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來源：整理 時間：2024-12-03 14:16:56 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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2，霍爾電壓是什么

霍爾電壓即霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的電壓（電勢差）。而霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是美國物理學(xué)家霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。當(dāng)電流垂直于外磁場通過導(dǎo)體時，在導(dǎo)體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現(xiàn)電勢差，這一現(xiàn)象便是霍爾效應(yīng)。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
霍爾電壓的大小是什么
不同霍爾傳感器的溫度特性不一樣，如inas材料的傳感器溫度升高，輸出電壓變化平穩(wěn)，基本是增大的；而insb材料的傳感器則恰恰相反，隨溫度生高，輸出電壓是降低的。
不同霍爾傳感器的溫度特性不一樣，如inas材料的傳感器溫度升高，輸出電壓變化平穩(wěn)，基本是增大的；而insb材料的傳感器則恰恰相反，隨溫度生高，輸出電壓是降低的。

霍爾電壓是什么

3，磁敏電阻的介紹

磁敏電阻是一種對磁敏感、具有磁阻效應(yīng)的電阻元件。物質(zhì)在磁場中電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng)。磁敏電阻通常用銻化銦（InSb）或砷化銦（InAs）等對磁具有敏感性的半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)包括物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)，其中物理磁阻效應(yīng)又稱為磁電阻率效應(yīng)。當(dāng)外加磁場的方向或強(qiáng)度發(fā)生變化時，磁敏電阻的阻值相應(yīng)改變[2]，利用該變化，可精確地測試出磁場的相對位移。例如，在一個長方形半導(dǎo)體InSb片中，沿長度方向有電流通過時，若在垂直于電流片的寬度方向上施加一個磁場，半導(dǎo)體InSb片長度方向上就會發(fā)生電阻率增大的現(xiàn)象。
磁敏電阻:沿長度方向有電流通過時，若在垂直于電流片的寬度方向上施加一個磁場，半導(dǎo)體長度方向上就會發(fā)生電阻率增大的現(xiàn)象。一般來說磁敏電阻阻值隨附加磁場大小增加而變大。光敏電阻：光敏電阻的制作材料具有在特定波長的光照射下，其阻值迅速減小的特性。這是由于光照產(chǎn)生的載流子都參與導(dǎo)電，在外加電場的作用下作漂移運(yùn)動，電子奔向電源的正極，空穴奔向電源的負(fù)極，從而使光敏電阻器的阻值迅速下降。所以光敏電阻的阻值隨光強(qiáng)增大而減小。熱敏電阻：熱敏電阻分為正溫度系數(shù)熱敏電阻器和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。熱敏電阻器的典型特點(diǎn)是對溫度敏感，不同的溫度下表現(xiàn)出不同的電阻值。正溫度系數(shù)熱敏電阻器在溫度越高時電阻值越大，負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器在溫度越高時電阻值越低。一般來說第二種熱敏電阻比較常見既電阻在溫度越高時電阻值越低。因?yàn)闊崦綦娮铻榘雽?dǎo)體，所以表現(xiàn)的性能與金屬導(dǎo)體很大差異，根據(jù)常識金屬導(dǎo)體的電阻隨溫度變高而增大，而一般熱敏電阻和金屬導(dǎo)體相反。

磁敏電阻的介紹

4，砷化銦的化學(xué)式是什么

中文名稱：砷化銦[1]英文名稱：indium arsenide英文別名：Indium arsenide; Indiam arsenide; Indium arsenide (InAs); Indium monoarsenide; arsanylidyneindium; arsenic(-3) anion; indium(+3) cation 砷化銦 CAS號：1303-11-3EINECS號：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化銦是由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體材料。常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態(tài))、5.90g/cm(熔點(diǎn)時液態(tài))。能帶結(jié)構(gòu)為直接躍遷，禁帶寬度(300K)0.45eV。InAs相圖如圖所示。[2]InAs在熔點(diǎn)(942℃)時砷的離解壓只有0.033MPa，可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法，單晶直徑達(dá)φ50mm。InAs是一種難于純化的半導(dǎo)體材料。非摻In．As單晶的剩余載流子濃度高于l×10/cm，室溫電子遷移率3.3×10cm/(V·s)，空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系數(shù)接近1，故用作n型摻雜劑，以提高縱向載流子濃度分布的均勻性。工業(yè)用的InAs(s)單晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù)，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發(fā)射波長3.34μm，在InAs襯底上能生長晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。 望采納，謝謝

