怎么看內(nèi)存時(shí)序，求問大神內(nèi)存時(shí)序在哪兒可以查看呀

來源：整理時(shí)間：2024-09-27 14:18:12 編輯：智能門戶手機(jī)版

1，求問大神內(nèi)存時(shí)序在哪兒可以查看呀

用CPU-Z 看內(nèi)存那部分下面就有時(shí)序了

求問大神內(nèi)存時(shí)序在哪兒可以查看呀

2，關(guān)于內(nèi)存時(shí)序

不會(huì)，只要頻率一樣就行！

頻率一樣就可以

關(guān)于內(nèi)存時(shí)序

3，怎么查看電腦內(nèi)存條生產(chǎn)日期

一般是去該品牌的官網(wǎng)，輸入內(nèi)存條上的SN碼查詢，即可知道生產(chǎn)出廠日期！或者下載CPU-Z 檢測(cè)即可查看如果不會(huì)，也可以用魯大師測(cè)試，也是可以檢測(cè)出來的

怎么查看電腦內(nèi)存條生產(chǎn)日期

4，內(nèi)存時(shí)序問題如何選擇

8-8-8-24的要快一些，超頻的話來說這點(diǎn)點(diǎn)改變沒有什么影響，如果選擇的話選擇8-8-8-24吧。

內(nèi)存時(shí)序到底是什么意思？越大越好？還是越小越好呢？

首先你要了解的是這個(gè)基本問題 CL（CAS Latency）：“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間” tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行尋址至列尋址延遲時(shí)間” tRP(RAS Precharge Time): “內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間” .tRAS(RAS Active Time): “內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期” 一般而言，數(shù)值越小，性能越好。過來，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。默認(rèn)同頻的內(nèi)存時(shí)序相對(duì)較小的，一般來說體質(zhì)較好，超頻性能更強(qiáng)（只看參數(shù)，有極個(gè)別特殊情況除外）

5，用CPUZ看內(nèi)存頻率怎么有兩個(gè)

1，打開CPU-z軟件。2，單擊內(nèi)存或Memory即可看到內(nèi)存條的實(shí)際運(yùn)行頻率。如下圖：

cpu-z中檢測(cè)的內(nèi)存頻率要x2才是你內(nèi)存真實(shí)的頻率。這個(gè)軟件就是這樣子的。

這個(gè)不是你實(shí)際的內(nèi)存槽數(shù)量！是這個(gè)主板最多可以做成4個(gè)內(nèi)存槽的！實(shí)際筆記本的生產(chǎn)商買來這個(gè)板子，不一定就要裝4個(gè)插糟。這樣測(cè)毫無意義！另外即使同一個(gè)品牌同一個(gè)型號(hào)，都有可能不一樣。辦法一就是打開看，辦法二給廠家報(bào)序列號(hào)，可以查到。軟件不可查。

133.3*4=533.這個(gè)內(nèi)存實(shí)際就是DDR2 533內(nèi)存嘛，這個(gè)133.3是533內(nèi)存的真實(shí)頻率，而533是一種稱號(hào)，正?，F(xiàn)象

cpuz里面顯示的應(yīng)該是你內(nèi)存上SPD的參數(shù)，SPD是存儲(chǔ)內(nèi)存參數(shù)的，有點(diǎn)類似主板BIOS，你的內(nèi)存可能就存儲(chǔ)了133MHZ和142MHZ的運(yùn)行頻率下的各種響應(yīng)時(shí)間參數(shù)。想看哪個(gè)是真的，要選擇“內(nèi)存”選項(xiàng)卡，里面的時(shí)序就是你目前內(nèi)存運(yùn)行的狀態(tài)，其中就有頻率。注：我所說的是針對(duì)CPUZ1.4漢化版而言。

6，下邊有BOIS各項(xiàng)是什么意思呢

內(nèi)存時(shí)序設(shè)置。如果你不超頻，不需要更改這些。主要是在超頻的時(shí)候，如果內(nèi)存體質(zhì)好，可以設(shè)置更高的頻率和更低的時(shí)序，以達(dá)到更高的內(nèi)存RAM性能如果買的是普通內(nèi)存又想超頻，內(nèi)存跟不上外頻的時(shí)候，內(nèi)存時(shí)序設(shè)置，可以讓內(nèi)存與外頻異步，達(dá)到光給CPU超頻，內(nèi)存頻率降低的功能

