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半導(dǎo)體是做什么的，半導(dǎo)體是什么

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-16 17:20:01 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1，半導(dǎo)體是什么

介于導(dǎo)體和非導(dǎo)體之間
收音機(jī)。
導(dǎo)體的一半

半導(dǎo)體是什么

2，l什么叫做半導(dǎo)體

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，叫做半導(dǎo)體． 例如：鍺、硅、砷化鎵等． 半導(dǎo)體在科學(xué)技術(shù)，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中有著廣泛的應(yīng)用．（例如： 電視、半導(dǎo)體收音機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等）這是什么原因呢？下面介紹它 所具有的特殊的電學(xué)性能． (2)半導(dǎo)體的一些電學(xué)特性 ①壓敏性：有的半導(dǎo)體在受到壓力后電阻發(fā)生較大的變化． 用途：制成壓敏元件，接入電路，測(cè)出電流變化，以確定壓力的變化． ②熱敏性：有的半導(dǎo)體在受熱后電阻隨溫度升高而迅速減小． 用途：制成熱敏電阻，用來(lái)測(cè)量很小范圍內(nèi)的溫度變化．

l什么叫做半導(dǎo)體

3，半導(dǎo)體的應(yīng)用有哪些

最早的實(shí)用“半導(dǎo)體”是「電晶體（Transistor）/ 二極體（Diode）」。 　　一、在 無(wú)電收音機(jī)（Radio）及 電視機(jī)（Television）中，作為“訊號(hào)放大器 /整流器”用。 　　二、近來(lái)發(fā)展「太陽(yáng)能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。 　　三、半導(dǎo)體可以用來(lái)測(cè)量溫度，測(cè)溫范圍可以達(dá)到生產(chǎn)、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學(xué)等應(yīng)用的70%的領(lǐng)域，有較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，分辨率可達(dá)0.1攝氏度，甚至達(dá)到0.01度也不是不可能，線性度0.2%，測(cè)溫范圍-100~+300攝氏度，是性價(jià)比極高的一種測(cè)溫元件。

半導(dǎo)體的應(yīng)用有哪些

4，半導(dǎo)體是什么

◆半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是可以受控的，范圍可從絕緣體至幾個(gè)歐姆之間 。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)、儀器儀表以及測(cè)溫上都有著廣泛的應(yīng)用。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！癜雽?dǎo)體五大特性∶摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。），熱敏性，光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。），負(fù)電阻率溫度特性，整流特性?！癜雽?dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。
當(dāng)電流通過(guò)各種物體時(shí)，不同的物體對(duì)電流的通過(guò)有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過(guò)，也有的物體不讓其通過(guò)，或者在一定的阻力下讓它通過(guò)。這種不同的物體通過(guò)電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強(qiáng)，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬(wàn)倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過(guò)程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。
鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬(wàn)倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成p型區(qū)，另一邊制成n型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為pn結(jié)。圖中上部分為p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結(jié)的形成過(guò)程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向）。下邊部分為pn結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡

5，什么是半導(dǎo)體超導(dǎo)體絕緣體

導(dǎo)體就是能導(dǎo)電的物質(zhì)半導(dǎo)體不是很清楚，二極管、三極管中應(yīng)該有絕緣體就是不能導(dǎo)電的物體，就像生活中用的塑料、橡膠等超導(dǎo)體指的是在一個(gè)極低的溫度下，導(dǎo)體電阻為0的一種，目前能找到的都是溫度在零度以下的，如果能在常溫狀態(tài)下找到這么一種導(dǎo)體的話，在輸線過(guò)程中就不用浪費(fèi)電能了
半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、絕緣體知識(shí)講解 一、半導(dǎo)體1.概念：導(dǎo)電性能介乎導(dǎo)體和絕緣體之間，它們的電阻比導(dǎo)體大得多，但又比絕緣體小得多.這類材料我們把它叫做半導(dǎo)體.2.半導(dǎo)體材料:鍺、硅、砷化鎵等，都是半導(dǎo)體.3. 半導(dǎo)體的電學(xué)性能:例如：光敏電阻、熱敏電阻、壓敏電阻.二、超導(dǎo)體1.概念：一些物質(zhì)當(dāng)溫度下降到某一溫度時(shí)，電阻會(huì)變?yōu)榱?，這種現(xiàn)象叫做超導(dǎo)現(xiàn)象.能夠發(fā)生超導(dǎo)現(xiàn)象的物質(zhì)，叫做超導(dǎo)體.2．超導(dǎo)體的優(yōu)缺點(diǎn)：如果超導(dǎo)體能應(yīng)用于實(shí)際會(huì)降低輸電損耗，提高效率及在其他方面給人類帶來(lái)許多好處.目前超導(dǎo)體還只應(yīng)用在科學(xué)實(shí)驗(yàn)和高新技術(shù)中,這是因?yàn)橐话愕慕饘倩蚝辖鸬某瑢?dǎo)臨界溫度都較低.3. 我國(guó)的超導(dǎo)體研究：我國(guó)的超導(dǎo)體研究工作走在世界的前列，目前已找到超導(dǎo)臨界溫度達(dá)132K的超導(dǎo)材料. 三、絕緣體：1.概念：不善于傳導(dǎo)電流的物質(zhì)稱為絕緣體，絕緣體又稱為電介質(zhì)。它們的電阻率極高。2.材料:絕緣體的種類很多，固體的如塑料、橡膠、玻璃，陶瓷等；液體的如各種天然礦物油、硅油、三氯聯(lián)苯等；氣體的如空氣、二氧化碳、六氟化硫等。3.性能:絕緣體在某些外界條件，如加熱、加高壓等影響下，會(huì)被“擊穿”，而轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體。在未被擊穿之前，絕緣體也不是絕對(duì)不導(dǎo)電的物體。如果在絕緣材料兩端施加電壓，材料中將會(huì)出現(xiàn)微弱的電流。 絕緣材料中通常只有微量的自由電子，在未被擊穿前參加導(dǎo)電的帶電粒子主要是由熱運(yùn)動(dòng)而離解出來(lái)的本征離子和雜質(zhì)粒子。絕緣體的電學(xué)性質(zhì)反映在電導(dǎo)、極化、損耗和擊穿等過(guò)程中。
具有單向?qū)щ姷奈矬w叫半導(dǎo)體。如硅、鍺等電阻為零的物體叫超導(dǎo)體。不導(dǎo)電的物體叫絕緣體。如玻璃，松香、橡膠等。
半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。主要的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺覆合材料等。半導(dǎo)體通過(guò)電子傳導(dǎo)或空穴(電洞)傳導(dǎo)的方式傳輸電流。其中空穴是為方便理解而假想出來(lái)的粒子，實(shí)際并不存在。 超導(dǎo)體是在一定溫度下電阻幾乎完全消失的物體。 導(dǎo)體的電阻消失（在儀器測(cè)量的精度內(nèi)，電阻為零）的現(xiàn)象被稱為超導(dǎo)現(xiàn)象。具有超導(dǎo)現(xiàn)象的材料被稱為超導(dǎo)體，而對(duì)應(yīng)于某一超導(dǎo)體電阻突然消失的溫度被稱為該材料的超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度，一般用tc來(lái)表示。 超導(dǎo)體有兩個(gè)基本特性。超導(dǎo)體的基本特性之一是零電阻；超導(dǎo)體的另一個(gè)基本特性是完全抗磁性。也就是說(shuō)超導(dǎo)體在處于超導(dǎo)狀態(tài)時(shí)，可以完全排除磁力線的進(jìn)入。即邁斯納效應(yīng) 導(dǎo)體是能電離的物體，半導(dǎo)體是在一定條件下能電離的物體，絕緣體是不能被電離的物體，超導(dǎo)體是能被完全電離的物體。在超低溫之下，物體電荷之間的吸力驟減，電子更容易被電離，有的物體甚至能被完全電離，這就是超導(dǎo)了。在高溫條件下，許多物質(zhì)電荷之間的吸力減弱，就像磁鐵在高溫下吸力減弱一樣，能不能在高溫區(qū)尋找超導(dǎo)呢？也許比較困難，溫度低了電子不能被完全電離，溫度高了導(dǎo)線就熔化了，當(dāng)然液體也可以作為導(dǎo)體。從理論上來(lái)說(shuō)，常溫下質(zhì)子與電子結(jié)合最緊密，不可能存在超導(dǎo)，否則以原子為基礎(chǔ)的物質(zhì)就不能形成。在超低溫和超高溫，質(zhì)子與電子的結(jié)合都比較松散，這是形成超導(dǎo)的條件。不過(guò)在超高溫條件下電流能否形成，這是需要實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證的，不妨讓電流通過(guò)液態(tài)鐵試試。 半導(dǎo)體有，做成二極管，三極管，然后組成邏輯電路，好象有一個(gè)邏輯電路叫什么的，給忘了，然后那個(gè)電路有記憶功能。 超導(dǎo)就不清楚了，因?yàn)榫S持那東西，現(xiàn)在一般都是在低溫，技術(shù)還不成熟。不過(guò)就只知道，如果把他組成環(huán)行，通電，電流不做工的話，可以保存在里面，這也算記憶吧。
鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。超導(dǎo)體就是電阻為零的導(dǎo)體。不善于傳導(dǎo)電流的物質(zhì)稱為絕緣體，絕緣體又稱為電介質(zhì)。它們的電阻率極高。
絕緣體:不導(dǎo)電的物質(zhì)叫絕緣體，例如：陶瓷，橡皮超導(dǎo)體：導(dǎo)電性能好的物質(zhì)叫超導(dǎo)體，例如：金銀，銅半導(dǎo)體：介于2者之間的叫半導(dǎo)體，例如：硅