5，硅的帶隙能量指的是什么

在半導(dǎo)體和絕緣體， 電子 被限制對一定數(shù)量 帶 能量和禁止其他地區(qū)。 期限“帶隙”提到上面的能量區(qū)別之間 化學(xué)價帶 并且底部 傳導(dǎo)帶; 電子能從一條帶跳躍到另一個。 傳導(dǎo)性 純半導(dǎo)體 依靠強(qiáng)烈?guī)丁?唯一的可利用的載體為傳導(dǎo)是有橫跨帶隙將被激發(fā)的足夠的熱能的電子。 帶隙工程學(xué)是控制或修改材料的帶隙的過程通過控制某一半導(dǎo)體的構(gòu)成 合金例如GaAlAs、InGaAs和InAlAs。 靠技術(shù)修建層狀材料與交替的構(gòu)成象也是可能的 分子束外延. 這些方法在設(shè)計(jì)被利用 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBTs)， laser二極管 并且 太陽能電池. 半導(dǎo)體和絕緣體之間的分別是大會事情。 一種方法將認(rèn)為半導(dǎo)體作為絕緣體的類型以低帶隙。 絕緣體以更高的帶隙，通常大于3 eV，沒有被認(rèn)為半導(dǎo)體和不在實(shí)用情況下一般顯示semiconductive行為。 電子遷移率 在確定材料的不拘形式的分類也扮演一個角色。 帶隙取決于溫度由于 熱擴(kuò)散. 帶隙也取決于壓力。 帶隙可以是二者之一 直接 或 間接bandgaps根據(jù) 帶狀組織. 材料 標(biāo)志 帶隙(eV) @ 300K 硅 Si 1.11 [1] 鍺 Ge 0.67 [1] 碳化硅 SiC 2.86 [1] 鋁磷化物 阿爾卑斯 2.45 [1] 鋁砷化物 呀 2.16 [1] 鋁銻化物 AlSb 1.6 [1] 鋁氮化物 AlN 6.3 金剛石 C 5.5 鎵(III)磷化物 空白 2.26 [1] 鎵(III)砷化物 GaAs 1.43 [1] 鎵(III)氮化物 GaN 3.4 [1] 鎵(II)硫化物 氣體 2.5 (@ 295 K) 鎵銻化物 GaSb 0.7 [1] 銦(III)磷化物 InP 1.35 [1] 銦(III)砷化物 InAs 0.36 [1] 鋅硫化物 ZnS 3.6 [1] 鋅硒化物 ZnSe 2.7 [1] 鋅碲化物 ZnTe 2.25 [1] 硫化鎘 CdS 2.42 [1] 鎘硒化物 CdSe 1.73 [1] 碲化鎘 CdTe 1.49 [2] 主角(II)硫化物 PbS 0.37 [1] 主角(II)硒化物 PbSe 0.27 [1] 主角(II)碲化物 PbTe 0.29 [1]

