內(nèi)存和外存的區(qū)別:1。性質(zhì)不同:外部存儲器是指存儲器除了計算機存儲器和CPU緩存，掉電后仍然可以存儲數(shù)據(jù)擴展數(shù)據(jù)存儲器 space可分為:MCS51 存儲器是程序存儲器和數(shù)據(jù) 存儲器分別尋址的結(jié)構(gòu)，Its 存儲器 space在物理上可以分為以下四個空間:片內(nèi)程序存儲器，片外程序存儲器，片內(nèi)程序數(shù)據(jù)，片外。
MCS51單片機的組成和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。MCS51 MCU 存儲器結(jié)構(gòu)2008年6月1日星期日12: 31，MCS51 MCU有四個物理存儲空間:1。片內(nèi)程序存儲器2，片外程序存儲器3，片內(nèi)程序。-2/ 存儲器但是邏輯上，從用戶的角度來說，8051單片機有三個存儲空間:1 .64K程序存儲器地址空間(MOV)3)2、片內(nèi)地址空間-2存儲器of 256 b、片外地址空間/164k。在訪問三個不同的邏輯空間時，地址空間(MOVX)要采用不同形式的指令(我們會在后面的指令系統(tǒng)學習中解釋)在存儲器 space中產(chǎn)生不同的選通信號。
1。Random 存儲器(隨機存取存儲器)Random 存儲器是一種可以隨機讀/寫數(shù)據(jù)的存儲器也叫讀。RAM有以下兩個特點:第一，可讀寫。讀取時不破壞原存儲內(nèi)容，寫入時只修改原存儲內(nèi)容。第二，RAM只能用來臨時存儲信息。一旦斷電，存儲的內(nèi)容立即消失，這意味著它是易變的。RAM通常由MOS半導體存儲器構(gòu)成，按存儲數(shù)據(jù)的機理可分為動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM。
2.只讀存儲器(只讀存儲器)ROM是只讀的存儲器。顧名思義，它的特點是只能閱讀原文內(nèi)容，不能由用戶編寫。原始存儲內(nèi)容由制造商使用掩膜技術寫入一次，并永久保存。一般用來存放特殊的固定程序和數(shù)據(jù)。只讀存儲器是一種非易失性存儲器。信息一旦寫入，就不需要外接電源來保存信息，也不會因斷電而丟失。
3、MCS-51單片機片內(nèi)256B的 數(shù)據(jù) 存儲器可分為幾個區(qū)?分別起什么作用MCS51片內(nèi)數(shù)據(jù) 存儲器可分為兩個區(qū)域:由00H~7FH單元組成的低128B的片內(nèi)RAM區(qū)和由80H~FFH單元組成的高128B的專用寄存器區(qū)。低位128B RAM區(qū)進一步分為:00H~1FH單元為工作寄存器區(qū)，20H~2FH單元為位尋址區(qū)，30H~7FH單元為用戶RAM區(qū)。工作寄存器區(qū)可以作為通用寄存器使用，用戶RAM區(qū)可以用于堆棧和數(shù)據(jù)緩沖。