6，半導(dǎo)體的性質(zhì) 作用 具有什么性

以鍺硅合金為例。1、性質(zhì)： 高頻特性良好，材料安全性佳，導(dǎo)熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢(shì)。2、作用：不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有200mm 晶圓制程，達(dá)到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來(lái)IDM 大廠的投入，SiGe 技術(shù)已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過(guò)低等問(wèn)題獲得改善而日趨實(shí)用。SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢(shì)，又具備第3 到第5 類半導(dǎo)體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來(lái)降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無(wú)源部件。擴(kuò)展資料：半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性介紹：導(dǎo)體具有良好的導(dǎo)電特性，常溫下，其內(nèi)部存在著大量的自由電子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)的作用下做定向運(yùn)動(dòng)形成較大的電流。因而導(dǎo)體的電阻率很小，只有 金屬一般為導(dǎo)體，如銅、鋁、銀等。絕緣體幾乎不導(dǎo)電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒(méi)有自由電子，即使受外電場(chǎng)作用也不會(huì)形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在 以上。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用，是因?yàn)樗膶?dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導(dǎo)體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬(wàn)分之一的比例摻入少量雜質(zhì)(如磷)后，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬(wàn)倍。半導(dǎo)體具有這種性能的根本原因在于半導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)的特殊性。參考資料來(lái)源：搜狗百科-半導(dǎo)體搜狗百科-鍺硅合金
性質(zhì) 光敏性,熱敏性,摻雜性作用 半導(dǎo)體最基本的是二極管和MOS管，原理都是基于N型和P型半導(dǎo)體構(gòu)成的PN結(jié)。二極管是單向?qū)щ娖骷?，可以?shí)現(xiàn)整流控制等。MOS管是柵控器件，是目前集成電路中最基本的單元。半導(dǎo)體是微電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)?？刂剖撬暮诵??；卮鸬暮?jiǎn)潔，具體知識(shí)參見(jiàn)http://baike.baidu.com/view/19928.htm
半導(dǎo)體是介于像銅那樣易于電流通過(guò)的導(dǎo)體和像橡膠那樣的不導(dǎo)通電流的絕緣體之間的物質(zhì)。性質(zhì):光敏性,熱敏性,摻雜性作用：半導(dǎo)體的作用與價(jià)值： 目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。 用半導(dǎo)體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)產(chǎn)品，在電子技術(shù)的各個(gè)方面已大量使用。半導(dǎo)體材料、器件、集成電路的生產(chǎn)和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產(chǎn)品研制及新技術(shù)發(fā)展方面，比較重要的領(lǐng)域有： （1）集成電路 它是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中最活躍的一個(gè)領(lǐng)域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬(wàn)只晶體管，可在一片硅片上制成一臺(tái)微信息處理器，或完成其它較復(fù)雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實(shí)現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達(dá)到微微秒級(jí)。 （2）微波器件 半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達(dá)到數(shù)瓦，人們正在通過(guò)研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來(lái)獲得更大的輸出功率。 （3）光電子器件 半導(dǎo)體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個(gè)重要的領(lǐng)域。它們的應(yīng)用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。
什么是半導(dǎo)體呢？ 顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）． 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與金屬和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。 本征半導(dǎo)體 不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見(jiàn)能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。 半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周?chē)逆N（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子與周?chē)膫€(gè)鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子，因而存在一個(gè)空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級(jí)，通常位于禁帶下方靠近價(jià)帶處。價(jià)帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。價(jià)帶中由于缺少一個(gè)電子而形成一個(gè)空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時(shí)，在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多。半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì)使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小，半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對(duì)摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，屬電子型導(dǎo)電，稱n型半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電，稱p型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，故n型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴，p型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。 pn結(jié) p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體相互接觸時(shí)，其交界區(qū)域稱為pn結(jié)。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在 pn 結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達(dá)到平衡時(shí)，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢(shì)差，稱為接觸電勢(shì)差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴(kuò)散后與n區(qū)中的電子復(fù)合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴(kuò)散后與p 區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結(jié)具有單向?qū)щ娦?，半?dǎo)體整流管就是利用pn結(jié)的這一特性制成的。pn結(jié)的另一重要性質(zhì)是受到光照后能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，稱光生伏打效應(yīng)，可利用來(lái)制造光電池。半導(dǎo)體三極管、可控硅、pn結(jié)光敏器件和發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件均利用了pn結(jié)的特性。
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