晶體管輸出，晶體管輸出和繼電器輸出有什么區(qū)別

來源：整理時(shí)間：2023-09-07 17:44:18 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，晶體管輸出和繼電器輸出有什么區(qū)別
2，晶體管的輸入端和輸出端輸出的是什么是電子還是電流
3，晶體管輸出與繼電器輸出的區(qū)別
4，什么是繼電器輸出雙向晶閘管輸出晶體管輸出
5，PLC中晶體管輸出與繼電器輸出有何異同
6，晶體三極管的輸出特性指什么概念

1，晶體管輸出和繼電器輸出有什么區(qū)別

你說的是晶體三極管嗎，當(dāng)然有區(qū)別，繼電器是一個(gè)開關(guān)，小電流控制繼電器的通斷，晶體三極管也具備開關(guān)功能，除去速度的問題，晶體三極管還有放大的作用，就是控制晶體管的電流大小會(huì)影響晶體管輸出電流的大小

晶體管輸出和繼電器輸出有什么區(qū)別

2，晶體管的輸入端和輸出端輸出的是什么是電子還是電流

1-晶體三極管的輸入端b(基極)、e（發(fā)射極)、c(集電極）輸出。2-半導(dǎo)體晶體三極管與玻殼電子管三極管相比它們各為：a半導(dǎo)體晶體三極管：電流控制元件。b玻殼電子管三極管：電壓控制元件。下圖是半導(dǎo)體晶體三極管以極小的基極I（電流）控制了較大的集電極I（電流）示意圖：

你好！電子的流動(dòng)形成電流。僅代表個(gè)人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。

晶體管的輸入端和輸出端輸出的是什么是電子還是電流

3，晶體管輸出與繼電器輸出的區(qū)別

PLC晶體管輸出響應(yīng)快，可以用于高速輸出，但是控制電磁閥等還是需要加中間繼電器；繼電器輸出響應(yīng)慢，但是可以省去外接繼電器，接線簡(jiǎn)單。具體選用什么輸出要視負(fù)載情況而定。晶體管主要用于定位控制，要用晶體的輸出來發(fā)出脈沖。而繼電器是不能用發(fā)出脈沖的，也就不能定位控制了。如果用繼電器去控制定位伺服或是步進(jìn)的話就還要加定位模塊，經(jīng)濟(jì)上不劃算。而用一個(gè)晶體管輸出的就可以控制伺服等。就這么回事。雖然二者都是控制器件，但晶體管輸入和輸出沒有電隔離，而繼電器是電隔離的，在體積有限制的時(shí)候，響應(yīng)時(shí)間要很短的時(shí)候，都往往采用晶體管控制，而在電壓比較高，電流比較大，要注意人身安全時(shí)，往往用繼電器……

晶體管輸出與繼電器輸出的區(qū)別

4，什么是繼電器輸出雙向晶閘管輸出晶體管輸出

這個(gè)是電路控制中的說法。在很多自動(dòng)化設(shè)備中，電路最終都需要對(duì)一些執(zhí)行部件（如電機(jī)、電磁鐵）實(shí)施控制，電路對(duì)這些執(zhí)行部件的控制可通過繼電器、雙向晶閘管、晶體管等開關(guān)器件進(jìn)行，因此對(duì)于電路的輸出端來說就有了與之對(duì)應(yīng)的“繼電器輸出、雙向晶閘管輸出、晶體管輸出”等類型。

繼電器是機(jī)械隔離,耐壓高,開關(guān)速度慢,能夠直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，適用于開關(guān)速度要求不高的場(chǎng)合.晶體管是開關(guān)速度快，壽命長，采用光電隔離，耐壓比較小，驅(qū)動(dòng)負(fù)載一般要加中間繼電器，一般用在精確控制和開關(guān)頻率高的場(chǎng)合。晶閘管的我沒有見過，有的話應(yīng)該和晶體管是一類的。

這個(gè)是電子式工業(yè)自動(dòng)控制開關(guān)中的說法。

5，PLC中晶體管輸出與繼電器輸出有何異同

PLC晶體管輸出與繼電器輸出的異同：====================================1：輸出：晶體管高速輸出：如伺服／步進(jìn)使用于動(dòng)作頻率高的輸出：如溫度PID控制，主要用在步進(jìn)電機(jī)控制，也有伺服控制，還有電磁閥控制（閥動(dòng)作頻率高）。繼電器是有觸點(diǎn)輸出速度慢。 2：使用壽命：繼電器是機(jī)械元件所以有動(dòng)作壽命，晶體管是電子元件，只有老化，沒有使用次數(shù)限制。 3：電流：晶體管電流0.2A-0.3A 繼電器2A。 4：電壓：晶體管最大24V，繼電器可以接220V 晶體管直流，繼電器交流＋直流文章來源于 5：負(fù)載：用晶體管時(shí)，有時(shí)候要加其他東西來帶動(dòng)大負(fù)載（如繼電器，固態(tài)繼電器等）。繼電器輸出型：CPU驅(qū)動(dòng)繼電器線圈，令觸點(diǎn)吸合，使外部電源通過閉合的觸點(diǎn)驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載，其開路漏電流為零，響應(yīng)時(shí)間慢（約10ms），可帶較大的外部負(fù)載；晶體管輸出型：CPU通過光耦合使晶體管通斷，以控制外部直流負(fù)載，響應(yīng)時(shí)間快（約0.2ms），可帶外部負(fù)載??；可控硅輸出型：CPU通過光耦合使三端雙向可控硅通斷，以控制外部交流負(fù)載,開路漏電流大,響應(yīng)時(shí)間較快(約1ms)。

