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硅片清洗，單晶硅要怎么清洗

來源：整理時(shí)間：2025-01-07 17:52:27 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，單晶硅要怎么清洗
2，硅膠用什么東西可以洗掉
3，硅膠怎么清洗
4，超聲波清洗機(jī)能清洗硅片嗎
5，怎樣對硅平面工藝中的單晶硅片進(jìn)行清洗
6，如何清洗硅片

1，單晶硅要怎么清洗

將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內(nèi)具有去離子水高度并不斷流動(dòng)的條件下，利用設(shè)在清洗槽底部的超聲波振子進(jìn)行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個(gè)面，連續(xù)超洗至被超洗的研磨硅片表面沒有黑色污染物冒出止。希望能幫助到您。

單晶硅要怎么清洗

2，硅膠用什么東西可以洗掉

二甲苯可以洗去，油漆店，化工商店買。

1、硅膠我們完全可以用清水進(jìn)行清洗，如果不是那么平滑，凹凸不平的我們可以找個(gè)小毛刷進(jìn)行輕輕清洗；如果清洗實(shí)在不行的話，可以用肥皂涂抹在上面進(jìn)行清洗；2、可以用酒精來去除；3、衣可將衣物的污染處浸泡在溫水中，當(dāng)污漬被水溶解后，再用手揉搓，直到污漬全部搓掉為止，然后再用溫洗滌液洗一遍，最后用清水沖凈； 4、用小涮子沾一些二甲苯,浸在硅膠的地方，用紙巾擦浸過二甲苯的硅膠，最后用抹布擦干凈；

硅膠用什么東西可以洗掉

3，硅膠怎么清洗

這個(gè)要看硅膠材質(zhì) 材質(zhì)好的直接用水洗就可以但是千萬不要用洗潔精洗衣服等含堿含酸腐蝕性的物質(zhì)清洗

1、硅膠我們完全可以用清水進(jìn)行清洗，如果不是那么平滑，凹凸不平的我們可以找個(gè)小毛刷進(jìn)行輕輕清洗；如果清洗實(shí)在不行的話，可以用肥皂涂抹在上面進(jìn)行清洗； 2、如果是散熱的那種硅膠我們可以用酒精來去除； 3、衣可將衣物的污染處浸泡在溫水中，當(dāng)污漬被水溶解后，再用手揉搓，直到污漬全部搓掉為止，然后再用溫洗滌液洗一遍，最后用清水沖凈； 4、用小涮子沾一些二甲苯,浸在硅膠的地方，用紙巾擦浸過二甲苯的硅膠，最后用抹布擦干凈；

硅膠怎么清洗

4，超聲波清洗機(jī)能清洗硅片嗎

1、硅片晶圓超聲波清洗機(jī)能清洗硅片。2、硅片晶圓生產(chǎn)清洗工藝中，使用超聲波清洗機(jī)有效去除硅片晶圓表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。根據(jù)不同清洗工藝配置相應(yīng)的清洗單元，各部分有獨(dú)立控制，隨意組合。3、硅片的清洗在半導(dǎo)體制作過程中十分重要，而磨片的清洗是所有清洗工序中最困難的。由于使用了硅片超聲波清洗機(jī)，通過物理滲透作用，使污染顆粒脫離硅片表面，再通過超聲波清洗的機(jī)械作用和化學(xué)腐蝕作用，最終去除污染顆粒，達(dá)到了清洗硅片的目的。

會(huì)影響。

額，硅片現(xiàn)在都是用全自動(dòng)超聲波清洗機(jī)清洗的啊

可以，不過據(jù)說是用1MHz的頻率的清洗機(jī)。不是普通的低頻100K以下頻率的清洗機(jī)。

5，怎樣對硅平面工藝中的單晶硅片進(jìn)行清洗

4）工藝流程 a）工藝流程－＞1# 自動(dòng)上料－＞2# 超聲堿洗－＞3# 超聲堿洗－＞4# QDR清洗－＞5# 超聲漂洗－＞6# 超聲漂洗－＞7# 溢流清洗（DI水）－＞8# 單晶絨面處理－＞9# 單晶絨面處理－＞10# QDR清洗（DI水）－＞11# 單晶絨面處理－＞12# 單晶絨面處理－＞13# QDR清洗（DI水）－＞13#、14# 之間風(fēng)淋（Air）－＞14# 溢流清洗（DI水）－＞14#、15# 之間風(fēng)淋（Air）－＞15# 溢流清洗（DI水）－＞16# HCL處理－＞17# HCL處理－＞18# QDR清洗（DI水）－＞19# QDR清洗（DI水）－＞20# HF 處理－＞21# QDR清洗（DI水）－＞22# 溢流清洗（DI水）－＞23# 溢流清洗（DI水）－＞24# 自動(dòng)下料

3)設(shè)備組成設(shè)備組成：清洗設(shè)備主體、移載機(jī)械臂、排風(fēng)系統(tǒng)、電控及操作面板等組成，設(shè)備工藝流向采用“右進(jìn)左出”。 4）工藝流程 a）工藝流程－＞1# 自動(dòng)上料－＞2# 超聲堿洗－＞3# 超聲堿洗－＞4# qdr清洗－＞5# 超聲漂洗－＞6# 超聲漂洗－＞7# 溢流清洗（di水）－＞8# 單晶絨面處理－＞9# 單晶絨面處理－＞10# qdr清洗（di水）－＞11# 單晶絨面處理－＞12# 單晶絨面處理－＞13# qdr清洗（di水）－＞13#、14# 之間風(fēng)淋（air）－＞14# 溢流清洗（di水）－＞14#、15# 之間風(fēng)淋（air）－＞15# 溢流清洗（di水）－＞16# hcl處理－＞17# hcl處理－＞18# qdr清洗（di水）－＞19# qdr清洗（di水）－＞20# hf 處理－＞21# qdr清洗（di水）－＞22# 溢流清洗（di水）－＞23# 溢流清洗（di水）－＞24# 自動(dòng)下料

