光纖預(yù)制棒，光纖預(yù)制棒的介紹

來(lái)源：整理時(shí)間：2024-12-28 16:34:14 編輯：智能門(mén)戶手機(jī)版

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1，光纖預(yù)制棒的介紹
2，光纖預(yù)制棒的主要成分是什么如果把光纜裸露在堿性土壤中結(jié)果會(huì)
3，光纖預(yù)制棒是什么有什么用
4，光纖預(yù)制棒外包層是什么材料
5，什么是光纖預(yù)制棒
6，光纖怎么生產(chǎn)

1，光纖預(yù)制棒的介紹

光纖預(yù)制棒是制造石英系列光纖的核心原材料。簡(jiǎn)單地說(shuō)，用于拉光纖（絲）的玻璃特種預(yù)制大棒。

光纖預(yù)制棒的介紹

2，光纖預(yù)制棒的主要成分是什么如果把光纜裸露在堿性土壤中結(jié)果會(huì)

應(yīng)該是二氧化硅，離子方程式：SIO2+2OH-=SIO32-+H2O，同學(xué)不好意思打的不好，大概就是這個(gè)答案

SiO2； SiO2 + 2OHˉ = SiO3 2ˉ + H2O短路？斷路？再看看別人怎么說(shuō)的。

光纖預(yù)制棒的主要成分是什么如果把光纜裸露在堿性土壤中結(jié)果會(huì)

3，光纖預(yù)制棒是什么有什么用

光纖預(yù)制棒是光纜生產(chǎn)的最“源頭”項(xiàng)目，目前國(guó)內(nèi)光纜生產(chǎn)廠家約200家，大部分靠買(mǎi)進(jìn)口光纖或光纖預(yù)制棒來(lái)生產(chǎn)光纜。為了滿足我國(guó)光纖、光纜生產(chǎn)廠家對(duì)光纖預(yù)制棒的需求，更好地促進(jìn)通信事業(yè)的發(fā)展，擬合資、合作建立制作光纖預(yù)制棒的系統(tǒng)設(shè)備，以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)光纖預(yù)制棒系統(tǒng)設(shè)備的空白。

光纖預(yù)制棒是什么有什么用

4，光纖預(yù)制棒外包層是什么材料

最外面是外包層一般是聚合材料，第二層是鋁皮，鋁片皮面有鋼絲、填充物、和光纖束管。光纖束管里面一般是12根或者6根光纖組成。

光纖預(yù)制棒就是光纖物料.簡(jiǎn)單說(shuō)就是一根玻璃棒.經(jīng)制過(guò)絲后就成了光纖了.原料是:二氧化硅(就是咱們平時(shí)說(shuō)的玻璃)

5，什么是光纖預(yù)制棒

光纖預(yù)制棒就是光纖物料.簡(jiǎn)單說(shuō)就是一根玻璃棒.經(jīng)制過(guò)絲后就成了光纖了.原料是:二氧化硅(就是咱們平時(shí)說(shuō)的玻璃)

6，光纖怎么生產(chǎn)

生產(chǎn)方法　　①管棒法：將內(nèi)芯玻璃棒插入外層玻璃管中（盡量緊密），熔融拉絲；　　②雙坩堝法：在兩個(gè)同心鉑坩堝內(nèi)，將內(nèi)芯和外層玻璃料分別放入內(nèi)、外坩堝中；　?、鄯肿犹畛浞ǎ簩⑽⒖资⒉ＡО艚敫哒凵渎实奶砑觿┤芤褐校盟枵凵渎史植嫉臄嗝娼Y(jié)構(gòu)，再進(jìn)行拉絲操作，它的工藝比較復(fù)雜。在光導(dǎo)纖維通信中還可用內(nèi)外氣相沉積法等，以保證能制造出光損耗率低的光導(dǎo)纖維。光導(dǎo)纖維應(yīng)用時(shí)還要做成光纜，它是由數(shù)根光導(dǎo)纖維合并先組成光導(dǎo)纖維芯線，外面被覆塑料皮，再把光導(dǎo)纖維芯線組合成光纜，其中光導(dǎo)纖維的數(shù)目可以從幾十到幾百根，最大的達(dá)到4000根