6，晶體三極管的輸出特性指什么概念

三極管的輸出特性是指當(dāng)基極電流Ib一定時(shí)，集電極電流Ic與集-射極電壓Uce之間的關(guān)系曲線。在不同的Ib下，可得出不同的曲線，所以三極管的輸出特性是一組曲線。通常把輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)： (1)放大區(qū)：輸出特性曲線的近于水平部分是放大區(qū)。在放大區(qū),Ic＝Ib×β,由于在不同Ib下電流放大系數(shù)近似相等，所以放大區(qū)也稱為線性區(qū)。三級(jí)管要工作在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)必須處于正向偏置，集電結(jié)則應(yīng)處于反向偏置，對(duì)硅管而言應(yīng)使Ube>0，Ubc<0。 (2)截止區(qū)：Ib＝0的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。實(shí)際上，對(duì)NPN硅管而言，當(dāng)Ube＜0.5V時(shí)即已開始截止，但是為了使三極管可靠截止，常使Ube≤0V，此時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置。 (3)飽和區(qū)：輸出特性曲線的陡直部分是飽和區(qū)，此時(shí)Ib的變化對(duì)Ic的影響較小，在飽和區(qū)，Uce＜Ube，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置.

輸出特性是針對(duì)輸特性而言，指三極管輸出極也就是UCE和IC之間的關(guān)系，一般用一組曲線表示，在線型放大區(qū)域UCE達(dá)到一定值后Ic不再隨之變化，而是由IB控制。當(dāng)IC達(dá)到一定值后使UCE

晶體三極管輸出特性的基本概念是：當(dāng)基極電流Ib固定在某一數(shù)值，改變集電極與發(fā)射極之間的電壓Uce，則集電極電流Ic也作相應(yīng)變化。這種在一定基極電流下，集電極與發(fā)射極之間的電壓Uce與集電極電流Ic之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系稱為輸出特性。

晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“v”或“vt”（舊文字符號(hào)為“q”、“gb”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)pn結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。一、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性分類按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管管。按晶體管的極性可分為鍺npn型晶體管、鍺pnp晶體管、硅npn型晶體管和硅pnp型晶體管。（二）按結(jié)構(gòu)及制造工藝分類晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。（三）按電流容量分類晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。（四）按工作頻率分類晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。（五）按封裝結(jié)構(gòu)分類晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡(jiǎn)稱金封）晶體管、塑料封裝（簡(jiǎn)稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡(jiǎn)稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。（六）按功能和用途分類晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。二、晶體管的主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。 1．直流電流放大系數(shù) 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)無變化信號(hào)輸入時(shí)，晶體管集電極電流ic與基極電流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2．交流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù)也稱動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù)，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△ic與基極電流變化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近，在高頻時(shí)有一些差異。（二）耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率pcm，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時(shí)，其實(shí)際功耗不允許超過pcm值，否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率pcm小于1w的晶體管稱為小功率晶體管，pcm等于或大于1w、小于5w的晶體管被稱為中功率晶體管，將pcm等于或大于5w的晶體管稱為大功率晶體管。（三）頻率特性晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會(huì)出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率ft和最高振蕩頻率fm等。 1．特征頻率ft 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。通常將特征頻率ft小于或等于3mhz的晶體管稱為低頻管，將ft大于或等于30mhz的晶體管稱為高頻管，將ft大于3mhz、小于30mhz的晶體管稱為中頻管。 2．最高振蕩頻率fm 最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率ft則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。（四）集電極最大電流icm 集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流ic超過icm時(shí)，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會(huì)損壞。（五）最大反向電壓最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí)，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用vceo或bvceo表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí)，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用vcbo或bvcbo表示。 3．發(fā)射極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí)，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用vebo或bvebo表示。（六）反向電流晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流icbo和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流iceo。 1．集電極—基極之間的反向電流icbo icbo也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流。icbo對(duì)溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。 2．集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流iceo iceo是指當(dāng)晶體管的基極開路時(shí)，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“v”或“vt”（舊文字符號(hào)為“q”、“gb”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)pn結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。三極管詳解半導(dǎo)體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)pn結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)pn結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是npn型的三極管，另一種是pnp型的三極管。

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晶體管輸出，晶體管輸出和繼電器輸出有什么區(qū)別

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2，晶體管的輸入端和輸出端輸出的是什么是電子還是電流

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5，PLC中晶體管輸出與繼電器輸出有何異同

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