6，如何清洗硅片

清洗方法（一）RCA清洗： RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng), 并由此得名。RCA 清洗是一種典型的濕式化學(xué)清洗。RCA 清洗主要用于清除有機(jī)表面膜、粒子和金屬沾污。 1、顆粒的清洗硅片表面的顆粒去除主要用APM ( 也稱為SC1) 清洗液(NH4OH + H2O2 + H2O) 來清洗。在APM 清洗液中,由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2) , 呈親水性, 硅片表面和粒子之間可用清洗液浸透, 硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH 腐蝕,硅片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率與硅片表面的腐蝕量有關(guān), 為去除粒子,必須進(jìn)行一定量的腐蝕。在清洗液中, 由于硅片表面的電位為負(fù), 與大部分粒子間都存在排斥力, 防止了粒子向硅片表面吸附。表2常用的化學(xué)清洗溶液名稱組成作用 SPM H2SO4∶H2O2∶H2O 去除重有機(jī)物沾污。但當(dāng)沾污非常嚴(yán)重時(shí), 會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除 DHF HF∶(H2O2)∶H2O 腐蝕表面氧化層, 去除金屬沾污 APM(SC1) NH4OH∶H2O2∶H2O 能去除粒子、部分有機(jī)物及部分金屬。此溶液會(huì)增加硅片表面的粗糙度 HPM(SC2) HCl∶(H2O2)∶H2O 主要用于去除金屬沾污 2、表面金屬的清洗 (1) HPM (SC22) 清洗 (2) DHF清洗硅片表面的金屬沾污有兩種吸附和脫附機(jī)制: (1) 具有比硅的負(fù)電性高的金屬如Cu ,Ag , Au , 從硅表面奪取電子在硅表面直接形成化學(xué)鍵。具有較高的氧化還原電位的溶液能從這些金屬獲得電子, 從而導(dǎo)致金屬以離子化的形式溶解在溶液中, 使這種類型的金屬從硅片表面移開。(2) 具有比硅的負(fù)電性低的金屬, 如Fe , Ni ,Cr , Al , Ca , Na , K能很容易地在溶液中離子化并沉積在硅片表面的自然氧化膜或化學(xué)氧化膜上。這些金屬在稀HF 溶液中能隨自然氧化膜或化學(xué)氧化膜容易地除去。 3、有機(jī)物的清洗硅片表面有機(jī)物的去除常用的清洗液是SPM。SPM 具有很高的氧化能力, 可將金屬氧化后溶于溶液中, 并能把有機(jī)物氧化生成CO2 和水。SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬,但是當(dāng)有機(jī)物沾污較重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。經(jīng)SPM 清洗后, 硅片表面會(huì)殘留有硫化物,這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。（二）氣相干洗氣相干洗是在常壓下使用HF 氣體控制系統(tǒng)的濕度。先低速旋轉(zhuǎn)片子, 再高速使片子干燥, HF 蒸氣對由清洗引起的化學(xué)氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法。另一種方法是在負(fù)壓下使HF 揮發(fā)成霧。低壓對清洗作用控制良好,可揮發(fā)反應(yīng)的副產(chǎn)品, 干片效果比常壓下好。并且采用兩次負(fù)壓過程的揮發(fā), 可用于清洗較深的結(jié)構(gòu)圖形, 如對溝槽的清洗。 MMST工程主要目標(biāo)是針對高度柔性的半導(dǎo)體制造業(yè)而開發(fā)具有快速周期的工藝和控制方法。能夠通過特定化學(xué)元素以及成分直接對硅片表面進(jìn)行清理，避免了液體帶來的成分不均勻和廢液的回收問題，同時(shí)節(jié)約了成本。 1、氧化物去除：用氣相HF/水汽去除氧化物，所有的氧化物被轉(zhuǎn)變?yōu)樗苄詺堄辔? 被水溶性去除。繞開了顆粒清除過程，提高了效率。 2、金屬化后的腐蝕殘余物去除：氣相HF/氮?dú)夤に囉糜谌コg殘余物，且金屬結(jié)構(gòu)沒有被鉆蝕。這個(gè)工藝避免了昂貴而危險(xiǎn)的溶劑的使用, 對開支、健康、安全和環(huán)境等因素都有積極的影響。 3、氮化硅和多晶硅剝離：在遠(yuǎn)離硅片的一個(gè)陶瓷管中的微波放電產(chǎn)生活性基, 去除硅片上的氮化硅和多晶硅, 位于陶瓷管和硅片之間的一塊擋板將氣體分散并增強(qiáng)工藝的均勻性, 剝離工藝使用NF3,Cl2,N2和O2的組合分別地去除Si3N4, 然后去除多晶硅。 4、爐前清洗：用氣相HF/HCl氣體進(jìn)行爐前清洗并后加一個(gè)原位水沖洗過程, 金屬粒子的沾污被去除到了總反射X射線熒光光譜學(xué)(XRF)的探測極限范圍之內(nèi)。 5、金屬化前,等離子腐蝕后和離子注入后膠的殘余物去除: 臭氧工藝以及氣相HF/氮?dú)夤に囘€需進(jìn)一步的改進(jìn)才能應(yīng)用。但是有一種微剝離工藝，用SC1/超聲過程去除最后的顆粒。

硅片種類很多啊，有半導(dǎo)體的硅片，有太陽能級的硅片，單晶多晶的，清洗起來都有所差異的，但是清洗原理差不多的，主要藥劑都是酸堿為主的

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