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相變存儲(chǔ)器，相變內(nèi)存的現(xiàn)有技術(shù)狀況如何距離實(shí)際商用大約還要多久

來源：整理 時(shí)間：2023-08-15 22:18:02 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，相變內(nèi)存的現(xiàn)有技術(shù)狀況如何距離實(shí)際商用大約還要多久

相變內(nèi)存自從06年底IBM推出原型以來，各大廠家都進(jìn)行了深入研究，不少廠家已經(jīng)可以生產(chǎn)，輿論普遍說三年內(nèi)可以商用，但是這個(gè)問題沒有那么，推廣一項(xiàng)技術(shù)需要廠商，渠道商和消費(fèi)者的共同努力才可以實(shí)現(xiàn)，現(xiàn)在DDR2DDR3內(nèi)存正在更新?lián)Q代中，估計(jì)在DDR3普及之后相變內(nèi)存才有可能進(jìn)入市場(chǎng)，所以現(xiàn)在不用等待相變內(nèi)存上市，完全可以先用DDR3

相變內(nèi)存的現(xiàn)有技術(shù)狀況如何距離實(shí)際商用大約還要多久

2，相變內(nèi)存能不能取代固態(tài)硬盤

計(jì)算機(jī)是采用二進(jìn)制的，因此操作系統(tǒng)對(duì)硬盤容量的計(jì)算是以每1024為一進(jìn)制的。每1024字節(jié)為1KB，每1024KB為 1MB，每1024MB為1GB。而硬盤廠商在計(jì)算容量方面是以每1000為一進(jìn)制的，每1000字節(jié)為1KB，每1000KB為1MB，每1000MB為1GB。這二者進(jìn)制上的差異造成了硬盤容量的“縮水”。
或許可以。

相變內(nèi)存能不能取代固態(tài)硬盤

3，相變存儲(chǔ)器的工作原理

相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲(chǔ)器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進(jìn)行工作的。在非晶態(tài)下，GST材料具有短距離的原子能級(jí)和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由于這種狀態(tài)通常出現(xiàn)在RESET操作之后，一般稱其為RESET狀態(tài)，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高于熔點(diǎn)溫度，然后突然對(duì)GST淬火將其冷卻。冷卻的速度對(duì)于非晶層的形成至關(guān)重要。非晶層的電阻通?？沙^1兆歐。在晶態(tài)下，GST材料具有長(zhǎng)距離的原子能級(jí)和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。由于這種狀態(tài)通常出現(xiàn)在SET操作之后，我們一般稱其為SET狀態(tài)，在SET操作中，材料的溫度上升高于再結(jié)晶溫度但是低于熔點(diǎn)溫度，然后緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態(tài)的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。晶態(tài)是一種低能態(tài)；因此，當(dāng)對(duì)非晶態(tài)下的材料加熱，溫度接近結(jié)晶溫度時(shí)，它就會(huì)自然地轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)。典型的GST PCM器件結(jié)構(gòu)頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。一個(gè)電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程只影響該電阻頂端周圍的一小片區(qū)域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區(qū)域。擦除/RESET脈沖比寫/SET脈沖要高、窄和陡峭。SET脈沖用于置邏輯1，使非晶層再結(jié)晶回到結(jié)晶態(tài)。

相變存儲(chǔ)器的工作原理

4，PCM設(shè)備的接入功能輸出

以上答案皆不滿意
光纖收發(fā) 城域網(wǎng)建設(shè) 語音數(shù)據(jù)輸出~很簡(jiǎn)單
華為pcm接入設(shè)備是嗎？華為pcm接入設(shè)備配合sdh用的 具體到諾深達(dá)通信問問
就是脈沖編碼調(diào)制啊，笨
現(xiàn)在的數(shù)字傳輸系統(tǒng)都是采用脈碼調(diào)制（Pulse Code Modulation） 體制。PCM最初并非傳輸計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)用的，而是使交換機(jī)之間有一條中繼線不是只傳送一條電話信號(hào)。PCM有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)即E1和T1。我國采用的是歐洲的E1標(biāo)準(zhǔn)。T1的速率是1.544Mbit/s,E1的速率是2.048Mbit/s。 PCM：相變存儲(chǔ)器(Phase-change memory,PCM)是由IBM公司的研究機(jī)構(gòu)所開發(fā)的一種新型存儲(chǔ)芯片,將有望來替代如今的閃存Flash和硬盤驅(qū)動(dòng)器HDD。PCM 在光纖通信系統(tǒng)中，光纖中傳輸?shù)氖嵌M(jìn)制光脈沖"0"碼和"1"碼，它由二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)對(duì)光源進(jìn)行通斷調(diào)制而產(chǎn)生。而數(shù)字信號(hào)是對(duì)連續(xù)變化的模擬信號(hào)進(jìn)行抽樣、量化和編碼產(chǎn)生的，稱為PCM（pulse code modulation），即脈沖編碼調(diào)制。這種電的數(shù)字信號(hào)稱為數(shù)字基帶信號(hào)，由PCM電端機(jī)產(chǎn)生。 PCM可以向用戶提供多種業(yè)務(wù)，既可以提供從2M到155M速率的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)專線業(yè)務(wù)，也可以提供話音、圖象傳送、遠(yuǎn)程教學(xué)等其他業(yè)務(wù)。特別適用于對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率要求較高，需要更高帶寬的用戶使用。 PCM線路的特點(diǎn)：

