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1，請教一下MOSFET的米勒電容是怎么回
2，MOSFET開通過程的米勒現(xiàn)象是怎么回事
3，mosfet三極管在實際應用過程中存在米勒效應嗎
4，米勒電容對IGBT關(guān)斷時間的影響
5，怎么樣減小IGBT 的米勒電壓
6，哥們米勒平臺形成原因可否給解釋一下謝謝了

1，請教一下MOSFET的米勒電容是怎么回

由于電容的充電效應，在充電過程中電容未充滿，導致電流大部分流向電容，使g極電壓無法升高到開通電壓。

請教一下MOSFET的米勒電容是怎么回

2，MOSFET開通過程的米勒現(xiàn)象是怎么回事

MOSFET開通的過程其實就是向它的極間電容充電的過程，（1）剛開始的時候向（2）當Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平臺電壓之間時：Vds保持不變，Ids

MOSFET開通過程的米勒現(xiàn)象是怎么回事

3，mosfet三極管在實際應用過程中存在米勒效應嗎

MOSFET是金屬-氧化層-半導體-場效晶體管和三級管是兩個東西！如果你問的是MOSFET的話是有米勒效應的。用用示波器測量GS電壓，可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑，這就是米勒平臺。原理的話，你看書吧。

mosfet三極管在實際應用過程中存在米勒效應嗎

4，米勒電容對IGBT關(guān)斷時間的影響

米勒電容使關(guān)斷時存在米勒平臺，米勒平臺階段產(chǎn)生開關(guān)損耗。電流還未開始降低，電壓開始上升。米勒平臺結(jié)束時，電壓上升到接近母線電壓但由于寄生電感存在電壓會繼續(xù)上升，而電流才剛開始下降。

這是igbt芯片本身的特性，在不改變pn節(jié)材料的情況下，改變不了這個特性

5，怎么樣減小IGBT 的米勒電壓

這是IGBT芯片本身的特性，在不改變PN節(jié)材料的情況下，改變不了這個特性

6，哥們米勒平臺形成原因可否給解釋一下謝謝了

1.彌勒效應是指MOSFET的D、G的極間電容Crss在開關(guān)動作期間引起的瞬態(tài)效應。這可以看成是一個電容負反饋，驅(qū)動前，Crss上是高電壓，當驅(qū)動波形上升到門檻電壓時，MOSFET導通，D極電壓急劇下降，通過Crss拉低G腳驅(qū)動電壓，如果驅(qū)動功率不足，將在驅(qū)動波形的上升沿門檻電壓附近留下一個階梯?；蛘?.在MOS導通的瞬間，會經(jīng)過米勒效應區(qū)（可理解為放大區(qū)），輸入電容Cgs=C1+C2,此時的C1不再是靜態(tài)的電容，而是C1=Cdg(1+A),A是放大系數(shù)。當驅(qū)動電流（Ig=Cgs*dVds/dt）給Cgs充電時，由于米勒效應等效到輸入端的電容會放大N倍，輸入電容突然增大，所以導致了充電電壓的一個平臺，有時甚至會有一個下降尖峰趨勢平臺（如上圖），而這個平臺增加了MOS的導通時間，造成了我們通常所說的導通損耗。其實米勒效應描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。

MOSFET開通的過程其實就是向它的極間電容充電的過程。（1）剛開始的時候向Ciss充電，當電壓沖到Vth即開啟電壓前，Vds保持不變，Ids保持不變（2）當Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平臺電壓之間時：Vds保持不變，Ids電流開始上升，Vgs逐漸上升；（3）當Vgs達到米勒平臺電壓時（一般為5V左右）Ids電流已經(jīng)達到開通時的大小，這時Vds開始下降，Vgs保持不變?yōu)槠脚_電壓5.5V，驅(qū)動電流幾乎全部通過Cgd放電，Vds逐漸降低，最后達到導通時候的電壓Ids*Rds(on)。（4）此時管子已經(jīng)導通了，Vgs繼續(xù)上升至驅(qū)動電壓（一般是13，12V）；這時就是導通阻抗的變化了。

MOSFET開通的過程其實就是向它的極間電容充電的過程，（1）剛開始的時候向Ciss充電，當電壓沖到Vth即開啟電壓前，Vds保持不變，Ids保持不變（2）當Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平臺電壓之間時：Vds保持不變，Ids電流開始上升，Vgs逐漸上升；（3）當Vgs達到米勒平臺電壓時（一般為5V左右）Ids電流已經(jīng)達到開通時的大小，這時Vds開始下降，Vgs保持不變?yōu)槠脚_電壓5.5V，驅(qū)動電流幾乎全部通過Cgd放電，Vds逐漸降低，最后達到導通時候的電壓Ids*Rds(on)。（4）此時管子已經(jīng)導通了，Vgs繼續(xù)上升至驅(qū)動電壓（一般是13，12V）；這時就是導通阻抗的變化了。