用于制備光纖預(yù)制棒的方法主要采用以下四種方法：改進(jìn)化學(xué)汽相沉積法（MCVD），外部汽相沉積法（OVD），汽相軸向沉積法（VAD）和等離子體化學(xué)汽相沉積法（PCVD）。 1969年Jone和Hao采用SiCl4氣相氧化法制成的光纖的損耗低至10dB／km，而且摻雜劑都是采用純的TiO2、GeO2、B2O3及P2O5，這是MCVD法的原型，后來(lái)發(fā)展成為現(xiàn)在的MCVD所采用的SiCl4、GeCl4等液態(tài)的原材料。原料在高溫下發(fā)生氧化反應(yīng)生成SiO2、B2O3、GeO2、P2O5微粉，沉積在石英反應(yīng)管的內(nèi)壁上。在沉積過(guò)程中需要精密地控制摻雜劑的流量，從而獲得所設(shè)計(jì)的折射率分布。采用MCVD法制備的B／Ge共摻雜光纖作為光纖的內(nèi)包層，能夠抑制包層中的模式耦合，大大降低光纖的傳輸損耗。MCVD法是目前制備高質(zhì)量石英光纖比較穩(wěn)定可靠的方法，該法制備的單模光纖損耗可達(dá)到0.2-0.3dB／km，而且具有很好的重復(fù)性。 OVD法又為“管外汽相氧化法”或“粉塵法”，其原料在氫氧焰中水解生成SiO2微粉，然后經(jīng)噴燈噴出，沉積在由石英、石墨或氧化鋁材料制成的“母棒”外表面，經(jīng)過(guò)多次沉積，去掉母棒，再將中空的預(yù)制律在高溫下脫水，燒結(jié)成透明的實(shí)心玻璃棒，即為光纖預(yù)制棒。該法的優(yōu)點(diǎn)是沉積速度快，適合批量生產(chǎn)，該法要求環(huán)境清潔，嚴(yán)格脫水，可以制得0.16dB／km（1.55μm）的單模光纖，幾乎接近石英光纖在1.55μm窗口的理論極限損耗0.15dB／km。 VAD法是由日本開(kāi)發(fā)出來(lái)的，其工作原理與OVD相同，不同之處在于它不是在母棒的外表面沉積，而是在其端部（軸向）沉積。VAD的重要特點(diǎn)是可以連續(xù)生產(chǎn)，適合制造大型預(yù)制棒，從而可以拉制較長(zhǎng)的連續(xù)光纖。而且，該法制備的多模光纖不會(huì)形成中心部位折射率凹陷或空眼，因此其光纖制品的帶寬比MCVD法高一些，其單模光纖損耗目前達(dá)到0.22-0.4dB／km。目前，日本仍然掌握著VAD的最先進(jìn)的核心技術(shù)，所制得的光纖預(yù)制棒OH-含量非常低，在1385nm附近的損耗小于0.46dB／km。 PCVD法是由菲利普研究實(shí)驗(yàn)室提出的，于1978年應(yīng)用于批量生產(chǎn)。它與MCVD的工作原理基本相同，只是不用氫氧焰進(jìn)行管外加熱，而是改用微波腔體產(chǎn)生的等離子體加熱。 PCVD工藝的沉積溫度低于MCVD工藝的沉積溫度，因此反應(yīng)管不易變形；由于氣體電離不受反應(yīng)管熱容量的限制，所以微波加熱腔體可以沿著反應(yīng)管軸向作快速往復(fù)移動(dòng)，目前的移動(dòng)速度在8m／min，這允許在管內(nèi)沉積數(shù)千個(gè)薄層，從而使每層的沉積厚度減小，因此折射率分布的控制更為精確，可以獲得更寬的帶寬。而且，PCVD的沉積效率高，沉積速度快，有利于消除SiO2層沉積過(guò)程中的微觀不均勻性，從而大大降低光纖中散射造成的本征損耗，適合制備復(fù)雜折射率剖面的光纖，可以批量生產(chǎn)，有利于降低成本。目前，荷蘭的等離子光纖公司占據(jù)世界領(lǐng)先水平。此外，在光纖制造過(guò)程中應(yīng)采取措施從幾何尺寸和光學(xué)上嚴(yán)格控制非圓度，優(yōu)化折射率差，并采用三包層結(jié)構(gòu)，從而減少偏振模色散（PMD）。另外，Shigeki Sakaguchi等研究了光纖中的瑞利散射損耗與Tf的關(guān)系，實(shí)驗(yàn)證實(shí)對(duì)光纖進(jìn)行熱處理可以降低微觀不均勻性，減少瑞利散射損耗。聚合物光纖的制備方法之一就是預(yù)制棒拉纖法，制備聚合物光纖預(yù)制棒的方法通常有：光共聚法、兩步共聚法和界面凝膠法，其中界面凝膠法制備預(yù)制棒的技術(shù)最為成熟。利用不同折射率的單體的擴(kuò)散速度不同，反就時(shí)的不同單體的競(jìng)聚率不同以及自動(dòng)加速凝膠效應(yīng)，使其折射率形成梯度，這樣制造出的漸變折射率型的光纖預(yù)制棒具有折射率分布可控，而且分布均勻的優(yōu)點(diǎn)，是目前研究的熱點(diǎn)。