你的U貌似沒鎖倍頻，AMD的？

basic input/output system 的縮寫，全稱rom-bios，意思是只讀存儲(chǔ)器基本輸入系統(tǒng)。事實(shí)上，它是一組被固化到計(jì)算機(jī)中、為計(jì)算機(jī)提供最低級(jí)最直接的硬件控制的一組程序。既然是“程序”，當(dāng)然屬于“軟件”。但bios卻又是不是一般的軟件，形象地說，bios是連通軟件程序和硬件設(shè)備之間的一座“橋梁”。一個(gè)“轉(zhuǎn)換器”，負(fù)責(zé)解決硬件的即時(shí)要求，并按軟件對(duì)硬件的操作要求具體執(zhí)行。 coms，complementary metal oxide semiconductor的縮寫。意思是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。對(duì)！cmos是存儲(chǔ)器，是目前絕大多數(shù)計(jì)算機(jī)中都使用的一種用電池供電的存儲(chǔ)器（ram）。既為“存儲(chǔ)器”，毫無疑問是“硬件”。那么，cmos這個(gè)“硬件”與bios這個(gè)“軟件”到底有什么關(guān)系呢？首先，我們應(yīng)該明確以下的三個(gè)概念： 1、在通常情況下，我們所說的bios設(shè)置其實(shí)指的是我們通過設(shè)置程序?qū)τ布到y(tǒng)進(jìn)行參數(shù)修改的這樣一個(gè)過程。 2、rom，read-only memory 的縮寫。意為只讀存儲(chǔ)器，其特點(diǎn)是只能讀取、不能修改，且斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。啟動(dòng)方式是post（加電自檢）。 3、ram，random access memory 的縮寫。意為隨機(jī)存儲(chǔ)器，特點(diǎn)是可讀寫、可修改，加上cmos ram有機(jī)內(nèi)電池供電，因此數(shù)據(jù)能長(zhǎng)久保存。也正因如此，我們就：一、利用rom的特點(diǎn)，用它來放修改系統(tǒng)參數(shù)所需的設(shè)置程序，因?yàn)檫@一程序是可固定不變且不可或缺的。二、利用ram的特點(diǎn)，用來存放通過運(yùn)行設(shè)置程序而改變的系統(tǒng)參數(shù)，使之隨時(shí)讀寫，即改即用。所以，bios設(shè)置又叫做cmos參數(shù)設(shè)置。那么，bios在整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中究竟起著一個(gè)什么樣的作用呢？從功能上看，bios有以下三方面的作用： 1、自檢及初始化程序； 2、硬件中斷處理； 3、程序服務(wù)請(qǐng)求。目前，市場(chǎng)上主要的bios有ami bios和award bios兩種。前者多見于286、386系統(tǒng)中，操作簡(jiǎn)便，工作可靠，但卻在綠色節(jié)能系統(tǒng)普及時(shí)顯得滯后；而后者則是586以上機(jī)型的首選，現(xiàn)在用得最多的是4.x版。由于產(chǎn)品差別，bios設(shè)置程序的進(jìn)入方式也不一樣：ami bios設(shè)置程序后，最好使用其本身的缺省設(shè)置，設(shè)置方法是：對(duì)ami bios，在操作界面中選擇“auto configration with bios defaults（用bios缺省值自動(dòng)設(shè)置）”；對(duì)于award bios則選擇“l(fā)oad setup defaults（加載設(shè)置缺省值）”。最后簡(jiǎn)單概括一下，cmos是電腦主板上的一小塊集成電路。里面儲(chǔ)存的程序叫做bois，它是一個(gè)軟件。它管理著電腦的各個(gè)硬件，比如電腦的時(shí)間就是由它決定。它是對(duì)電腦最基礎(chǔ)的設(shè)定?，F(xiàn)在的電腦買下一般不需要設(shè)定就能用。進(jìn)入的方法是，如果是組裝機(jī)都一樣，在剛開機(jī)后不停的按del一會(huì)就進(jìn)去了。當(dāng)然這是笨辦法，其實(shí)只有你看見下面最低一行有del高這顯示的時(shí)候，按del就可以進(jìn)去了，那里面不懂的話還是別改。

意思是內(nèi)存時(shí)序模式：auto是自動(dòng)，manual是手動(dòng)模式。不了解的話最好選自動(dòng)模式。CAS Latency（CL）：列地址選通潛伏時(shí)間，指的是在當(dāng)前行訪問和讀一特定列的時(shí)鐘周期。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。tRCD：行地址到列地址的延遲時(shí)間，這是激活行地址選通和開始讀列地址選通之間的時(shí)鐘周期延遲。JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能，如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-10。tRP：行地址選通預(yù)充電時(shí)間。這是從一個(gè)行地址轉(zhuǎn)換到下一個(gè)行地址所需的時(shí)鐘周期（比如從一個(gè)Bank轉(zhuǎn)換到下一個(gè)Bank）。預(yù)充電參數(shù)小可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。tRAS：行地址選通。這是預(yù)充電和行數(shù)據(jù)存取之間的預(yù)充電延遲時(shí)間。也就是“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。參數(shù)范圍5-20。JEDEC規(guī)范中，它是排在第四的參數(shù)。tRTP：讀取到預(yù)充電命令延遲，這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間延遲。如果參數(shù)值過小，系統(tǒng)運(yùn)行很快，但不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-15。tRFC：刷新周期時(shí)間，這個(gè)參數(shù)表示自動(dòng)刷新“行”周期時(shí)間，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。參數(shù)范圍30-110。tWR：寫恢復(fù)時(shí)間。這是一個(gè)有效的“寫”動(dòng)作和bank預(yù)充電到數(shù)據(jù)能正確寫入之間的時(shí)間。就是說在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWR雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。參數(shù)范圍1-15。tRRD：行選通到行選通延遲，也稱為Row to Row delay。這是表示“行單元到行單元的延時(shí)”。該值也表示在同一個(gè)內(nèi)存模組連續(xù)的行選通動(dòng)作或者預(yù)充電行數(shù)據(jù)命令的最小延遲時(shí)間。tRRD值越小延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。如果出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況，需將此值設(shè)定較高的時(shí)鐘參數(shù)。參數(shù)范圍1-7。tWTR：寫到讀延時(shí)。這個(gè)參數(shù)表示在同一內(nèi)存Bank區(qū)寫命令和下一個(gè)讀命令之間的延遲時(shí)間。也就是在同一個(gè)單元中，最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。tWTR值偏高，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能，但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍1-15。