6，半導(dǎo)體和電阻的區(qū)別

1、半導(dǎo)體通常是指導(dǎo)電率介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。 電導(dǎo)率的范圍是：10^(-8)→103 （西門子/厘米） 也就是應(yīng)用了它們的半導(dǎo)電性。2、半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子儀器的最基本的材料，這些儀器包括：無線電、電腦、電話等等。3、半導(dǎo)體器件包括各種二極管、三極管、太陽能電池、硅控放大器、數(shù)字電路、集成電路等等。4、電導(dǎo)率低于10^(-8)西門子/厘米）的材料稱為絕緣體。 電導(dǎo)率高于103(西門子/厘米）的材料成為導(dǎo)體。 所有的導(dǎo)體都有大量的自由電子。 5、電阻是指導(dǎo)體內(nèi)阻礙電流流動的能力，電阻率越大，阻礙電流的能力就越強(qiáng)。電導(dǎo)率的倒數(shù)就是電阻率。6、任何導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體，都有或多或少的阻礙電流的能力，電阻率不可能為零，在超低溫下，電阻率趨向于0.7、任何消耗電能的器件，包括導(dǎo)線都有電阻。 8、漢語中的電阻概念比較籠統(tǒng)，英語中有明確區(qū)分：Resistor = 電阻器；Resistance = 電阻值；Resistivity = 電阻率。通常我們將電阻器與電阻值混為一談，都稱為電阻。任何用電器都是電阻器，任何導(dǎo)線本身也是電阻器。導(dǎo)線消耗電能，降低電壓，所以，我們需要變壓器升高電壓，保持正常的工作電壓。但是經(jīng)過變壓器之后，電流強(qiáng)度就下降了。導(dǎo)線自然是導(dǎo)體，功能是導(dǎo)電，是盡可能的減低傳輸過程中的能量損失。用電器是將電能轉(zhuǎn)換成其他能量的轉(zhuǎn)換器，要的就是消耗電能，轉(zhuǎn)化成其他能量。9、實(shí)驗(yàn)室的電阻器完全是消耗電能的元件，并非將電能轉(zhuǎn)換成其他能量。它的功用只是用于控制實(shí)驗(yàn)時的電流強(qiáng)度、分出去的電壓(可變電阻可做分壓器)符合實(shí)驗(yàn)的要求，以便實(shí)驗(yàn)順利進(jìn)行。
不同范疇的名詞。半導(dǎo)體是材料按電阻率特性的一個分類。電阻是一個物理量，也可以是“電阻器”的簡稱，是元器件。半導(dǎo)體以外，其它常規(guī)材料可以分成導(dǎo)體和絕緣體。在未被擊穿時，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。和電阻器可比的東西，應(yīng)該是二極管之類。----[原創(chuàng)回答團(tuán)]
半導(dǎo)體及其基本特性 1.1 金屬 - 半導(dǎo)體 - 絕緣體 我們知道，自然界中的物質(zhì)大致可分為氣體、液體、固體、等離子體 4 種基本形態(tài)。在固體材料中，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異，又可分為金屬、半導(dǎo)體和絕緣體。例如，銅、鋁、金、銀等金屬；它們的導(dǎo)電本領(lǐng)都很大，是良好的導(dǎo)體；橡膠、塑料、電木等導(dǎo)電本領(lǐng)很小，是絕緣體；制造半導(dǎo)體器件的主要材料硅、鍺、砷化鎵等，它們的導(dǎo)電本領(lǐng)比導(dǎo)體小而比絕緣體大，叫做半導(dǎo)體。 物體導(dǎo)電本領(lǐng)的大小可用 電 阻 率 來表示。金屬導(dǎo)體的電阻率約在 10 -4 w ·cm 以下，絕緣體的電阻率約在 10 9 w ·cm 以上，半導(dǎo)體的電子率是介于二者之間，約在 10 -4 ~ 10 9 w ·cm 。 圖 1.1 列出這三類中一些重要材料的電阻率和 電導(dǎo)率 。 圖 1.1 1.2 常見的半導(dǎo)體材料 ? 元素半導(dǎo)體 有關(guān)半導(dǎo)體材料的研究開始于 19 世紀(jì)初。多年以來許多半導(dǎo)體已被研究過。 表 1.1 列出周期表中有關(guān)半導(dǎo)體元素的部分。在周期表第 iv 族中的元素如硅（ si ）、鍺（ ge ）都是由單一原子所組成的元素半導(dǎo)體。在 20 世紀(jì) 50 年代初期，鍺曾是最主要的半導(dǎo)體材料。但自 60 年代初期以來，硅已取而代之成為半導(dǎo)體制造的主要材料。現(xiàn)今我們使用硅的主要原因，乃是因?yàn)楣杵骷谑覝叵掠休^佳，且高品質(zhì)的硅氧化層可由熱生長的方式產(chǎn)生。經(jīng)濟(jì)上的考慮也是原因之一，可用于制造器件等級的硅材料，遠(yuǎn)比其他半導(dǎo)體材料價格低廉。在二氧化硅及硅酸鹽中的硅含量占地表的 25 ％，僅次于氧。到目前為止，硅可說是周期表中被研究最多且技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體 元素 。 表 1.1 周期表中于半導(dǎo)體相關(guān)的部分 ? 化合物半導(dǎo)體 近年來一些 化合物 半導(dǎo)體已被應(yīng)用于各種器件中。 