電子的遷移率很大。電子遷移率或空穴遷移率，哪個(gè)更大？遷移率是指單位電場(chǎng)作用下載流子(電子和空穴)的平均漂移速度，是對(duì)電場(chǎng)作用下載流子運(yùn)動(dòng)速度的一種度量，他們移動(dòng)得越快，機(jī)動(dòng)性就越強(qiáng)，在同一種半導(dǎo)體材料中，不同類(lèi)型的載流子具有不同的遷移率，通常電子的遷移率高于空穴的遷移率，遷移率是指單位電場(chǎng)作用下載流子(電子和空穴)的平均漂移速度，是對(duì)電場(chǎng)作用下載流子運(yùn)動(dòng)速度的一種度量。他們移動(dòng)得越快，機(jī)動(dòng)性就越強(qiáng)，行動(dòng)緩慢，機(jī)動(dòng)性低。

液晶面板可分為非晶硅和多晶硅兩大類(lèi)。兩者最大的區(qū)別在于一個(gè)特點(diǎn):電子遷移率。多晶硅的分子結(jié)構(gòu)排列整齊且有方向性，像平坦的路面可以開(kāi)公交車(chē)，而非晶硅則像崎嶇的山路一樣混亂，只能讓人通過(guò)。理論上多晶硅的電子遷移率比非晶硅快200300倍。LCD面板的每個(gè)像素由薄膜晶體管組成的電路單獨(dú)控制，并且該電路集成在每個(gè)像素中。

在筆記本和手機(jī)的屏幕上，可以集成的像素更多，從而達(dá)到更高的分辨率。同時(shí)因?yàn)殡娐纷冃×?，透光率高，功耗也降低了。以前的手機(jī)和筆記本分辨率不高，屏幕不薄，邊框不窄。歸根結(jié)底是電子遷移率導(dǎo)致了打開(kāi)率低。為了改善非晶硅電子遷移率低的問(wèn)題，夏普等廠商引入了IGZO技術(shù)，改善了非晶硅電子遷移率低的問(wèn)題，但電子遷移率仍然只有LTPS的1/2，甚至更低。

遷移率單位換算:MOS晶體管的飽和電流公式為IDS 0.5 * U * COX * W/L * (Vgsvth) 2。計(jì)算時(shí)注意單位的統(tǒng)一，單位面積電容公式為Coxε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)為10 ^ 10f/m數(shù)量級(jí)。遷移率是指單位電場(chǎng)作用下載流子(電子和空穴)的平均漂移速度，是對(duì)電場(chǎng)作用下載流子運(yùn)動(dòng)速度的一種度量。他們移動(dòng)得越快，機(jī)動(dòng)性就越強(qiáng)。

在同一種半導(dǎo)體材料中，不同類(lèi)型的載流子具有不同的遷移率，通常電子的遷移率高于空穴的遷移率。技術(shù)應(yīng)用普通半導(dǎo)體材料的遷移率通常為102，106 cm2/V.s..利用調(diào)制摻雜技術(shù)制作的調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)的遷移率可以達(dá)到106 cm2/V.s .以上，遷移率是表征半導(dǎo)體的一個(gè)重要參數(shù)。遷移率越大，器件運(yùn)行越快，截止頻率越高。砷化鎵的電子有效質(zhì)量比硅小得多，所以砷化鎵被用來(lái)制作高頻器件。

載流子遷移率是指單位電場(chǎng)作用下載流子(電子和空穴)的平均漂移速度，即電場(chǎng)作用下載流子運(yùn)動(dòng)速度的度量。更微觀的定義是載流子的有效質(zhì)量和電子碰撞的時(shí)間間隔。遷移率是指單位電場(chǎng)作用下載流子(電子和空穴)的平均漂移速度，是對(duì)電場(chǎng)作用下載流子運(yùn)動(dòng)速度的一種度量。他們移動(dòng)得越快，機(jī)動(dòng)性就越強(qiáng)。行動(dòng)緩慢，機(jī)動(dòng)性低。在同一種半導(dǎo)體材料中，不同類(lèi)型的載流子具有不同的遷移率，通常電子的遷移率高于空穴的遷移率。

遷移率主要影響晶體管的兩個(gè)性質(zhì):一是載流子濃度共同決定了半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率(電阻率的倒數(shù))。遷移率越大，電阻率越小，通過(guò)相同電流時(shí)功耗越小，載流能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴，所以功率MOSFET通常采用以電子為載流子的N溝道結(jié)構(gòu)，而不是以空穴為載流子的P溝道結(jié)構(gòu)。其次，它影響設(shè)備的工作頻率。

3900 cm2/(伏秒)。鍺的電子遷移率為3900 cm2/(伏-秒)，其電子遷移率是硅的10倍，因此有望替代硅制造更好的晶體管。鍺是一種化學(xué)元素，符號(hào)Ge，原子序數(shù)32，原子量72.64。它的化學(xué)性質(zhì)類(lèi)似于同一家族中的錫和硅。不溶于水、鹽酸和稀苛性堿溶液，溶于王水、濃硝酸或硫酸，具有兩性性質(zhì)，故溶于熔融堿、過(guò)氧化物、堿金屬硝酸鹽或碳酸鹽，在空氣中相對(duì)穩(wěn)定。

空穴做的其實(shí)是電子運(yùn)動(dòng)留下的“空位”。當(dāng)一個(gè)電子移動(dòng)并留下一個(gè)“空位”時(shí)，另一個(gè)電子填充了這個(gè)“空位”，留下一個(gè)新的看起來(lái)在移動(dòng)的“空位”，空穴的概念就是這么來(lái)的，所以空穴的運(yùn)動(dòng)是不同電子運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。如果把運(yùn)動(dòng)的電子比作直奔終點(diǎn)站的火車(chē)，那么空穴的運(yùn)動(dòng)就像是每一次都在中途，電子的遷移率很大。