光纖的生產(chǎn)流程如下：　　1．預(yù)制棒和尾管的入庫(kù)（貼上編碼，例如預(yù)制棒編SD091204001尾管編碼：F100828018）　　2．拋光流程　　拋光的定義：在光纖生產(chǎn)的過(guò)程中，預(yù)制棒與尾管的對(duì)接即稱之為拋光 ?！　伖饬鞒蹋簩㈩A(yù)制棒與尾管分別固定在機(jī)器上，盡量使其切面對(duì)齊，經(jīng)過(guò)高溫持續(xù)加熱1小時(shí)，融化焊接，然后磨平焊接口，最后冷卻足夠（2小時(shí)以上）取下?！　?.拉絲過(guò)程 3.1裸光纖　　光纖外徑波動(dòng)越小越好，光纖直徑波動(dòng)可導(dǎo)致光纖產(chǎn)生后散射功率損耗和光纖接續(xù)損耗。光纖外徑的波動(dòng)引起芯徑和模場(chǎng)直徑波動(dòng),導(dǎo)致光纖散射損耗、接續(xù)損耗增加。假設(shè)光纖芯徑波動(dòng)與外徑波動(dòng)成正比，則兩個(gè)外徑不同的光纖接續(xù)時(shí),在光纖接續(xù)點(diǎn)的損耗可見(jiàn)為: A(直徑波動(dòng))≈20log｛2/（a1/a2+a2/a1）｝(dB)　　設(shè)a1=126μm，a2=124μm，則A=0.001(dB)；設(shè)a1=127C a2=123μm 則A=-0.0045(dB)。因此將光纖的外徑波動(dòng)控制在±1μm為好。提高拉絲速度,適當(dāng)降低拉絲溫度，減少預(yù)制棒在高溫爐中的停留時(shí)間。減小包層中水分量向新區(qū)擴(kuò)散,有利于降低光纖拉絲附加衰減。提高拉絲速度,增大拉絲張力可減小外徑波動(dòng)，還有利于減小E缺陷的產(chǎn)生。也有利于光纖強(qiáng)度的增加。但高速拉絲需要更高的爐溫加熱功率，也就更容易產(chǎn)生溫場(chǎng)不均勻的現(xiàn)象。會(huì)對(duì)光纖翹曲度有較大的影響(翹曲度是指裸光纖在不受任何外界應(yīng)力的情況下的發(fā)生彎曲所對(duì)應(yīng)的曲率半徑)。影響翹曲度的原因主要是光纖在溫場(chǎng)中受熱不均勻，導(dǎo)致光纖在頸向收縮不同，造成光纖翹曲度減小。而光纖的翹曲度是光纜用戶較為關(guān)心的指標(biāo)之一，尤其在帶光纖中，光纖翹曲度要是偏小將對(duì)接續(xù)帶來(lái)不良后果。由于光纖高速拉絲爐有以下基本要求:　　A. 設(shè)計(jì)理想的溫區(qū)分布和氣路設(shè)計(jì)以便產(chǎn)生理想的預(yù)制棒變頸形狀。　　B. 爐溫穩(wěn)定可調(diào),便于精確控制拉絲張力。　　C. 加熱爐元件選擇和氣流設(shè)計(jì)保證光纖表面盡可能少污染。　　因而通過(guò)對(duì)拉絲爐元器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)改良，并對(duì)爐內(nèi)氣流工藝改進(jìn)。得到以下結(jié)果:　　A. 最終使光纖在拉絲過(guò)程中的F徑變化幅值控制在0.3μm左右?！　. 光纖翹曲度控制在10m以上　　C. 光纖各波長(zhǎng)衰減特性良好　　3.2光纖涂覆　　涂覆是光纖生產(chǎn)中十分重要的一個(gè)特殊過(guò)程，涂層質(zhì)量對(duì)光纖強(qiáng)度和損耗有較大的影響。裸光纖高速進(jìn)入模具被拉入涂料液中，由于光纖本身是帶有熱量的,因此在模具頂部的涂料粘性就低于涂料罐里的涂料粘度。這種涂料間粘度差會(huì)造成壓力差，來(lái)推動(dòng)涂料向上涌動(dòng)。通過(guò)一定的涂覆壓力，來(lái)保持模具內(nèi)涂覆液面的穩(wěn)定。若裸光纖溫度過(guò)高（增加拉絲速度）會(huì)對(duì)涂覆液面平衡會(huì)失去控制，使涂覆不穩(wěn)定，涂層產(chǎn)生異常。