表 1.2 列出與兩種元素半導(dǎo)體同樣重要的化合物半導(dǎo)體。二元化合物半導(dǎo)體是由周期表中的兩種元素組成。例如， iii-v 族元素化合物半導(dǎo)體砷化鎵（ gaas ）是由 iii 族元素鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成。 除了二元化合物半導(dǎo)體外，三元及四元半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體也各有其特殊用途。由 iii 族元素鋁（ al ）、鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成的合金半導(dǎo)體 al x ga 1-x as 即是一種三元化合物半導(dǎo)體，而具有 a x b 1-x c y d 1-y 形式的四元化合物半導(dǎo)體則可由許多二元及三元化合物半導(dǎo)體組成。例如，合金半導(dǎo)體 ga x in 1-x as y p 1-y 是由磷化鎵（ gap ）、磷化銦（ inp ）、砷化銦（ inas ）及砷化鎵（ gaas ）所組成。與元素半導(dǎo)體相比，制作單晶體形式的化合物半導(dǎo)體通常需要較復(fù)雜的程序。 許多化合物半導(dǎo)體具有與硅不同的電和光的特性。這些半導(dǎo)體，特別是砷化鎵（ gaas ），主要用于高速光電器件。雖然化合物半導(dǎo)體的技術(shù)不如硅半導(dǎo)體技術(shù)成熟，但硅半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，也同時帶動化合物半導(dǎo)體技術(shù)的成長。 1.3 半導(dǎo)體導(dǎo)電性的特點(diǎn) 實(shí)際上，金屬、半導(dǎo)體和絕緣體之間的界限并不是絕對的。通常，當(dāng)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)含量很高時，電導(dǎo)率很高，呈現(xiàn)出一定的金屬性，而純凈半導(dǎo)體在低溫下的電導(dǎo)率很低，呈現(xiàn)出絕緣性。一般半導(dǎo)體和金屬的區(qū)別在于半導(dǎo)體中存在著 禁帶 而金屬中不存在禁帶；區(qū)分半導(dǎo)體和絕緣體則更加困難，通常根據(jù)它們的禁帶寬度及其溫度特性加以區(qū)分。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性究竟具有哪些特點(diǎn)呢？大致可歸納以下幾個方面： （ 1 ）半導(dǎo)體的電阻率對溫度的反應(yīng)靈敏。純凈半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化很顯著，而且電阻率隨溫度升高而下降。例如純鍺，當(dāng)溫度從 20 o c 升高到 30 o c 時，電阻率就降低一半左右。而金屬的電阻率隨溫度的變化比較小，而且隨溫度升高電阻率增大。 （ 2 ）微量的雜質(zhì)能顯著地改變半導(dǎo)體的電阻率。例如在純硅中摻入 6 ′ 10 15 /cm 3 的雜質(zhì)磷或銻，即在硅中摻入千萬分之一的雜質(zhì)，就能使它的電阻率從 2.15 ′ 10 5 w ·cm 減小到 1 w ·cm ，降低了 20 萬倍。晶格結(jié)構(gòu)的完整與否也會對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有極大的影響。因此在制作半導(dǎo)體器件時除人為地在半導(dǎo)體中摻入有用雜質(zhì)來控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電性外，還要嚴(yán)格防止一些有害雜質(zhì)對半導(dǎo)體的沾污，以免改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，使生產(chǎn)出來的器件質(zhì)量下降，甚至報廢。但金屬中含有少量雜質(zhì)時，看不出電阻率會有什么顯著的變化。 （ 3 ）適當(dāng)?shù)墓庹湛墒拱雽?dǎo)體的電阻率顯著改變。當(dāng)某種頻率的光照射半導(dǎo)體時，會使半導(dǎo)體的電阻率顯著下降，這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)。自動控制中用到的光敏電阻就是利用半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性來制成的。但是，金屬的電阻率不受光照影響。 總之，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能非常靈敏地依賴于外界條件、材料的純度以及晶體結(jié)構(gòu)的完整性等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能所以有上述特點(diǎn)是由半導(dǎo)體內(nèi)部特殊的微觀結(jié)構(gòu)所決定的，后面將敘述半導(dǎo)體導(dǎo)電的內(nèi)在規(guī)律。
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