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1，磁控濺射
2，什么是磁控濺射
3，真空磁控濺射技術(shù)是
4，陰極濺射與磁控濺射又什么區(qū)別與聯(lián)系
5，什么叫磁控濺射工藝
6，真空鍍膜設(shè)備中磁控濺射的起輝條件有那些

1，磁控濺射

磁控濺射的基體可以是絕緣體.比如塑膠上直接鍍EMI膜就常用于手機、蘭牙、攝像頭等產(chǎn)品。靶材可以是粉末冶金制作的。但是，也還是整體的，不會是粉末狀的。蒸發(fā)鍍膜可以用粉末狀的材料做蒸發(fā)材料，但不能叫靶材。

磁控濺射

2，什么是磁控濺射

磁控濺射利用高頻磁控管的原理，在濺射室中引入一個與電場方向正交的磁場。在此磁場的控制下，電子局限于靶極附近并沿螺旋形軌道運動，大大提高電子對氬原子的電離效率，增加轟擊靶極的離子流密度j+，實現(xiàn)快速的大電流濺射。同時，又能避免電子直接向襯底加速，降低襯底的溫升。磁控濺射有直流和高頻兩類。按結(jié)構(gòu)又有同軸型、平面型和S槍等多種類型。

什么是磁控濺射

3，真空磁控濺射技術(shù)是

磁控濺射是目前應(yīng)用最廣泛的一種濺射沉積方法。它是在二極直流濺射的基礎(chǔ)上，在靶表面附近增加一個磁場。電子由于受電場和磁場的作用，做螺旋運動，大大提高了電子的壽命，增加了電離產(chǎn)額，從而放電區(qū)的電離度提高，即離子和電子的密度增加。放電區(qū)的有效電阻變小，電壓下降。另外放電區(qū)集中在靶表面，放電區(qū)中的離子密度高，所以入射到靶表面的離子密度大大提高，因而濺射產(chǎn)額大大增加。也就是磁場控制濺射方式。

真空磁控濺射技術(shù)是

4，陰極濺射與磁控濺射又什么區(qū)別與聯(lián)系

磁控濺射是陰極濺射的一種吧，是利用陰極濺射的原理進行鍍膜。磁控濺射是在二極濺射的基礎(chǔ)上，在靶材后面放置磁鋼。在與靶陰極電場垂直的方向加一橫向的磁場。靶面前的電子受到電磁場洛倫茲力的作用，在靶面附近做螺旋運動，增加碰撞幾率。它克服了陰極濺射速率低和由于電子轟擊使基片溫度升高的致命弱點。因此磁控濺射技術(shù)得到了迅速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。

陰極濺射是磁控濺射的一種再看看別人怎么說的。

陰極濺射是磁控濺射的一種

5，什么叫磁控濺射工藝

出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關(guān)系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。　　磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。　　磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