5，什么是PCM功能

PCM（Pulse Code Modulation----脈碼調(diào)制錄音)。所謂PCM錄音就是將聲音等模擬信號(hào)變成符號(hào)化的脈沖列，再予以記錄。PCM信號(hào)是由[1]、[0]等符號(hào)構(gòu)成的數(shù)字信號(hào)。與模擬信號(hào)比，它不易受傳送系統(tǒng)的雜波及失真的影響。動(dòng)態(tài)范圍寬，可得到音質(zhì)相當(dāng)好的影響效果。PCM軌跡與視頻軌跡不同，故也可用于后期錄音。但在Hi8的攝像機(jī)中要實(shí)現(xiàn)PCM，必須通過其他的專業(yè)器材，僅靠攝像機(jī)是無法達(dá)到該效果的。
現(xiàn)在的數(shù)字傳輸系統(tǒng)都是采用脈碼調(diào)制（pulse code modulation） 體制。pcm最初并非傳輸計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)用的，而是使交換機(jī)之間有一條中繼線不是只傳送一條電話信號(hào)。pcm有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)即e1和t1。 我國采用的是歐洲的e1標(biāo)準(zhǔn)。t1的速率是1.544mbit/s,e1的速率是2.048mbit/s。 pcm：相變存儲(chǔ)器(phase-change memory,pcm)是由ibm公司的研究機(jī)構(gòu)所開發(fā)的一種新型存儲(chǔ)芯片,將有望來替代如今的閃存flash和硬盤驅(qū)動(dòng)器hdd。 pcm 在光纖通信系統(tǒng)中，光纖中傳輸?shù)氖嵌M(jìn)制光脈沖"0"碼和"1"碼，它由二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)對(duì)光源進(jìn)行通斷調(diào)制而產(chǎn)生。而數(shù)字信號(hào)是對(duì)連續(xù)變化的模擬信號(hào)進(jìn)行抽樣、量化和編碼產(chǎn)生的，稱為pcm（pulse code modulation），即脈沖編碼調(diào)制。這種電的數(shù)字信號(hào)稱為數(shù)字基帶信號(hào)，由pcm電端機(jī)產(chǎn)生。 pcm可以向用戶提供多種業(yè)務(wù)，既可以提供從2m到155m速率的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)專線業(yè)務(wù)，也可以提供話音、圖象傳送、遠(yuǎn)程教學(xué)等其他業(yè)務(wù)。特別適用于對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率要求較高，需要更高帶寬的用戶使用。 pcm線路的特點(diǎn)： ?pcm線路可以提供很高的帶寬，滿足用戶的大數(shù)據(jù)量的傳輸。 ?支持從 2m開始的各種速率,最高可達(dá)155m的速率。 ?通過sdh設(shè)備進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)傳輸，線路協(xié)議簡(jiǎn)單。 與傳統(tǒng)的ddn技術(shù)相比,pcm具有以下特點(diǎn)： ?線路使用費(fèi)用相對(duì)便宜。 ?能夠提供較大的帶寬。 ?接口豐富便于用戶連接內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)。 ?可以承載更多的數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)。

