jìn)去，基極處的輸入阻抗減小到基極電阻的，這樣就降低了對前一級電路的負(fù)載能力的要求。 NPN型晶體管是兩種類型雙極性晶體管的其中一種，由兩層N型摻雜區(qū)域和介于二者之間的一層P型摻雜半導(dǎo)體（基極）組成。輸入到基極的微小電流將被放大，產(chǎn)生較大的集電極-發(fā)射極電流。當(dāng)NPN型晶體管基極電壓高于發(fā)射極電壓，并且集電極電壓高于基極電壓，則晶體管處于正向放大狀態(tài)。在這一狀態(tài)中，晶體管集電極和發(fā)射極之間存在電流。被放大的電流，是發(fā)射極注入到基極區(qū)域的電子（在基極區(qū)域?yàn)樯贁?shù)載流子），在電場的推動下漂移到集電極的結(jié)果。由于電子遷移率比空穴遷移率更高，因此現(xiàn)在使用的大多數(shù)雙極性晶體管為NPN型。NPN型雙極性晶體管的電學(xué)符號如右圖，基極和發(fā)射極之間的箭頭指向發(fā)射極。雙極性晶體管的另一種類型為PNP型，由兩層P型摻雜區(qū)域和介于二者之間的一層N型摻雜半導(dǎo)體組成。流經(jīng)基極的微小電流可以在發(fā)射極端得到放大。也就是說，當(dāng)PNP型晶體管的基極電壓低于發(fā)射極時，集電極電壓低于基極，晶體管處于正向放大區(qū)。在雙極性晶體管電學(xué)符號中，基極和發(fā)射極之間的箭頭指向電流的方向，這里的電流為電子流動的反方向。與NPN型相反，PNP型晶體管的箭頭從發(fā)射極指向基極。異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（heterojunction bipolar transistor）是一種改良的雙極性晶體管，它具有高速工作的能力。研究發(fā)現(xiàn)，這種晶體管可以處理頻率高達(dá)幾百GHz的超高頻信號，因此它適用于射頻功率放大、激光驅(qū)動等對工作速度要求苛刻的應(yīng)用。異質(zhì)結(jié)是PN結(jié)的一種，這種結(jié)的兩端由不同的半導(dǎo)體材料制成。在這種雙極性晶體管中，發(fā)射結(jié)通常采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，即發(fā)射極區(qū)域采用寬禁帶材料，基極區(qū)域采用窄禁帶材料。常見的異質(zhì)結(jié)用砷化鎵（GaAs）制造基極區(qū)域，用鋁-鎵-砷固溶體（AlxGa1-xAs）制造發(fā)射極區(qū)域。采用這樣的異質(zhì)結(jié)，雙極性晶體管的注入效率可以得到提升，電流增益也可以提高幾個數(shù)量級。采用異質(zhì)結(jié)的雙極性晶體管基極區(qū)域的摻雜濃度可以大幅提升，這樣就可以降低基極電極的電阻，并有利于降低基極區(qū)域的寬度。在傳統(tǒng)的雙極性晶體管，即同質(zhì)結(jié)晶體管中，發(fā)射極到基極的載流子注入效率主要是由發(fā)射極和基極的摻雜比例決定的。在這種情況下，為了得到較高的注入效率，必須對基極區(qū)域進(jìn)行輕摻雜，這樣就不可避免地使增大了基極電阻。如左邊的示意圖中，代表空穴從基極區(qū)域到達(dá)發(fā)射極區(qū)域跨越的勢差；而則代表電子從發(fā)射極區(qū)域到達(dá)基極區(qū)域跨越的勢差。由于發(fā)射結(jié)具有異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，可以使，從而提高了發(fā)射極的注入效率。在基極區(qū)域里，半導(dǎo)體材料的組分分布不均，造成緩變的基極區(qū)域禁帶寬度，其梯度為以表示。這一緩變禁帶寬度，可以為少數(shù)載流子提供一個內(nèi)在電場，使它們加速通過基極區(qū)域。這個漂移運(yùn)動將與擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生協(xié)同作用，減少電子通過基極區(qū)域的渡越時間，從而改善雙極性晶體管的高頻性能。盡管有許多不同的半導(dǎo)體可用來構(gòu)成異質(zhì)結(jié)晶體管，硅-鍺異質(zhì)結(jié)晶體管和鋁-砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管更常用。制造異質(zhì)結(jié)晶體管的工藝為晶體外延技術(shù)，例如金屬有機(jī)物氣相外延（Metalorganic vapour phase epitaxy, MOCVD）和分子束外延。