對(duì)涂覆質(zhì)量和光纖性能造成影響。良好的穩(wěn)定涂覆狀態(tài)應(yīng)包括以下幾個(gè)方面：　　a在涂覆層中無(wú)氣泡或雜質(zhì)；　　b良好的涂層同心度；　　c小的涂層直徑變化?！　≡诟咚倮z狀況下，為了取得良好和穩(wěn)定的涂覆狀態(tài)，必須讓光纖在進(jìn)入涂覆模時(shí)保持恒定和足夠低的溫度（一般認(rèn)為在50℃左右）。隨著拉絲速度的提高，空氣在光纖涂覆時(shí)混入涂層的幾率大大的提高了。同時(shí)在高速拉絲時(shí)，拉絲張力也大大的提高了，由涂覆模產(chǎn)生的向心力和拉絲張力的相互作用的結(jié)果決定了涂覆狀態(tài)的穩(wěn)定性。這就要求在高速拉絲時(shí)，使用能產(chǎn)生更高向心力的模具和更精準(zhǔn)的模座傾角調(diào)整系統(tǒng)來(lái)確保涂覆穩(wěn)定性。　　光纖高速拉絲后，曾有以下光纖涂覆不良的現(xiàn)象發(fā)生：　　A. 在線拉絲時(shí)涂層徑變化大且涂層偏心不良；　　B. 涂層有氣泡　　C. 涂層與包層之間分層　　涂層固化不良如經(jīng)過(guò)以下一些工藝改進(jìn)和設(shè)備調(diào)整進(jìn)行涂覆優(yōu)化：　　A.　　針對(duì)涂層徑變化大的情況，優(yōu)化涂覆工藝，最終使涂層徑變化幅值和涂層同心度達(dá)到理想的狀態(tài)　　B.　　針對(duì)涂層有氣泡，優(yōu)化冷卻裝置，改造冷卻效能，使裸光纖在生產(chǎn)過(guò)程中達(dá)到均勻、效果良好的冷卻?！　.　　針對(duì)涂層固化不良、涂層與包層之間分層現(xiàn)象。對(duì)光纖涂覆后的UV固化系統(tǒng)進(jìn)行了改進(jìn)，使其達(dá)到優(yōu)良的氣密性；改造系統(tǒng)的定位確保光纖在UV固化石英管內(nèi)固化時(shí)的最佳位置?！　〗?jīng)過(guò)以上對(duì)相關(guān)工藝參數(shù)和設(shè)施的改良后，獲得了優(yōu)良的涂層質(zhì)量，以保證光纖性能的穩(wěn)定可靠?！　?. 光纖測(cè)試參數(shù)和測(cè)試方法簡(jiǎn)要介紹　　光纖布線系統(tǒng)安裝完成之后需要對(duì)鏈路傳輸特性進(jìn)行測(cè)試，其中最主要的幾個(gè)測(cè)試項(xiàng)目是鏈路的衰減特性、連接器的插入損耗、回波損耗等。下面我們就光纖布線的關(guān)鍵物理參數(shù)的測(cè)量及網(wǎng)絡(luò)中的故障排除、維護(hù)等方面進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹。　　4.1、光纖鏈路的關(guān)鍵物理參數(shù)　　A.衰減：　　a) 衰減是光在光沿光纖傳輸過(guò)程中光功率的減少?！　) 對(duì)光纖網(wǎng)絡(luò)總衰減的計(jì)算：光纖損耗（LOSS）是指光纖輸出端的功率Powerout與發(fā)射到光纖時(shí)的功率Power in的比值?！　) 損耗是同光纖的長(zhǎng)度成正比的，所以總衰減不僅表明了光纖損耗本身，還反映　　了光纖的長(zhǎng)度?！　) 光纖損耗因子（α）：為反映光纖衰減的特性，我們引進(jìn)光纖損耗因子的概念?！　) 對(duì)衰減進(jìn)行測(cè)量：因?yàn)楣饫w連接到光源和光功率計(jì)時(shí)不可避免地會(huì)引入額外的　　損耗。所以在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試時(shí)就必須先進(jìn)行對(duì)測(cè)試儀的測(cè)試參考點(diǎn)的設(shè)置。

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