6，LPCM與PCM的區(qū)別

LPCM與PCM的唯一區(qū)別在于采樣頻率和量化精度不同。一、LPCM（線性脈沖編碼調(diào)制）是一種非壓縮音頻數(shù)字化技術(shù)，是一種未壓縮的原音重現(xiàn)，是非壓縮的數(shù)字化技術(shù)，碼率較大。二、而PCM（脈沖編碼調(diào)制）是一種將模擬語音信號(hào)變換為數(shù)字信號(hào)的編碼方式。PCM主要經(jīng)過3個(gè)過程：抽樣、量化和編碼。抽樣過程將連續(xù)時(shí)間模擬信號(hào)變?yōu)殡x散時(shí)間、連續(xù)幅度的抽樣信號(hào)，量化過程將抽樣信號(hào)變?yōu)殡x散時(shí)間、離散幅度的數(shù)字信號(hào)，編碼過程將量化后的信號(hào)編碼成為一個(gè)二進(jìn)制碼組輸出。擴(kuò)展資料:PCM技術(shù)基礎(chǔ)：1、一位可變?nèi)缤琑AM或EEPROM，PCM可變的最小單元是一位。閃存技術(shù)在改變儲(chǔ)存的信息時(shí)要求有一步單獨(dú)的擦除步驟。而在一位可變的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的信息在改變時(shí)無需單獨(dú)的擦除步驟，可直接由1變?yōu)?或由0變?yōu)?。2、非易失性相變存儲(chǔ)器如NOR閃存與NAND閃存一樣是非易失性的存儲(chǔ)器。RAM需要穩(wěn)定的供電來維持信號(hào)，如電池支持。DRAM也有稱為軟錯(cuò)誤的缺點(diǎn)，由微?；蛲饨巛椛鋵?dǎo)致的隨機(jī)位損壞。早期Intel進(jìn)行的兆比特PCM存儲(chǔ)陣列能夠保存大量數(shù)據(jù)，該實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明PCM具有良好的非易失性。3、讀取速度如同RAM和NOR閃存，PCM技術(shù)具有隨機(jī)存儲(chǔ)速度快的特點(diǎn)。這使得存儲(chǔ)器中的代碼可以直接執(zhí)行，無需中間拷貝到RAM。PCM讀取反應(yīng)時(shí)間與最小單元一比特的NOR閃存相當(dāng)，而它的的帶寬可以媲美DRAM。相對(duì)的，NAND閃存因隨機(jī)存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)達(dá)幾十微秒，無法完成代碼的直接執(zhí)行。4、寫入/擦除速度PCM能夠達(dá)到如同NAND的寫入速度，但是PCM的反應(yīng)時(shí)間更短，且無需單獨(dú)的擦除步驟。NOR閃存具有穩(wěn)定的寫入速度，但是擦除時(shí)間較長(zhǎng)。PCM同RAM一樣無需單獨(dú)擦除步驟，但是寫入速度（帶寬和反應(yīng)時(shí)間）不及RAM。隨著PCM技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)單元縮減，PCM將不斷被完善。5、縮放比例縮放比例是PCM的第五個(gè)不同點(diǎn)。NOR和NAND存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致存儲(chǔ)器很難縮小體型。這是因?yàn)殚T電路的厚度是一定的，它需要多于10V的供電，CMOS邏輯門需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲(chǔ)器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲(chǔ)單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。參考資料：百度百科-PCM百度百科-LPCM
1.什么是PCMPCM（脈沖編碼調(diào)制）是一種將模擬信號(hào)變換為數(shù)字信號(hào)的編碼方式，毋須解碼，功放可以直接DAC和放大。2.什么是LPCMLPCM（線性脈沖編碼調(diào)制）即線性 PCM，同PCM原理一樣，也是一種非壓縮音頻數(shù)字化技術(shù)，二者區(qū)別在于采樣頻率和量化精度不同，LPCM碼率和體積較大。
pcm（脈沖編碼調(diào)制）是一種將模擬語音信號(hào)變換為數(shù)字信號(hào)的編碼方式。主要經(jīng)過3個(gè)過程：抽樣、量化和編碼。抽樣過程將連續(xù)時(shí)間模擬信號(hào)變?yōu)殡x散時(shí)間、連續(xù)幅度的抽樣信號(hào)，量化過程將抽樣信號(hào)變?yōu)殡x散時(shí)間、離散幅度的數(shù)字信號(hào)，編碼過程將量化后的信號(hào)編碼成為一個(gè)二進(jìn)制碼組輸出。 lpcm（線性脈沖編碼調(diào)制）是一種非壓縮音頻數(shù)字化技術(shù)，是一種未壓縮的原音重現(xiàn)，在普通cd、dvd及其他各種要求最高音頻質(zhì)量的場(chǎng)合中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。各種應(yīng)用場(chǎng)合中的lpcm與pcm原理是一樣的，區(qū)別在于采樣頻率和量化精度不同。主要區(qū)別 是lpcm是非壓縮的數(shù)字化技術(shù)，碼率較大
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