肖特基接觸，金屬與半導體產(chǎn)生肖特基接觸時的電流方向和原理是什么

來源：整理時間：2024-12-20 12:35:43 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，金屬與半導體產(chǎn)生肖特基接觸時的電流方向和原理是什么
2，什么是肖特基勢壘
3，金屬與半導體之間的接觸勢壘是什么
4，金屬和半導體接觸有哪些好處
5，什么叫歐姆接觸和肖特基接觸
6，點接觸二極管和肖特基二極管是什么關(guān)系

1，金屬與半導體產(chǎn)生肖特基接觸時的電流方向和原理是什么

正向電壓時，勢壘下降熱激發(fā)的電子從金屬流入半導體，形成正向電流。反向時勢壘不變阻止電子從半導體進入金屬。

金屬與半導體產(chǎn)生肖特基接觸時的電流方向和原理是什么

2，什么是肖特基勢壘

肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。

什么是肖特基勢壘

3，金屬與半導體之間的接觸勢壘是什么

　肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在才導致了大的界面電阻。與之對應(yīng)的是歐姆接觸，界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。

金屬與半導體之間的接觸勢壘是什么

4，金屬和半導體接觸有哪些好處

歐姆接觸，是指接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻，大部分的電壓降在于活動區(qū)而不在接觸面。集成電路中金屬引線將器件端接出全是歐姆接觸。肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。可用于制作肖特基二極管。二者分別是通過選擇不同功函數(shù)的金屬和半導體來實現(xiàn)的。

在一定范圍內(nèi)，半導體的電阻隨溫度的升高而降低，金屬導體的電阻隨溫度的升高而升高由于電流通過后要產(chǎn)熱，兩個按一定比例串聯(lián)接入電路后，剛好互補，從而使電阻不隨溫度的變化而變化

金屬與半導體接觸有兩種類型：一個是肖特基接觸勢壘，另一個是歐姆接觸！一般的本征半導體和金屬接觸產(chǎn)生肖特基勢壘，如果半導體有很高的摻雜濃度，則接觸近似為歐姆接觸。

5，什么叫歐姆接觸和肖特基接觸

所謂歐姆接觸，是指金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導體間有低的界面能障(Barrier Height) （2）半導體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≥10EXP12 cm-3) 前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半導體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當?shù)慕饘倏捎?，必須于半導體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。歐姆接觸是半導體設(shè)備上具有線性并且對稱的電流-電壓特性曲線。如果電流-電壓特性曲線不是線性的,這種接觸便叫做肖特接觸。

6，點接觸二極管和肖特基二極管是什么關(guān)系

肖特基二極管的定義是金屬-半導體勢壘二極管，因此點接觸檢波二極管也是算肖特基二極管的一種。

肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關(guān)速度非?？?，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向?qū)▔航祪H0.4v左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。肖特基二極管是以n型半導體為基片，在上面形成用砷作摻染劑的n一外延層。陽性（阻擋層）金屬材料是鉬。二氧化硅用來消除邊緣區(qū)域電場，提高肖特基二極管的耐壓值。n型基片摻雜濃度比n一層高100倍，具有很小的通態(tài)電阻?；虏康膎+陰極層用以減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基二極管。快恢復二極管是近年來問世的新型半導體器件，它具有開關(guān)特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優(yōu)點?？勺鞲哳l、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(pwm)、不間電源(ups)、高頻加熱、交流電機變頻調(diào)速等電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導體器件。快恢復二極管的一個重要參數(shù)是反向恢復時間trr，其定義是：電流流過零點由正向轉(zhuǎn)換成反向，再由反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定的值irr時的時間間隔，它是衡量高頻續(xù)流、整流器件性能的重要技術(shù)參數(shù)。快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在p型、n型硅材料中間增加了基區(qū)i，構(gòu)成p-i-n硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6v，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。