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ddr是什么,什么是DDR3內(nèi)存

來源:整理 時間:2024-11-07 19:28:24 編輯:智能門戶 手機版

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1,什么是DDR3內(nèi)存

內(nèi)存條 現(xiàn)在買電腦,DDR2是首選,DDR3 1333的實際測試得分只比DDR2 1066高一點點,而全套的配置價格要高兩倍,DDR3的理論速度可以達到2GHz,目前只有1333MHz的產(chǎn)品(至于部分產(chǎn)品1800HMz是需要手動超頻后才能達到的),可以想見DDR3還需要走過一段時間的路才能成熟,至于以后升級DDR3,不要做考慮了,支持DDR3的主板目前還很貴,把省出的錢又夠以后配半臺電腦的了

什么是DDR3內(nèi)存

2,ddr3 sdram是什么意思

ddr3指第三代的ddr內(nèi)存(ddr是個內(nèi)存的技術(shù)),sdram是內(nèi)存的類型,一般說ddr3就代表了ddr3 sdram了。sdram具體的是指synchronous dynamic random access memory,同步動態(tài)隨機存儲器
你這個代表手機運行內(nèi)存規(guī)格是ddr3內(nèi)存。ddr3是一種內(nèi)存規(guī)格,使用廣泛,采取上下沿觸發(fā)工作模式,所以ddr3內(nèi)存在同ddr2內(nèi)存相同時鐘頻率下,工作頻率高一倍,內(nèi)存工作頻率越高,內(nèi)存帶寬越大,單位時間內(nèi)存數(shù)據(jù)吞吐量就更大,代表手機或者電腦內(nèi)存中的運行程序速度更快?,F(xiàn)在在顯卡中廣泛使用ddr5,工作頻率非常高,臺式機里最新大量使用的是ddr4內(nèi)存,也是一種高頻率內(nèi)存,ddr3內(nèi)存電腦在慢慢失去市場。手機上因為工作電壓,CPU芯片支持性,最高還只能支持ddr3內(nèi)存。

ddr3 sdram是什么意思

3,有關(guān)電腦設(shè)備中DDR3內(nèi)存是什么意思

DDR 簡單地說就是雙通道內(nèi)存的意思。 ddr3 ddr2 ddr都是有古老的SDRAM內(nèi)存發(fā)展而來的,他們與SDRAM內(nèi)存最大的不同就是加入了DDR:Double Date Rate雙倍傳輸技術(shù)。而ddr2以及ddr3則是雙倍傳輸技術(shù)第2代和第3代它們在雙倍傳輸技術(shù)上加入了4-bit與8-bit數(shù)據(jù)預(yù)讀技術(shù)。簡單的說4-bit/8-bit數(shù)據(jù)預(yù)讀就是將內(nèi)存單元隊列與內(nèi)存I/O緩存之間的傳輸線路由ddr內(nèi)存的2條分別增加到4條與8條這樣,在相同的工作頻率下,一個時鐘周期內(nèi),ddr2與ddr3內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率就是ddr內(nèi)存的2倍與4倍其他方面ddr3具備更好的電氣性能電壓為1.5v ddr2內(nèi)存電壓1.8vddr2內(nèi)存和ddr3內(nèi)存左右兩邊的缺口外形截然不同其中ddr2內(nèi)存為半圓形,ddr3為矩形同時ddr3內(nèi)存防呆接口的位置更加便向內(nèi)存左側(cè)

有關(guān)電腦設(shè)備中DDR3內(nèi)存是什么意思

4,電腦的DDR是什么意思

DDR是Double Data Rate的縮寫(雙倍數(shù)據(jù)速率),DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從幾年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。它在工作的時候通過時鐘頻率的上行和下行都可以傳輸數(shù)據(jù)(SDRAM只能通過下行傳輸),因此在頻率相等的情況下?lián)碛须p倍于SDRAM的帶寬。另外DDR內(nèi)存的DIMM是184pins,而SDRAM則是168pins。因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存 嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。   SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。   與SDRAM相比:DDR運用了更先進的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標準SDRA的兩倍。   從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準,而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。 DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
DDR就是指的內(nèi)存的代數(shù),DDR400是一代內(nèi)存,DDR2 533.667,800是二代內(nèi)存,DDR3是三代
內(nèi)存
代表內(nèi)存的型號DDR是1代內(nèi)存

5,什么是DDR技術(shù)

嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。   SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。   與SDRAM相比:DDR運用了更先進的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標準SDRA的兩倍。   從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準,而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。 DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
DDR技術(shù),即Double Data Rate,翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是SDRAM的升級換代版本,在它的催生下,2000年下半年的內(nèi)存止跌不穩(wěn)已經(jīng)徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術(shù)上分析,DDR SDRAM最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上,其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍,由于僅多采用了下降緣信號,因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的數(shù)據(jù)控制接腳(Data Strobe,DQS)。當(dāng)系統(tǒng)中某個控制器發(fā)出一個寫入命令時,一個DQS信號便會由內(nèi)存控制器送出至內(nèi)存。 現(xiàn)在已經(jīng)是DDR2內(nèi)存時代了。
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6,電腦上的DDR是什么意思 啊

是指內(nèi)存顆粒的型號
內(nèi)存
DDR和DDR2的結(jié)構(gòu)和頻率不一樣 與DDR相比,DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比,在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講,DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。 DDR2與DDR的區(qū)別示意圖 與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合,DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù),比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于,它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。 然而,盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存,因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDR2的針腳數(shù)量為240針,而DDR內(nèi)存為184針;其次,DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。 DDR2的定義: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準,它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說,DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。 此外,由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。 DDR2與DDR的區(qū)別: 在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。 1、延遲問題: 從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。 這樣也就出現(xiàn)了另一個問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中,后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發(fā)熱量: DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當(dāng)頻率更高時,它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式,F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。 DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量,這一點的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術(shù): 除了以上所說的區(qū)別外,DDR2還引入了三項新的技術(shù),它們是OCD、ODT和Post CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整,DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性;通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。 ODT:ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上,不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的,終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率,終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低;終結(jié)電阻高,則數(shù)據(jù)線的信噪比高,但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組,還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻,這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號品質(zhì),這是DDR不能比擬的。 Post CAS:它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中,CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期,因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。 總的來說,DDR2采用了諸多的新技術(shù),改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存 嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也常看到DDR SDRAM,就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。   SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。   與SDRAM相比:DDR運用了更先進的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標準SDRA的兩倍。   從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準,而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。 DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
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