6，真空鍍膜設(shè)備中磁控濺射的起輝條件有那些

Sputter濺鍍輝光放電（Glow Discharge）在真空狀況發(fā)光情形低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在置有板狀電極的玻璃管內(nèi)充入低壓（約幾毫米汞柱）氣體或蒸氣，當兩極間電壓較高（約1000伏）時，稀薄氣體中的殘余正離子在電場中加速，有足夠的動能轟擊陰極，產(chǎn)生二次電子，經(jīng)簇射過程產(chǎn)生更多的帶電粒子，使氣體導電。輝光放電的特征是電流強度較?。s幾毫安），溫度不高，故電管內(nèi)有特殊的亮區(qū)和暗區(qū)，呈現(xiàn)瑰麗的發(fā)光現(xiàn)象。輝光放電時，在放電管兩極電場的作用下，電子和正離子分別向陽極、陰極運動，并堆積在兩極附近形成空間電荷區(qū)。因正離子的漂移速度遠小于電子，故正離子空間電荷區(qū)的電荷密度比電子空間電荷區(qū)大得多，使得整個極間電壓幾乎全部集中在陰極附近的狹窄區(qū)域內(nèi)。這是輝光放電的顯著特征，而且在正常輝光放電時，兩極間電壓不隨電流變化。在陰極附近，二次電子發(fā)射產(chǎn)生的電子在較短距離內(nèi)尚未得到足夠的能使氣體分子電離或激發(fā)的動能，所以緊接陰極的區(qū)域不發(fā)光。而在陰極輝區(qū)，電子已獲得足夠的能量碰撞氣體分子，使之電離或激發(fā)發(fā)光。其余暗區(qū)和輝區(qū)的形成也主要取決于電子到達該區(qū)的動能以及氣體的壓強（電子與氣體分子的非彈性碰撞會失去動能）。輝光放電的主要應(yīng)用是利用其發(fā)光效應(yīng)（如霓虹燈、日光燈）以及正常輝光放電的穩(wěn)壓效應(yīng)（如氖穩(wěn)壓管）。 2、電暈現(xiàn)象就是帶電體表面在氣體或液體介質(zhì)中局部放電的現(xiàn)象，常發(fā)生在不均勻電場中電場強度很高的區(qū)域內(nèi)（例如高壓導線的周圍，帶電體的尖端附近）。其特點為：出現(xiàn)與日暈相似的光層，發(fā)出嗤嗤的聲音，產(chǎn)生臭氧、氧化氮等。均勻電場中，由于各點電場強度都是一樣的，當施加穩(wěn)態(tài)電壓（直流、工頻交流），電場強度達到空氣的擊穿強度時，間隙就擊穿了。但日常很難見到均勻電場。對于稍不均勻的電場，日常見得很多。如球-球間隙，球-板間隙等，以球-球間隙為例，當間隙距離小于1/4D時，其電場基本為均勻電場，當 D/4 ≤S≤ D/2 時，其電場為稍不均勻電場。均勻電場的放電電壓也可用公式計算，公式為（單位為kV）： δ—空氣相對密度； s—間隙距離cm；應(yīng)用說明不均勻電場的差別就在于空氣間隙內(nèi)，各點的電場強度不均勻，在電力線比較集中的電極附近，電場強度最大，而電力線疏的地方，電場強度很小，如棒-棒間隙，是一對稱的不均勻電場，在電極的尖端處電力線最集中，電場強度也最大。當加上高壓后，會在電極附近產(chǎn)生空氣的局部放電——電暈放電，電壓再加高時，電暈放電更加強烈，致使間隙內(nèi)發(fā)生刷狀放電，而后就擊穿了（電弧放電）。如棒-板間隙，在尖電極附近電場強度最大，加上高壓后，電極附近先產(chǎn)生電暈放電，而板上的電力線很疏，不會產(chǎn)生電暈。當電壓足夠高時，棒極也將產(chǎn)生刷狀、火花放電，最后導致電弧放電（擊穿）。電暈多發(fā)生在導體殼的曲率半徑小的地方，因為這些地方，特別是尖端，其電荷密度很大。而在緊鄰帶電表面處，電場E與電荷密度σ成正比，故在導體的尖端處場強很強（即σ和E都極大）。所以在空氣周圍的導體電勢升高時，這些尖端之處能產(chǎn)生電暈放電。通常均將空氣視為非導體，但空氣中含有少數(shù)由宇宙線照射而產(chǎn)生的離子，帶正電的導體會吸引周圍空氣中的負離子而自行徐徐中和。若帶電導體有尖端，該處附近空氣中的電場強度E可變得很高。當離子被吸向?qū)w時將獲得很大的加速度，這些離子與空氣碰撞時，將會產(chǎn)生大量的離子，使空氣變成極易導電，同時借電暈放電而加速導體放電。因空氣分子在碰撞時會發(fā)光，故電暈時在導體尖端處可見亮光。應(yīng)用 (1)電暈引起電能的損耗，并對通訊和廣播發(fā)生干擾。例如，雷雨時尖端電暈發(fā)電，避雷針即用此法中和帶電的云層而防止雷擊。 (2)靜電復印機的充電過程是光導體鼓在暗處并處在某一極性的電場中，使其表面均勻地充上某種極性的電荷而具有一定的表面電位的過程。這一過程實際上是鼓的敏化過程，使原來不具備感光性的鼓具有較好的感光性。它通常采用電暈放電法，即在離鼓一定距離的電極絲上加高壓電，使其產(chǎn)生電暈放電，使光導體表面帶上靜電荷的過程，這個過程叫“充電”。 3、火花一般的要包括電火花電火花一般是尖端放電現(xiàn)象，伴隨自由電荷的轉(zhuǎn)移，發(fā)光發(fā)熱，不同于一般的燃燒現(xiàn)象石頭與石頭磨檫，局部溫度并達不到組成石頭物質(zhì)的燃點，只不過是快速摩擦起電，電荷又迅速中和，所以產(chǎn)生的是電火花 4、弧光放電是常壓氣體高溫下放電，電壓不高、電流比較大，通常用在儀器的光源部分。此外氣體放電還有電勢差導致的火花放電

輝光其實粒子在碰撞過程中損失的能量以光子的形式釋放出來。在磁控濺射過程中，粒子是被電離后的氬離子和電子，故首先氬氣的電離需要足夠的電場，所以與電壓和靶基距有關(guān)；再者，粒子在電場中的碰撞需要足夠空間運動，損失的能量足夠高才一可見光的形式出現(xiàn)，那么氬離子和電子要有足夠的運動空間，所以與靶基距有關(guān)；還有，如果氣壓較小，氣體分子少，光強也就很小，所以還需要適當?shù)臍鈮?。故，在我認為，總體上跟靶基距、電壓、氣壓，當然也就跟功率有關(guān)了